全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 指出,自農(nóng)歷年過(guò)后,受到傳統(tǒng) PC 出貨淡季、中國(guó)白牌平板出貨量滑落,加上供給缺口回補(bǔ),使得現(xiàn)貨市場(chǎng)不論是記憶體模組或是顆粒的需求皆呈現(xiàn)交投清
無(wú)獨(dú)有偶的事近期在存儲(chǔ)器領(lǐng)域上演。Spansion公司除宣布整合富士通半導(dǎo)體MCU及相關(guān)業(yè)務(wù)外,還宣布與中國(guó)大陸300mm晶圓廠XMC共同簽署一項(xiàng)技術(shù)許可協(xié)議。據(jù)該協(xié)議,XMC將獲得
2014年IC行情:半導(dǎo)體大廠走勢(shì)窺探! 轉(zhuǎn)眼間,一年又過(guò)去了,我們踏入一個(gè)新的年份,在半導(dǎo)體行業(yè)里,過(guò)去的一年依然是風(fēng)起云涌,暗戰(zhàn)不斷。不但在產(chǎn)品性能上進(jìn)行提升,同時(shí)在營(yíng)銷方面也各施其法。而同時(shí)由于市場(chǎng)
據(jù)報(bào)道,三星電子穩(wěn)坐去年全球半導(dǎo)體市占第二名,且與市場(chǎng)龍頭英特爾的差距逐漸縮小。韓聯(lián)社23日引述產(chǎn)業(yè)研究業(yè)者報(bào)導(dǎo),去年三星半導(dǎo)體營(yíng)收較前年同期躍增8.2%,達(dá)到338.2億美元,市場(chǎng)占有率則從10.3%上升至10.6%。產(chǎn)
DRAM產(chǎn)業(yè)今年風(fēng)風(fēng)雨雨,先是上半年DRAM價(jià)格飆漲,下半年則是美國(guó)DRAM廠美光正式并購(gòu)日本DRAM廠爾必達(dá),以及SK海力士無(wú)錫廠9月初發(fā)生大火。但對(duì)臺(tái)塑集團(tuán)旗下南科及華亞科來(lái)說(shuō)
3月24日消息,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子縮小了與芯片巨頭英特爾的差距,其市場(chǎng)份額差從5.3%縮小到4.3%。據(jù)市場(chǎng)研究公司IHSiSuppli調(diào)查顯示,三星去年發(fā)布338億美元銷售收入,排名第2。在內(nèi)存和系統(tǒng)芯片領(lǐng)域比前一年上漲8
由于NAND Flash與DRAM的生產(chǎn)設(shè)備差異不大,上游芯片廠DRAM與NAND Flash產(chǎn)線會(huì)按照市場(chǎng)的供需及價(jià)格的變化而轉(zhuǎn)換生產(chǎn)。以下是原廠存儲(chǔ)工藝狀況。 目前全球Mobile DRAM主要供應(yīng)商僅限于三星、爾必達(dá)(美光)、SK 海力士三
在英特爾下一代處理器將支援新世代記憶體DDR4 DRAM下,包括三星、美光及海力士及相關(guān)模組廠,近期也相繼導(dǎo)入DDR4 DRAM試產(chǎn)行動(dòng),業(yè)者強(qiáng)調(diào),DDR 4 DRAM因功耗低,運(yùn)算速度更
3月24日消息,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子縮小了與芯片巨頭英特爾的差距,其市場(chǎng)份額差從5.3%縮小到4.3%。據(jù)市場(chǎng)研究公司IHSiSuppli調(diào)查顯示,三星去年發(fā)布338億美元銷售收入,排名第2。在內(nèi)存和系統(tǒng)芯片領(lǐng)域比前一年上漲8
京元電這幾年積極在苗栗縣投資,投資金額僅次于群創(chuàng),但論單一公司在苗栗投資占比則居冠。董事長(zhǎng)李金恭生于苗栗、長(zhǎng)于苗栗,是苗栗客家子弟中,最致力促進(jìn)地方繁榮、創(chuàng)造就業(yè)機(jī)會(huì)及提升文化氣息的企業(yè)家。 李金恭自
外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極,N極),接下
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo),三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn),SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實(shí),往次世代10奈米級(jí)DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)也即將展開(kāi)。沉寂一時(shí)的半導(dǎo)體制
創(chuàng)見(jiàn)資訊董事長(zhǎng)束崇萬(wàn)表示,因市場(chǎng)需求較弱,預(yù)計(jì)未來(lái)3個(gè)月DRAM、NAND Flash價(jià)格都將緩跌。 創(chuàng)見(jiàn)董事長(zhǎng)束崇萬(wàn)今日指出,包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)及儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)今年市場(chǎng)都有點(diǎn)供過(guò)于
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo),三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn),SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實(shí),往次世代10奈米級(jí)DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)也即將展開(kāi)。沉寂一時(shí)的半導(dǎo)體制
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo),三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn),SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實(shí),往次世代10奈米級(jí)DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)也即將展開(kāi)。沉寂一時(shí)的半導(dǎo)體制
世界先進(jìn)(5347)已確定買下南科8寸晶圓廠,將可以加快擴(kuò)充總產(chǎn)能,初期每年約可增加40萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能,估計(jì)約2季時(shí)間轉(zhuǎn)換制程后,便可開(kāi)始貢獻(xiàn)業(yè)績(jī)。 世界先進(jìn)現(xiàn)有月產(chǎn)能13.9萬(wàn)片規(guī)模,本季持續(xù)滿載。為快速擴(kuò)產(chǎn),世
三星電子日前宣布已從本月起開(kāi)始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。 三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī),克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制。NAND閃存的基本存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管構(gòu)
作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè),三星電子今日宣布已從本月起開(kāi)始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。 三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī),克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制
韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已形成壟斷局勢(shì),市場(chǎng)集中度極高。三星和現(xiàn)代兩家公司主導(dǎo)了韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。內(nèi)存部門中,三星電子占24.5%,現(xiàn)代占7.4%,而在DRAM方面則是三星電子占了32.2%,現(xiàn)代占12.8%。韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品構(gòu)成
韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已形成壟斷局勢(shì),市場(chǎng)集中度極高。三星和現(xiàn)代兩家公司主導(dǎo)了韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。內(nèi)存部門中,三星電子占24.5%,現(xiàn)代占7.4%,而在DRAM方面則是三星電子占了32.2%,現(xiàn)代占12.8%。韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品構(gòu)成