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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3一
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量化射頻（RF）干擾對線性電路的影響
典型的精密運(yùn)算放大(運(yùn)放)器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講，用戶可能期望千兆赫水平的RF信號衰減到非常低的水平，因?yàn)樗鼈冞h(yuǎn)遠(yuǎn)超出了放大器的帶寬范圍。然而，實(shí)際情況并非如此。
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高速PCB設(shè)計(jì)EMI之九大規(guī)則
隨著信號上升沿時間的減小及信號頻率的提高，電子產(chǎn)品的EMI問題越來越受到電子工程師的關(guān)注，幾乎60%的EMI問題都可以通過高速PCB來解決。以下是九大規(guī)則：規(guī)則一：高速信號走線屏蔽規(guī)則 在高速的PCB設(shè)計(jì)中，時鐘等關(guān)
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最新升壓-降壓型 LED 驅(qū)動器拓?fù)?具低輸入和低輸出紋波以實(shí)現(xiàn)低 EMI
和正壓版本 Cuk 轉(zhuǎn)換器都有相像的地方，正壓版本 Cuk 轉(zhuǎn)換器也具備低輸入和低輸出紋波。整合的升壓-降壓電感器 (或耦合電感器) 的總體尺寸與降壓-升壓模式單電感器類似。輸入紋波與 SEPIC 類似，但是輸出紋波小得多。電感器尺寸與 SEPIC 相同，但采用了單而不是雙開關(guān)節(jié)點(diǎn) (熱環(huán)路更小)，而且降低了復(fù)雜性，因?yàn)閮蓚€繞組之間沒有耦合電容器。輸入和輸出紋波類似于 Cuk 轉(zhuǎn)換器的低輸入和低輸出紋波 (負(fù)輸出)，但是繞組之間仍然沒有耦合電容器，而且最重要的是，無需以負(fù)壓為基準(zhǔn)的電路反饋架構(gòu)。正壓升壓-
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電子電路設(shè)計(jì)中EMC/EMI的模擬仿真
為了保證設(shè)計(jì)的PCB板具有高質(zhì)量和高可靠性，設(shè)計(jì)者通常要對PCB板進(jìn)行熱溫分析，機(jī)械可靠性分析。由于PCB板上的電子器件密度越來越大，走線越來越窄，信號的頻率越來越高，不
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車充、車載直流電源的拆解測試(1)
這次拆解測試使用的儀器，除了RIGOL的DSA815頻譜儀，自制的近場探頭，RIGOL的DP832直流電源,還需要一臺數(shù)字示波器，幾百兆Hz帶寬的通常就夠了，比如，RIGOL的DS4000,DS2000
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EMI和EMC電路中磁珠和電感起到的不同作用
磁珠和電感在解決EMI和EMC方面各與什么作用，首先我們來看看磁珠和電感的區(qū)別，電感是閉合回路的一種屬性，多用于電源濾波回路，而磁珠主要多 用于信號回路，用于EMC對策磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾，而電感用于這
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輕松解決汽車環(huán)境中的EMI問題
背景印刷電路板布局決定著所有電源的成敗，決定著功能、電磁干擾(EMI)和受熱時的表現(xiàn)。開關(guān)電源布局不是魔術(shù)，并不難，只不過在最初設(shè)計(jì)階段，可能常常被忽視。然而，因?yàn)楣?/p>
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拆解因遭受雷擊而關(guān)機(jī)的千兆以太網(wǎng)交換機(jī)
最近，我的落基山宅邸，因雷擊導(dǎo)致多個網(wǎng)絡(luò)設(shè)備損毀，其中之一—LG愛立信公司5口千兆以太網(wǎng)(GbE)交換機(jī)ES-1105G(圖1～圖3)，便是本次拆解分析的對象。在經(jīng)歷電磁脈沖(EMP)輻射后，這臺ES-1105G設(shè)備便無法充電。
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防止過熱與EMI損壞的工業(yè)級設(shè)計(jì)考量
前言工業(yè)應(yīng)用中的電子控制與傳感組件能在制造、加工與生產(chǎn)的眾多方面提供支持或?qū)崿F(xiàn)顯著的性能提升。但是，電子設(shè)備必須能夠承受生產(chǎn)鋼材、石油產(chǎn)品與化工品等惡劣環(huán)境或是具有極端高溫、多灰塵以及潮濕的礦山環(huán)境。
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汽車電子MCU的抗EMI設(shè)計(jì)與測試方案
1 引言隨著集成電路集成度的提高，越來越多的元件集成到芯片上，電路功能變得復(fù)雜，工作電壓也在降低。當(dāng)一個或多個電路里產(chǎn)生的信號或噪聲與同一個芯片內(nèi)另一個電路的運(yùn)行彼此干擾時，就產(chǎn)生了芯片內(nèi)的EMC問題，最
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負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器改善醫(yī)療成像質(zhì)量
成像技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新傳統(tǒng)模擬X射線成像系統(tǒng)以專門的感光膠片為介質(zhì)，將通過的X射線轉(zhuǎn)變成可視圖像。為了完成這一任務(wù)，該膠片必須經(jīng)過一種化學(xué)顯影過程，這個過程可能需要幾分鐘，因此推遲了開始對病人進(jìn)行治療的時間
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構(gòu)建低電磁干擾原型的關(guān)鍵步驟
本文探討在微波暗室一致性測試之前構(gòu)建低電磁干擾(EMI)原型的關(guān)鍵步驟，包括設(shè)計(jì)低輻射的電路以及預(yù)兼容檢測。預(yù)兼容檢測包括使用三維電磁場仿真軟件對印刷電路板(PCB)
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電源技巧：一個小小的疏忽就會毀掉 EMI 性能
在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白，只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容(100 毫微微法拉)會讓您無
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幾招教你搞定LED的EMC/EMI問題
針對于設(shè)計(jì)LED電源的工程師來說，電磁干擾問題應(yīng)該是一直存在于設(shè)計(jì)中的一個關(guān)鍵問題，尤其是在今年7月16日中國國家認(rèn)監(jiān)委把LED驅(qū)動電源納入了3C強(qiáng)制認(rèn)證的范疇。并且新
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使用示波器進(jìn)行EMI診斷
羅德與施瓦茨公司推出的RTO數(shù)字示波器可以幫助開發(fā)工程師進(jìn)行電子設(shè)計(jì)時在時域和頻域來分析EMI問題，并且能夠幫助定位EMI的產(chǎn)生原因。RTO數(shù)字示波器具備極低的輸入噪聲，在0-4GHz全帶寬范圍內(nèi)，靈敏度可以達(dá)到1mv/d
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ST全新單芯片整合EMI和ESD保護(hù)功能
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics, ST)推出新款 EMIF06-MSD03F3 單晶片，該元件整合 EMI 濾波與靜電放電(ESD)保護(hù)功能，適用于配備SD 3.0超高速(UHS-I)micro-SD卡的手機(jī)、平
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利用雙絞線與低通濾波器抑制RFI和EMI有效方案
引言 “The Twist”指雙絞線，Alexander Graham Bell于1881年申請?jiān)擁?xiàng)專利。而該項(xiàng)技術(shù)一直沿用到今天，原因是它提供了諸多便利。此外，隨著現(xiàn)場可編程門
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艾睿電子推出BeMicro Max 10FPGA評估板
近日，在Altera發(fā)布MAX10現(xiàn) FPGA系列發(fā)布之際，艾睿電子公司推出了BeMicro Max 10FPGA評估板。BeMicro Max 10是與Altera和ADI(Analog Devices)合作開發(fā)的，非常適合測試MAX 10 FPGA的特性和功能。MAX 10 FPGA通過集
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EMI解決方法之多層PCB設(shè)計(jì)
我們在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時，要考慮到其所受電磁干擾情況是為了提高產(chǎn)品的性能。大家知道，解決EMI問題的辦法很多，現(xiàn)代的EMI抑制方法包括：利用 EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑
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