隨著半導(dǎo)體制程微縮、電子裝置輕薄短小趨勢(shì),為提升產(chǎn)品可靠度、降低零組件成本,積體電路與電子系統(tǒng)靜電放電防護(hù)技術(shù)(ESD)需求應(yīng)運(yùn)而生,交通大學(xué)光電學(xué)院院長(zhǎng)柯明道博士獲核科技部推動(dòng)的「補(bǔ)助產(chǎn)學(xué)技術(shù)聯(lián)盟合作計(jì)畫
【導(dǎo)讀】ANSYS子公司Apache Design的PathFinder?-Dynamic贏得集成電路設(shè)計(jì)工具類別大獎(jiǎng)。 2014年2月5日,匹茲堡訊——ANSYS(NASDAQ: ANSS)連續(xù)第三年榮獲大獎(jiǎng),彰顯其獨(dú)特工具的強(qiáng)大實(shí)力,能幫助有效改
2014年1月9日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先電子元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下凱悌推出遠(yuǎn)程醫(yī)療看護(hù)解決方案,該系列解決方案來(lái)自眾多國(guó)際半導(dǎo)體廠商,包括美國(guó)AEM公司、AME(安茂微電子)、AMOTECH、Everlight
MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或
21ic訊 Analog Devices, Inc.(NASDAQ:ADI)今天宣布推出四款8-kV ESD(靜電放電)開(kāi)關(guān),這些產(chǎn)品能夠保證工作電壓高達(dá)±22 Vds或+40 Vss的高壓工業(yè)應(yīng)用不發(fā)生閂鎖現(xiàn)象。ADI的高壓ADG5401、ADG5421、ADG5423和A
目前對(duì)于許多流行的手機(jī)(尤其是翻蓋型手機(jī))而言,手機(jī)的彩色LCD、OLED顯示屏或相機(jī)模塊CMOS傳感器等部件,都是通過(guò)柔性電路或長(zhǎng)走線PCB與 基帶控制器相連的,這些連接線會(huì)受
微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)日前發(fā)布通用閃存(UFS)標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專為需要高性能低功耗的移動(dòng)應(yīng)用和計(jì)算系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。相比前一版本,新的UFS 2.0版
2013年9月18日訊 – 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天發(fā)布通用閃存(UFS)標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專為需要高性能低功耗的移動(dòng)應(yīng)用和計(jì)算系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。相比前一版本,新的UFS 2.0版提供更大的鏈路帶寬以
21ic訊 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)日前發(fā)布通用閃存(UFS)標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專為需要高性能低功耗的移動(dòng)應(yīng)用和計(jì)算系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。相比前一版本,新的UFS 2.0版提供更大的鏈路帶寬以提高性能,延
美國(guó)交通部在2011年12月提出新的安全法規(guī),旨在幫助消除車輛后方的盲區(qū),這些盲區(qū)導(dǎo)致駕駛員很難看到車后的行人 - 特別是幼童,此法規(guī)使得基于視頻的汽車安全系統(tǒng)這一新興領(lǐng)域成為公眾矚目的焦點(diǎn)。此次提出的倒車后
摘要:JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個(gè)可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個(gè)串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用,并給出其在系統(tǒng)
便攜式設(shè)備如筆記本電腦、手機(jī)、PDA、MP3播放器等,由于頻繁與人體接觸極易受到靜電放電(ESD)的沖擊,如果沒(méi)有選擇合適的保護(hù)器件,可能會(huì)造成機(jī)器性能不穩(wěn)定,或者損壞。更
我們?cè)趯?shí)際電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)調(diào)試過(guò)程中,經(jīng)常會(huì)有這樣的疑問(wèn),MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入
集成塊靜電放電(ESD)損傷防靜電保護(hù)電路
美國(guó)能源部(unitedstatesdepartmentofenergy,doe)宣布其固態(tài)路燈聯(lián)盟(msslc)將于今年9月11日在菲尼克斯(phoenix)舉行年度會(huì)議。本次會(huì)議將對(duì)聯(lián)盟成員開(kāi)放,包括政府和公用事業(yè)工作人員,路燈工程,照明設(shè)計(jì)師和顧問(wèn)
美國(guó)能源部(unitedstatesdepartmentofenergy,doe)宣布其固態(tài)路燈聯(lián)盟(msslc)將于今年9月11日在菲尼克斯(phoenix)舉行年度會(huì)議。本次會(huì)議將對(duì)聯(lián)盟成員開(kāi)放,包括政府和公用事業(yè)工作人員,路燈工程,照明設(shè)計(jì)師和顧問(wèn)
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)推出全球最小的瞬態(tài)電壓抑制二極管,為消費(fèi)電子產(chǎn)品和手持產(chǎn)品內(nèi)的敏感電子元器件提供過(guò)壓保護(hù)功能。 ESDAVLC6-1BV2是同類
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)推出全球最小的瞬態(tài)電壓抑制二極管,為消費(fèi)電子產(chǎn)品和手持產(chǎn)品內(nèi)的敏感電子元器件提供過(guò)壓保護(hù)功能。ESDAVLC6-1BV2是同類產(chǎn)品中首款采用業(yè)界最小的標(biāo)準(zhǔn)貼裝封裝,尺寸
摘要:介紹了西氣東輸二線的基本情況及其流程工藝,介紹了PLC、站控機(jī)、路由器、交換機(jī)等自控設(shè)備在該項(xiàng)目中的應(yīng)用,并分析了以太網(wǎng)、ControlNet網(wǎng)的網(wǎng)絡(luò)組成,討論了控制系統(tǒng)的組成及實(shí)現(xiàn)的功能。 關(guān)鍵詞:西氣東輸
SESD低電容器件說(shuō)明保護(hù)超高速數(shù)據(jù)線,占用最少PCB空間TE Connectivity旗下的業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部(TECP)宣布其SESD (硅ESD)系列無(wú)源電路保護(hù)器件中的八款產(chǎn)品現(xiàn)在通過(guò)用于