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在PCB板的設(shè)計當(dāng)中抗ESD的方法與分析
來自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對于精密的半導(dǎo)體芯片會造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏
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IC 的熱特性-熱阻
摘要IC 封裝的熱特性對IC 應(yīng)用和可靠性是非常重要的參數(shù)。本文詳細描述了標(biāo)準(zhǔn)封裝的熱特性主要參數(shù)：熱阻(ΘJA、ΘJC、ΘCA)等參數(shù)。本文就熱阻相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展、物理意義及測量方式等相關(guān)問題作詳細
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日本發(fā)布新一代直接噴涂有機半導(dǎo)體材料技術(shù)
近日，日本新一代涂布型電子元器件技術(shù)研究聯(lián)盟（ECOW）宣布開發(fā)出了直接噴涂有機半導(dǎo)體材料的技術(shù)。新技術(shù)有望成為利用“靜電噴霧沉積法（ESD）”技術(shù)取代真空蒸鍍技術(shù)以及旋涂法和噴墨法等涂布技術(shù)的第三種有機半導(dǎo)
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英飛凌TVS二極體系列保護天線裝置免受ESD影響
英飛凌科技(Infineon Technologies)推出全新瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極體系列，保護天線及前端裝置免于受到瞬態(tài)電壓的影響。全新 ESD101x 和 ESD103x 二極體可吸收危險的靜電
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物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)備 防雷防靜電(ESD)闡述
一.什么是ESDESDESD(Electro-Staticdischarge)的意思是“靜電釋放”。國際上習(xí)慣將用于靜電防護的器材統(tǒng)稱為ESD，中文名稱為靜電抑制器。對電子產(chǎn)品而言，靜電放電往往是致命的——它可能導(dǎo)致元
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ESD產(chǎn)學(xué)聯(lián)盟成立攜手提升IC產(chǎn)業(yè)競爭力
隨著半導(dǎo)體制程微縮、電子裝置輕薄短小趨勢，為提升產(chǎn)品可靠度、降低零組件成本，積體電路與電子系統(tǒng)靜電放電防護技術(shù)(ESD)需求應(yīng)運而生，交通大學(xué)光電學(xué)院院長柯明道博士獲核科技部推動的「補助產(chǎn)學(xué)技術(shù)聯(lián)盟合作計畫
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ANSYS連續(xù)第三年榮獲DESIGNCON VISION大獎
【導(dǎo)讀】ANSYS子公司Apache Design的PathFinder?-Dynamic贏得集成電路設(shè)計工具類別大獎。 2014年2月5日，匹茲堡訊——ANSYS(NASDAQ: ANSS)連續(xù)第三年榮獲大獎，彰顯其獨特工具的強大實力，能幫助有效改
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大聯(lián)大控股凱悌推出遠程醫(yī)療看護解決方案
2014年1月9日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先電子元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下凱悌推出遠程醫(yī)療看護解決方案，該系列解決方案來自眾多國際半導(dǎo)體廠商，包括美國AEM公司、AME(安茂微電子)、AMOTECH、Everlight
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MOS管擊穿原因和防護措施！
MOS管為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或
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ADI推出四款8-kV ESD開關(guān)
21ic訊 Analog Devices, Inc.(NASDAQ：ADI)今天宣布推出四款8-kV ESD(靜電放電)開關(guān)，這些產(chǎn)品能夠保證工作電壓高達±22 Vds或+40 Vss的高壓工業(yè)應(yīng)用不發(fā)生閂鎖現(xiàn)象。ADI的高壓ADG5401、ADG5421、ADG5423和A
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解決手機EMI及ESD干擾的新型濾波器設(shè)計
目前對于許多流行的手機(尤其是翻蓋型手機)而言，手機的彩色LCD、OLED顯示屏或相機模塊CMOS傳感器等部件，都是通過柔性電路或長走線PCB與 基帶控制器相連的，這些連接線會受
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JEDEC 發(fā)布通用閃存標(biāo)準(zhǔn) （UFS）2.0版
微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會日前發(fā)布通用閃存(UFS)標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專為需要高性能低功耗的移動應(yīng)用和計算系統(tǒng)而設(shè)計。相比前一版本，新的UFS 2.0版
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JEDEC 發(fā)布通用閃存標(biāo)準(zhǔn) （UFS）2.0版
2013年9月18日訊 – 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天發(fā)布通用閃存（UFS）標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專為需要高性能低功耗的移動應(yīng)用和計算系統(tǒng)而設(shè)計。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的鏈路帶寬以
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JEDEC®發(fā)布通用閃存標(biāo)準(zhǔn)（UFS）2.0版
21ic訊 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會日前發(fā)布通用閃存(UFS)標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專為需要高性能低功耗的移動應(yīng)用和計算系統(tǒng)而設(shè)計。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的鏈路帶寬以提高性能，延
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倍受矚目的倒車后視系統(tǒng)面臨設(shè)計挑戰(zhàn)
美國交通部在2011年12月提出新的安全法規(guī)，旨在幫助消除車輛后方的盲區(qū)，這些盲區(qū)導(dǎo)致駕駛員很難看到車后的行人 - 特別是幼童，此法規(guī)使得基于視頻的汽車安全系統(tǒng)這一新興領(lǐng)域成為公眾矚目的焦點。此次提出的倒車后
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JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)S FDP對串行Flash在系統(tǒng)中的應(yīng)用
摘要：JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)
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TVS二極管在便攜設(shè)備ESD中應(yīng)用
便攜式設(shè)備如筆記本電腦、手機、PDA、MP3播放器等，由于頻繁與人體接觸極易受到靜電放電(ESD)的沖擊，如果沒有選擇合適的保護器件，可能會造成機器性能不穩(wěn)定，或者損壞。更
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MOS管被靜電擊穿的幾個原因
我們在實際電子產(chǎn)品設(shè)計調(diào)試過程中，經(jīng)常會有這樣的疑問，MOS管為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?其實MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入
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集成電路靜電放電（ESD）損傷
集成塊靜電放電(ESD)損傷防靜電保護電路
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美能源部固態(tài)路燈聯(lián)盟9月舉行年度會議
美國能源部(unitedstatesdepartmentofenergy，doe)宣布其固態(tài)路燈聯(lián)盟(msslc)將于今年9月11日在菲尼克斯(phoenix)舉行年度會議。本次會議將對聯(lián)盟成員開放，包括政府和公用事業(yè)工作人員，路燈工程，照明設(shè)計師和顧問
