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供過(guò)于求，近幾個(gè)季度DRAM價(jià)格大幅下跌：美光確認(rèn)EUV工藝
由于供過(guò)于求，近幾個(gè)季度DRAM價(jià)格大幅下跌。為了降低成本，并為內(nèi)存所需要的新應(yīng)用程序做好準(zhǔn)備，DRAM制造商正在積極轉(zhuǎn)向更新的工藝技術(shù)。盡管他們承認(rèn)需要平衡DRAM的供需，但實(shí)際上他們?yōu)閿U(kuò)大生產(chǎn)能力制定了積極的計(jì)劃，因?yàn)樗麄冃枰獮榧磳⒌絹?lái)的制造技術(shù)提供更干凈的空間。
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三星繼續(xù)加大半導(dǎo)體投入：180億美元設(shè)廠生產(chǎn)5nm EUV工藝芯片
自新冠疫情以來(lái)，美國(guó)一直希望將關(guān)鍵科技領(lǐng)域的制造轉(zhuǎn)回國(guó)內(nèi)，比如半導(dǎo)體生產(chǎn)。而三星集團(tuán)此前則在考慮投入數(shù)十億美元，在美國(guó)多個(gè)地方建造能生產(chǎn)半導(dǎo)體的工廠。
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驍龍865處理器：三星7nm EUV工藝代工
按照慣例，今年底高通將發(fā)布驍龍865處理器，它將接替現(xiàn)在的驍龍855處理器，成為蘋果、華為系之外其他手機(jī)廠商的旗艦機(jī)首選，不過(guò)驍龍865會(huì)由三星7nm EUV工藝代工，不再是臺(tái)積電代工。
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業(yè)內(nèi)首推以EUV技術(shù)怎么了？為何高通三星雙雙否認(rèn)7納米出問(wèn)題
近日，三星電子在官方聲明中介紹，三星Foundry于今年4月在業(yè)內(nèi)首推以EUV技術(shù)為基礎(chǔ)的量產(chǎn)產(chǎn)品，并向客戶供貨。三星電子的EUV技術(shù)，歷經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間的研發(fā)，并擁有成功量產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)，目前已達(dá)到高技術(shù)成熟度以及高良品率。以EUV技術(shù)為基礎(chǔ)的5G產(chǎn)品計(jì)劃在今年第四季度開(kāi)始量產(chǎn)。
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日本限制韓國(guó)EUV工藝關(guān)鍵材料 三星電子領(lǐng)先地位將受威脅
近日，日韓貿(mào)易戰(zhàn)愈演愈烈，日本宣布氟聚酰亞胺(Fluorine Polyimide)、半導(dǎo)體制造中的核心材料光刻膠和高純度氟化氫(Eatching Gas)三種材料出口到韓國(guó)時(shí)不再給予優(yōu)惠待遇，而且每
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英特爾XE顯卡或許不是自家10nm生產(chǎn)，轉(zhuǎn)投三星5nm EUV工藝？
此前英特爾提到XE GPU芯片是他們自家10nm工藝生產(chǎn)，但現(xiàn)在變數(shù)來(lái)了，XE顯卡核心也有可能使用三星的5nm EUV工藝生產(chǎn)。
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采用EUV工藝，臺(tái)積電完成5nm基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)
根據(jù)外媒的報(bào)道，臺(tái)積電宣布他們已經(jīng)完成了5納米工藝的基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)，進(jìn)一步晶體管密度和性能。臺(tái)積電的5納米工藝將再次采用EUV技術(shù)，從而提高產(chǎn)量和性能。
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三星7nm終于要來(lái)了！投資13億美元的7nm工廠完工
上周五三星提交的報(bào)告顯示他們投資13億美元的華城生產(chǎn)線已經(jīng)完成建設(shè)工作，三星的7nm EUV現(xiàn)在才算真正進(jìn)入狀態(tài)了。
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強(qiáng)化代工業(yè)務(wù)，三星下半年量產(chǎn)7nm EUV工藝，2021年推3nm GAA工藝
為了彌補(bǔ)存儲(chǔ)芯片降價(jià)周期帶來(lái)的影響，三星早就開(kāi)始強(qiáng)化代工業(yè)務(wù)了，要趕超臺(tái)積電，而這就要跟后者搶先進(jìn)工藝量產(chǎn)時(shí)間了。根據(jù)三星高管所說(shuō)，他們今年下半年會(huì)量產(chǎn)7nm EUV工藝，2021年則會(huì)量產(chǎn)更先進(jìn)的3nm GAA工藝。
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三星7nm代工贏新客戶？傳英偉達(dá)30系顯卡采用其7nm EUV工藝
有傳聞稱英偉達(dá)30系顯卡采用三星7nm EUV工藝，2020年上市。
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三星7nm EUV工藝贏大訂單！將為IBM代工Power處理器
IBM、三星今天聯(lián)合宣布擴(kuò)大戰(zhàn)略合作關(guān)系，三星將使用7nm EUV工藝為IBM代工Power處理器。
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新思科技數(shù)字與定制設(shè)計(jì)平臺(tái)通過(guò)TSMC 5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證，加快下一代設(shè)計(jì)發(fā)展
新思科技(Synopsys, Inc.)宣布，新思科技數(shù)字和定制設(shè)計(jì)平臺(tái)通過(guò)了TSMC最先進(jìn)的5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證。該認(rèn)證是多年廣泛合作的結(jié)果，旨在提供更優(yōu)化的設(shè)計(jì)解決方案，加快下一代設(shè)計(jì)的發(fā)展進(jìn)程。
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看三星半導(dǎo)體工藝路線圖！明年5nm，后年3nm！
隨著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進(jìn)半導(dǎo)體工藝研發(fā)、投資，全球有能力研發(fā)7nm及以下工藝的半導(dǎo)體公司就只剩下英特爾、臺(tái)積電及三星了，不過(guò)英特爾可以排除在代工廠之外，其他無(wú)晶圓公司可選的只
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厲害了臺(tái)積電！明年4月份試產(chǎn)5nm EUV工藝
在7nm及以下節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電的進(jìn)展是最快的，今年量產(chǎn)7nm不說(shuō)，最快明年4月份就要試產(chǎn)5nm EUV工藝了，不過(guò)這個(gè)節(jié)點(diǎn)的投資花費(fèi)也是驚人的，臺(tái)積電投資250億美元建廠，5nm芯片設(shè)計(jì)費(fèi)用也要比7nm工藝提升50%。
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三星再次刷新半導(dǎo)體工藝路線圖：明年推5/4nm EUV工藝，2020年上馬3nm GAA工藝
現(xiàn)在日本的技術(shù)論壇上三星再次刷新了半導(dǎo)體工藝路線圖，今年會(huì)推出7nm EUV工藝，明年有5/4nm EUV工藝，2020年則會(huì)推出3nm EUV工藝，同時(shí)晶體管類型也會(huì)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA結(jié)構(gòu)。
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新思科技Fusion技術(shù)助力三星7LPP EUV工藝降低功耗、縮小面積并提高性能
新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布，新思科技Design Platform Fusion 技術(shù)已通過(guò)三星認(rèn)證，可應(yīng)用于其7納米(nm)低功耗+(LPP-Low Power Plus)工藝的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。
