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英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

英特爾(Intel)日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計(jì)劃。據(jù)表示，總投資金額將超過十億美元。英特爾(Intel)CEOPaulOtellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先進(jìn)制程的藍(lán)圖及相關(guān)投資規(guī)劃。這些晶

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2012-05-30

英特爾晶圓廠 FAB Intel
英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

英特爾(Intel)日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計(jì)劃。據(jù)表示，總投資金額將超過十億美元。英特爾(Intel) CEO Paul Otellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先進(jìn)制程的藍(lán)圖及相關(guān)投資規(guī)劃。

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2012-05-30

英特爾晶圓廠 FAB Intel
聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動(dòng)土典禮。此次擴(kuò)建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀(jì)元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求外，更將推動(dòng)聯(lián)華電

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-05-28

供應(yīng)鏈聯(lián)華電子 FAB
半導(dǎo)體廠20奈米和新廠投資

全球半導(dǎo)體大廠陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程世代，晶圓代工業(yè)者受惠28奈米制程訂單熱絡(luò)大塞車，主要是行動(dòng)通訊和行動(dòng)運(yùn)算需求崛起之賜，臺(tái)積電2011年28奈米制程有36個(gè)Tape-out，到2012年28奈米Tape-out已達(dá)132個(gè)，對(duì)于28奈米供

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2012-05-28

半導(dǎo)體聯(lián)電臺(tái)積電 FAB
英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

嵌入式動(dòng)態(tài)
2012-05-27

英特爾晶圓廠 FAB Intel
《半導(dǎo)體》看好景氣，聯(lián)電抗跌走揚(yáng)

聯(lián)電（2303）積極在南科擴(kuò)產(chǎn)，由于看好長(zhǎng)期晶圓代工產(chǎn)業(yè)景氣，加上擴(kuò)產(chǎn)氣勢(shì)如虹，昨日聯(lián)電股價(jià)一路維持在平盤之上，呈現(xiàn)抗跌走勢(shì)，終場(chǎng)聯(lián)電以12.5元收市，惟外資、投信仍持續(xù)出脫持股，呈現(xiàn)賣超動(dòng)作。聯(lián)電24日舉行

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2012-05-27

半導(dǎo)體晶圓代工聯(lián)電 FAB
聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動(dòng)土典禮。此次擴(kuò)建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀(jì)元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求外，更將推動(dòng)聯(lián)華電

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2012-05-25

供應(yīng)鏈聯(lián)華電子晶圓廠 FAB
聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動(dòng)土典禮。此次擴(kuò)建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀(jì)元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求外，更將推動(dòng)聯(lián)華電

消費(fèi)電子
2012-05-25

供應(yīng)鏈聯(lián)華電子晶圓廠 FAB
聯(lián)華電子開啟12英寸紀(jì)元為20nm及以下制程奠定基石

聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動(dòng)土典禮。此次擴(kuò)建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀(jì)元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求外，更將推動(dòng)聯(lián)華電

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-05-25

供應(yīng)鏈聯(lián)華電子晶圓廠 FAB
聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動(dòng)土典禮。此次擴(kuò)建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀(jì)元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求外，更將推動(dòng)聯(lián)華電

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2012-05-25

供應(yīng)鏈聯(lián)華電子晶圓廠 FAB
聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動(dòng)土典禮。此次擴(kuò)建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀(jì)元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求外，更將推動(dòng)聯(lián)華電

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2012-05-25

供應(yīng)鏈聯(lián)華電子晶圓廠 FAB
聯(lián)電砸2,400億南科大擴(kuò)廠

聯(lián)電昨（24）日宣布斥資80億美元（約新臺(tái)幣2,368億元）擴(kuò)充南科Fab 12A第5、6期廠房，全力發(fā)展28納米以下先進(jìn)制程，加計(jì)臺(tái)積電先前在南科也啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，晶圓雙雄今年投資總額近6,000億元，打造南科成為全球晶圓代工

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2012-05-25

先進(jìn)制程聯(lián)電臺(tái)積電 FAB
聯(lián)電砸80億美元南科擴(kuò)廠，攻28納米以下制程

聯(lián)電(2303)南科擴(kuò)廠，今早舉辦動(dòng)土典禮；聯(lián)電Fab 12A第5、6期廠房預(yù)計(jì)新增投資80億美元，專攻28納米以下制程，月產(chǎn)能估新增12寸晶圓5萬片。繼臺(tái)積電南科14廠第5期于上個(gè)月動(dòng)土、預(yù)計(jì)將導(dǎo)入20納米產(chǎn)能；聯(lián)電(2303)F

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2012-05-25

聯(lián)電臺(tái)積電晶圓廠 FAB
聯(lián)電Fab12A 5-6期動(dòng)土月產(chǎn)能提升至13萬片創(chuàng)造2600個(gè)工作機(jī)會(huì)

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今天Fab12A舉行5-6期動(dòng)土典禮，聯(lián)電表示，將創(chuàng)造逾2600個(gè)工作機(jī)會(huì)，最大規(guī)劃月產(chǎn)能將由8萬片提升至13萬片。聯(lián)電董事長(zhǎng)洪嘉聰表示，樂觀看待市場(chǎng)發(fā)展，將持續(xù)適時(shí)投資，F(xiàn)ab12A 1-4期已投入達(dá)80億

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2012-05-24

聯(lián)電電表 ST FAB
聯(lián)電南科第5、6期動(dòng)土預(yù)計(jì)再投入80億美元

繼晶圓代工龍頭臺(tái)積電 (2330) 南科 14廠第5期于上月動(dòng)土、投入20 奈米產(chǎn)能布建后，聯(lián)電 (2303) Fab 12A第5、6期廠房的動(dòng)土典禮，也于今(24日)在南科舉行。聯(lián)電董事長(zhǎng)洪嘉聰指出，F(xiàn)ab 12A第5、6期廠房將再投入80億美元

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2012-05-24

聯(lián)電臺(tái)積電晶圓廠 FAB
聯(lián)電南科廠5、6期投資80億美元產(chǎn)能將達(dá)5萬片

聯(lián)電(2303) Fab 12A第5、6期廠房動(dòng)土典禮，于今(24日)在南科舉行。負(fù)責(zé)聯(lián)電12吋晶圓廠營(yíng)運(yùn)的資深副總顏博文指出，F(xiàn)ab 12A今日動(dòng)土的的第5、6期廠房，投資金額約為80億美元，主要是為因應(yīng)客戶強(qiáng)在先進(jìn)製程的強(qiáng)勁需求，

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2012-05-24

工程師聯(lián)電 GREEN FAB
多核處理器成為動(dòng)力系統(tǒng)新一代的產(chǎn)品設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)

雙核CPU在汽車電子系統(tǒng)中取得了快速的應(yīng)用，而系統(tǒng)軟硬件、電能消耗及散熱等也需要隨之作出相應(yīng)的改變。今天汽車上采用的大多數(shù)微控制器基本都采用傳統(tǒng)的單核結(jié)構(gòu)，不過已經(jīng)在計(jì)算機(jī)行業(yè)取得廣泛應(yīng)用的雙核處理器也將

消費(fèi)電子
2012-05-23

多核處理器時(shí)鐘雙核處理器 FAB
三星顯示器在中國(guó)的LCD FAB工廠16日開工

三星顯示器16日在中國(guó)江蘇省蘇州工業(yè)園區(qū)舉行了8.5G FAB棟開工典禮。蘇州三星LCD(SSL)為了在中國(guó)電視市場(chǎng)進(jìn)行有效的應(yīng)對(duì)，將原有的7.5G投資變更至8.5G，此次FAB工廠正式開工。SSL是三星電子與蘇州工業(yè)園區(qū)、TCL去年4

顯示光電
2012-05-19

LCD 三星顯示器 5G FAB
臺(tái)積電訂單外溢聯(lián)電急擴(kuò)28奈米產(chǎn)能

隨超乎預(yù)期的市場(chǎng)需求，臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)28奈訂單外溢使聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、格羅方德（GlobalFoundries）、三星等其它晶圓代工廠受惠。其中聯(lián)電因應(yīng)客戶需求，沖刺28奈米產(chǎn)能并為明年20奈米作準(zhǔn)備，24日將

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2012-05-16

晶片聯(lián)電臺(tái)積電 FAB
臺(tái)積電訂單外溢聯(lián)電急擴(kuò)28奈米產(chǎn)能

隨超乎預(yù)期的市場(chǎng)需求，臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)28奈訂單外溢使聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、格羅方德（GlobalFoundries）、三星等其它晶圓代工廠受惠。其中聯(lián)電因應(yīng)客戶需求，沖刺28奈米產(chǎn)能并為明年20奈米作準(zhǔn)備，24日將

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2012-05-16

晶片聯(lián)電臺(tái)積電 FAB

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英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

半導(dǎo)體廠20奈米和新廠投資

英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

《半導(dǎo)體》看好景氣，聯(lián)電抗跌走揚(yáng)

聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子開啟12英寸紀(jì)元為20nm及以下制程奠定基石

聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)華電子12英寸紀(jì)元大幅提升28nm產(chǎn)能

聯(lián)電砸2,400億南科大擴(kuò)廠

聯(lián)電砸80億美元南科擴(kuò)廠，攻28納米以下制程

聯(lián)電Fab12A 5-6期動(dòng)土月產(chǎn)能提升至13萬片創(chuàng)造2600個(gè)工作機(jī)會(huì)

聯(lián)電南科第5、6期動(dòng)土預(yù)計(jì)再投入80億美元

聯(lián)電南科廠5、6期投資80億美元產(chǎn)能將達(dá)5萬片

多核處理器成為動(dòng)力系統(tǒng)新一代的產(chǎn)品設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)

三星顯示器在中國(guó)的LCD FAB工廠16日開工

臺(tái)積電訂單外溢聯(lián)電急擴(kuò)28奈米產(chǎn)能

臺(tái)積電訂單外溢聯(lián)電急擴(kuò)28奈米產(chǎn)能

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