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英特爾18吋晶圓邁大步　臺(tái)積電新廠發(fā)展留彈性

半導(dǎo)體大廠英特爾(Intel)將于新晶圓廠D1X5支持18吋晶圓技術(shù)，顯示英特爾在18吋晶圓研發(fā)已有長(zhǎng)足進(jìn)展；對(duì)于18吋晶圓發(fā)展進(jìn)度，臺(tái)積電指出，目前仍有部分設(shè)備機(jī)臺(tái)研發(fā)進(jìn)度不足，希望能夠加緊腳步，若18吋晶圓發(fā)展順利，

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2010-12-20

臺(tái)積電晶圓英特爾 FAB
臺(tái)積電擬100億美元投建Fab16晶圓廠

隨著28nm制造工藝成熟度邁上90%，臺(tái)積電已經(jīng)開始為其日后產(chǎn)能的保證進(jìn)行新一輪的籌備。最新報(bào)道稱，臺(tái)積電計(jì)劃投資100億美元新建Fab16300mm晶圓廠，投產(chǎn)后月產(chǎn)能在10萬片。再加上其它三座工廠，屆時(shí)臺(tái)積電300mm晶圓月

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2010-12-15

半導(dǎo)體晶圓廠臺(tái)積電 FAB
臺(tái)積電擬投建Fab 16晶圓廠

隨著28nm制造工藝成熟度邁上90%，臺(tái)積電已經(jīng)開始為其日后產(chǎn)能的保證進(jìn)行新一輪的籌備。最新報(bào)道稱，臺(tái)積電計(jì)劃投資100億美元新建Fab 16 300mm晶圓廠，投產(chǎn)后月產(chǎn)能在10萬片。再加上其它三座工廠，屆時(shí)臺(tái)積電300mm晶圓

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-15

半導(dǎo)體晶圓廠臺(tái)積電 FAB
臺(tái)積電擬100億美元投建Fab 16晶圓廠

隨著28nm制造工藝成熟度邁上90%，臺(tái)積電已經(jīng)開始為其日后產(chǎn)能的保證進(jìn)行新一輪的籌備。最新報(bào)道稱，臺(tái)積電計(jì)劃投資100億美元新建Fab 16 300mm晶圓廠，投產(chǎn)后月產(chǎn)能在10萬片。再加上其它三座工廠，屆時(shí)臺(tái)積電300mm晶圓

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2010-12-15

半導(dǎo)體晶圓廠臺(tái)積電 FAB
英特爾證實(shí)其18寸晶圓廠計(jì)畫

針對(duì)市場(chǎng)的謠傳紛紛，英特爾(Intel)已經(jīng)證實(shí)，該公司將在美國(guó)興建的新晶圓廠，將會(huì)支援18寸晶圓技術(shù)。據(jù)業(yè)界消息，英特爾將在美國(guó)奧勒岡州Hillsboro新建一座研發(fā)晶圓廠，并將該公司其他位于美國(guó)的晶圓廠升級(jí)至22奈米

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2010-12-10

Intel 晶圓廠英特爾 FAB
Fab產(chǎn)能擴(kuò)充重回正軌：年增長(zhǎng)8%

Fab資產(chǎn)投入2011年將增長(zhǎng)18%，但新Fab的建設(shè)前景不確定。根據(jù)最新版“全球Fab預(yù)測(cè)”，SEMI預(yù)測(cè)2010年和2011年Fab裝機(jī)容量年增長(zhǎng)8%，2012年增長(zhǎng)9%。這一預(yù)測(cè)是根據(jù)各Fab公布的產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃和有關(guān)Fab的投資計(jì)劃分析而得

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2010-12-09

EQUIPMENT PEN CAPACITY FAB
IC設(shè)計(jì)業(yè)：未來仍須著重提升內(nèi)功

“未來5年，IC設(shè)計(jì)業(yè)面臨的問題依然是做大做強(qiáng)。而做強(qiáng)必然是大到一定程度上才能實(shí)現(xiàn)的。做大是外延的擴(kuò)張，做強(qiáng)是內(nèi)涵的增長(zhǎng)。如今產(chǎn)業(yè)鏈的合作模式正向虛擬一體化模式演進(jìn)，代工廠也在通過一些資本的力量，基

半導(dǎo)體
2010-12-03

微電子 DM IC設(shè)計(jì)業(yè) FAB
朝鮮半島交鋒　臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖

南朝鮮軍事緊張情勢(shì)再度升高，由于韓國(guó)是全球存儲(chǔ)器DRAM和NANDFlash生產(chǎn)重鎮(zhèn)，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)合計(jì)囊括全球超過60%市占率，NANDFlash則合計(jì)有超過50%市占，加上臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來被韓

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2010-11-25

DRAM 海力士 NANDFLASH FAB
國(guó)內(nèi)模擬IC廠面臨巨大壓力

德儀(TI)全球第一座12吋模擬IC晶圓廠，明年首季量產(chǎn)，產(chǎn)品包括中低階模擬IC。德儀臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理陳建村昨(16)日表示，屆時(shí)價(jià)格將非常有競(jìng)爭(zhēng)力，恐沖擊國(guó)內(nèi)模擬IC族群。不過，立锜(6286)、致新(8081)已紛紛從6吋晶圓轉(zhuǎn)進(jìn)

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2010-11-17

晶圓廠 RF 模擬IC FAB
臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn)　通過812.6億元資本預(yù)算

晶圓代工龍頭臺(tái)積電積極擴(kuò)充產(chǎn)能，9日董事會(huì)通過約新臺(tái)幣812.6億元的資本預(yù)算，用以擴(kuò)充12吋制程、先進(jìn)制程與特殊制程產(chǎn)能，以及2011年逾8億美元的研發(fā)預(yù)算，并且也通過對(duì)歐洲子公司進(jìn)行增資。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠

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2010-11-10

晶圓代工封裝臺(tái)積電 FAB
臺(tái)積電晶圓15廠

臺(tái)積電晶圓15廠(Fab 15)位于中科，于2010年7月中正式動(dòng)土，晶圓15廠是繼晶圓14廠暌違多年后的重大建廠案，亦是臺(tái)積電第3座12吋超大型晶圓廠，亦是第2座具有28奈米制程能力的晶圓廠。晶圓15廠第1期預(yù)計(jì)將于2011年

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2010-11-10

晶圓廠臺(tái)積電晶圓 FAB
臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn) 通過新臺(tái)幣812.6億元資本預(yù)算

晶圓代工龍頭臺(tái)積電積極擴(kuò)充產(chǎn)能，9日董事會(huì)通過約新臺(tái)幣812.6億元的資本預(yù)算，用以擴(kuò)充12吋制程、先進(jìn)制程與特殊制程產(chǎn)能，以及2011年逾8億美元的研發(fā)預(yù)算，并且也通過對(duì)歐洲子公司進(jìn)行增資。?臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀看

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2010-11-10

芯片封裝臺(tái)積電 FAB
臺(tái)積電通過18.8億美元資本支出

臺(tái)積電昨（9）日舉行季度例行性董事會(huì)，會(huì)中通過核準(zhǔn)約18.8億美元資本支出預(yù)算，將用來興建位于中科12吋晶圓廠Fab15的試產(chǎn)線，擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能，以及增加12吋晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP）等產(chǎn)能。此外，臺(tái)積電

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2010-11-10

芯片先進(jìn)制程臺(tái)積電 FAB
減碳成效出色　聯(lián)電Fab12A再度獲得行政院環(huán)保獎(jiǎng)

晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡(jiǎn)稱聯(lián)電)日前宣布，該公司晶圓廠 Fab12A 連續(xù)第二年獲得行政院環(huán)保署「中華民國(guó)企業(yè)環(huán)保獎(jiǎng)」，并獲環(huán)保署推薦，與其他產(chǎn)業(yè)之二家得獎(jiǎng)事業(yè)單位共同晉見總統(tǒng)。聯(lián)電是由副總廖木

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2010-11-08

聯(lián)電晶圓廠聯(lián)華電子 FAB
瑞薩年度預(yù)虧近10億決定繼續(xù)縮減開支

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，瑞薩電子有限公司日前公布了其年度收益預(yù)測(cè)及日方雇員的提前退休計(jì)劃。雖然沒有裁員的準(zhǔn)確數(shù)字，但瑞薩預(yù)計(jì)將在日本本部減少約1200人，這一計(jì)劃的費(fèi)用將在2011年3月31日財(cái)年結(jié)束后體現(xiàn)。預(yù)計(jì)瑞薩將對(duì)

半導(dǎo)體
2010-11-07

IBM 瑞薩電子晶圓廠 FAB
基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)阻礙GlobalFoundries新廠建設(shè)

2009年七月底正式破土動(dòng)工以來，GlobalFoundries位于美國(guó)紐約州的新晶圓廠Fab 2建設(shè)工作一直進(jìn)展順利，不過現(xiàn)在卻遭遇到了基礎(chǔ)設(shè)施上的阻攔，后續(xù)進(jìn)度極有可能被延期，如此一來必然對(duì)AMD等合作伙伴的未來新品發(fā)布計(jì)劃

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-11-07

AMD 晶圓廠 GLOBALFOUNDRIES FAB
GlobalFoundries紐約州新工廠遭基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)拖累？

2009年七月底正式破土動(dòng)工以來，GlobalFoundries位于美國(guó)紐約州的新晶圓廠Fab 2建設(shè)工作一直進(jìn)展順利，不過現(xiàn)在卻遭遇到了基礎(chǔ)設(shè)施上的阻攔，后續(xù)進(jìn)度極有可能被延期，如此一來必然對(duì)AMD等合作伙伴的未來新品發(fā)布計(jì)劃

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-11-05

AMD 晶圓廠 GLOBALFOUNDRIES FAB
歐瑞康推出ThinFab新產(chǎn)線硅薄膜電池效率創(chuàng)11.9%

硅薄膜設(shè)備大廠歐瑞康太陽能(Oerlikon)推出新生產(chǎn)線ThinFab，用于生產(chǎn)硅薄膜，該產(chǎn)線將實(shí)現(xiàn)每瓦0.50歐元的生產(chǎn)成本。另外歐瑞康太陽能與康寧(Corning)合作開發(fā)新Micromorph實(shí)驗(yàn)室，由美國(guó)國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)

半導(dǎo)體
2010-11-05

薄膜電池薄膜電池 FAB
硅品樂觀：半導(dǎo)體景氣隨時(shí)可能反轉(zhuǎn)向上

IC封測(cè)龍頭廠硅品董事長(zhǎng)林文伯認(rèn)為，半導(dǎo)體景氣在第四季以及明年第一季可能會(huì)比預(yù)期來的好，隨時(shí)都有反轉(zhuǎn)向上的可能，而明年也將呈現(xiàn)穩(wěn)定成長(zhǎng)，硅品的成長(zhǎng)幅度更將會(huì)優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。林文伯表示，根據(jù)國(guó)際Fabless大

智能硬件
2010-11-04

半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) FAB
瑞薩開支繼續(xù)縮減

瑞薩電子有限公司日前公布了其年度收益預(yù)測(cè)及日方雇員的提前退休計(jì)劃。雖然沒有裁員的準(zhǔn)確數(shù)字，但瑞薩預(yù)計(jì)將在日本本部減少約1200人，這一計(jì)劃的費(fèi)用將在2011年3月31日財(cái)年結(jié)束后體現(xiàn)。預(yù)計(jì)瑞薩將對(duì)該計(jì)劃支付總共7

消費(fèi)電子
2010-11-03

IBM 瑞薩電子晶圓廠 FAB

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FAB

英特爾18吋晶圓邁大步　臺(tái)積電新廠發(fā)展留彈性

臺(tái)積電擬100億美元投建Fab16晶圓廠

臺(tái)積電擬投建Fab 16晶圓廠

臺(tái)積電擬100億美元投建Fab 16晶圓廠

英特爾證實(shí)其18寸晶圓廠計(jì)畫

Fab產(chǎn)能擴(kuò)充重回正軌：年增長(zhǎng)8%

IC設(shè)計(jì)業(yè)：未來仍須著重提升內(nèi)功

朝鮮半島交鋒　臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖

國(guó)內(nèi)模擬IC廠面臨巨大壓力

臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn)　通過812.6億元資本預(yù)算

臺(tái)積電晶圓15廠

臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn) 通過新臺(tái)幣812.6億元資本預(yù)算

臺(tái)積電通過18.8億美元資本支出

減碳成效出色　聯(lián)電Fab12A再度獲得行政院環(huán)保獎(jiǎng)

瑞薩年度預(yù)虧近10億決定繼續(xù)縮減開支

基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)阻礙GlobalFoundries新廠建設(shè)

GlobalFoundries紐約州新工廠遭基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)拖累？

歐瑞康推出ThinFab新產(chǎn)線硅薄膜電池效率創(chuàng)11.9%

硅品樂觀：半導(dǎo)體景氣隨時(shí)可能反轉(zhuǎn)向上

瑞薩開支繼續(xù)縮減

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