FAIRCHILD

Fairchild 發(fā)布新型Motion-SPM器件

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其智能功率模塊 (SPM™) 產(chǎn)品系列，推出三款采用29mm x 12mm表面安裝 (SMD) 封裝的新型Motion-SPM™ 器件：FSB50325S (250V)、FSB50250S (500V) 和FSB50450S (500V)。

Fairchild 擴(kuò)充低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 擴(kuò)充其AEC-Q101認(rèn)證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。

Fairchild預(yù)計(jì)與Power Integrations訴訟終將勝訴

Power Integrations公司在飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild)專利侵權(quán)案中

美國(guó)加利福尼亞州圣何塞—2006年10月10日―用于功率轉(zhuǎn)換的高壓模擬集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者PowerIntegrations公司（以下簡(jiǎn)稱PI）今日宣布在飛兆半導(dǎo)體公司的專利侵權(quán)案中贏得陪審團(tuán)的初步裁決。陪審團(tuán)裁定飛兆半導(dǎo)體公司

Fairchild 推出DPAK SuperFET器件

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 開發(fā)出新的低導(dǎo)通阻抗600V SuperFET™ MOSFET器件系列，專為滿足最新的超纖小型鎮(zhèn)流器應(yīng)用的DPAK (TO-252) 器件需求而設(shè)計(jì)。

Fairchild 推出新型MicroFET MOSFET產(chǎn)品

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應(yīng)用.

Fairchild 推出新型MicroFET MOSFET產(chǎn)品

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應(yīng)用.

Fairchild 推出新型μSerDes產(chǎn)品

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 宣布推出基于 µSerDes™ 技術(shù)的重要強(qiáng)化產(chǎn)品FIN224AC。

Fairchild 發(fā)布新款uSerDes產(chǎn)品

Fairchild進(jìn)一步增強(qiáng)uSerDes技術(shù)，并推出新款uSerDes產(chǎn)品FIN224AC。

FAIRCHILD 推出1200V/15A NPT-Trench IGBT

Fairchild 新增50A/75A Motion-SPM 器件

Fairchild 增設(shè)模擬產(chǎn)品開發(fā)小組

Fairchild 推出全程高頻開關(guān)

飛兆半導(dǎo)體攜高功效產(chǎn)品參展IIC-China 2006

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)于第十一屆國(guó)際集成電路研討會(huì)暨展覽會(huì)(IIC-China 2006)上重點(diǎn)展示其功率產(chǎn)品系列和全球功率資源(Global Power Resource)設(shè)計(jì)中心。飛兆半導(dǎo)體將通過交互式演示和示范

Fairchild 的產(chǎn)品將符合"無鉛"要求