格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)近日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝,以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng),為迅速發(fā)展的移動(dòng)
日前,ARM方面表示,F(xiàn)D-SOI正在成為移動(dòng)芯片市場的一支“潛力股”。ARM公司執(zhí)行副總裁Pete Hutton告訴電子周刊的記者,“我發(fā)現(xiàn)一個(gè)非常有趣的事情:如果你比較看重低功耗和低成本,那么大部分人仍會(huì)
21ic訊 格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝,以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng),為迅