-
基于FD-SOI的FPGA芯片技術優(yōu)勢及應用
在當前的半導體技術領域中，F(xiàn)D-SOI(Fully Depleted Silicon-On-Insulator，全耗盡絕緣層上硅)技術以其獨特的優(yōu)勢備受關注。FPGA(Field Programmable Gate Array，現(xiàn)場可編程門陣列)作為一種可編程的集成電路，其靈活性和可配置性在多個領域得到了廣泛應用。當FD-SOI技術與FPGA相結合時，產(chǎn)生的基于FD-SOI的FPGA芯片不僅繼承了FPGA的靈活性和可配置性，還獲得了FD-SOI技術的諸多優(yōu)勢。本文將詳細探討基于FD-SOI的FPGA芯片的技術優(yōu)勢以及其在各領域的應用。
-
一億顆出貨量之后，F(xiàn)D-SOI還要翻越哪些山丘？
“到2019年底，我們將出貨一億顆FD-SOI芯片！” 在由芯原微電子主辦的第七屆上海FD-SOI論壇上，格芯中國區(qū)總裁、全球高級副總裁Americo Lemos，一字一頓地把這句話重復了兩遍。
-
FinFETs + FD-SOI 方案：可以更節(jié)省電力
俄勒岡州波特蘭市——按照我們許多人認為的典型的非黑即白/非此即彼的方式，大多數(shù)半導體制造商做出的選擇是 FinFET(鰭式場效應晶體管)或 FD-SOI(完全耗盡的絕緣體上硅)。然而，由于臺積電 (TSMC)、GlobalFoundries Inc. (加利福尼亞州圣克拉拉市) 和三星 (韓國首爾) 等代工廠必須為其客戶提供這兩種能力，因此越來越多的半導體制造商正在考慮提供兩全其美。
-
意法半導體和格芯將在法國新建12英寸晶圓廠，推進 FD-SOI 生態(tài)系統(tǒng)建設
隨著世界經(jīng)濟向數(shù)字化和脫碳轉型，新的高產(chǎn)能聯(lián)營晶圓廠將更好滿足歐洲和全球客戶需求
-
ST-Ericsson推出28nm FD-SOI制程多模LTE手機平臺
意法愛立信（ST-Ericsson），推出高整合度 LTE 智慧型手機平臺 NovaThor L8580 ModAp ，是一款支持LTE多模的智慧型手機平臺，它整合了全套的無線連結（conn
-
半導體制程到了十字路口 對物聯(lián)網(wǎng)應用是好消息
半導體產(chǎn)業(yè)來到了一個十字路口：有些設計追求微縮至7納米節(jié)點制程，但大多數(shù)設計其實還停留在28納米或更舊的節(jié)點。 就如同我們在兩年多以前所預測，IC產(chǎn)業(yè)正分頭發(fā)展，只有少數(shù)產(chǎn)品積極
-
從5G、物聯(lián)網(wǎng)到汽車，今明兩年，F(xiàn)D-SOI應用或迎來騰飛拐點
“FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec全球業(yè)務部高級執(zhí)行副總裁Bernard ASPAR在SEMICON China期間的Soitec新聞發(fā)布會上表示。
-
22nm FD-SOI工藝eMRAM年內量產(chǎn)，采用相關芯片的終端明年面世
格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產(chǎn)。
-
讓FPGA兼具高性能、低功耗，為何要用28 nm FD-SOI？
28 nm FD-SOI究竟有何神奇之處？
-
萊迪思宣布推出全新低功耗FPGA技術平臺
萊迪思Nexus技術平臺采用三星代工廠28 nm FD-SOI工藝，提供解決方案、架構和電路層面的創(chuàng)新，實現(xiàn)低功耗網(wǎng)絡邊緣應用
-
芯原面向邊緣AI和物聯(lián)網(wǎng)應用推出基于格芯22FDX工藝的FD-SOI設計IP平臺
?中國上海，2019年10月24日——芯片設計平臺即服務(SiPaaS?)公司芯原今天宣布推出基于GLOBALFOUNDRIES?(格芯?)22FDX?平臺的全面FD-SOI設計IP平臺，以及30多個IP。
-
瑞芯微陳鋒：FD-SOI工藝適合碎片化市場的需求
在2019年9月16日舉行的第七屆上海FD-SOI論壇上，瑞芯微電子高級副總裁陳鋒指出，由于AIoT市場是一個高度分散的市場，對于高性能，計算能力以及連接性能等方面都有著很高的要求。而這些需求都會給芯
-
瑞芯微陳鋒：FD-SOI工藝適合碎片化市場需求
在2019年9月16日舉行的第七屆上海FD-SOI論壇上，瑞芯微電子高級副總裁陳鋒指出，由于AIoT市場是一個高度分散的市場，對于高性能，計算能力以及連接性能等方面都有著很高的要求。而這些需求都會給芯
-
基于28nm FD-SOI技術的汽車級微控制器嵌入式PCM宏單元的研究
伴隨著汽車的不斷發(fā)展，汽車電子控制技術不斷發(fā)展。汽車微控制器正在挑戰(zhàn)嵌入式非易失性存儲器(e-NVM)的極限，主要體現(xiàn)在存儲單元面積、訪問時間和耐熱性能三個方面。
-
格芯與Soitec簽署多項長期SOI晶圓供應協(xié)議，滿足5G、物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心市場增長性需求
中國北京，2019年6月11日——格芯(GLOBALFOUNDRIES)與Soitec于近日宣布，已簽署了多項300mm絕緣硅(SOI)晶圓的長期供應協(xié)議。協(xié)議將確保SOI晶圓的大批量供應，以滿足格芯客戶針對射頻絕緣體上硅(RF-SOI)、全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)和硅光子技術這些差異化平臺不斷增長的需求。此批即期生效協(xié)議基于雙方現(xiàn)有的密切合作關系，將在未來幾年內確保最先進SOI晶圓的大批量生產(chǎn)。
-
Soitec 2019上半年財報強勁增長 FD-SOI技術迎來發(fā)展的春天
隨著FD-SOI技術在系統(tǒng)芯片(SoC)設備的設計中越發(fā)受到關注，Soitec的業(yè)務也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財務報表即可見一斑。
-
格芯宣布推出業(yè)內符合汽車標準的先進 FD-SOI工藝技術
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯今日宣布，其22nm FD-SOI (22FDX®)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內符合汽車標準的先進FD-SOI工藝技術，格芯的22FDX平臺融合全面的技術和設計實現(xiàn)能力，旨在提高汽車集成電路(IC)的性能和能效，同時仍然遵循嚴格的汽車安全和質量標準。
-
意法半導體公司選擇格芯22FDX®提升其FD-SOI平臺和技術領導力
格芯(GLOBALFOUNDRIES)與意法半導體公司(STMicroelectronics，NYSE：STM)于近日宣布，意法半導體公司選定格芯22納米FD-SOI(22FDX®)技術平臺，為其新一代工業(yè)和消費應用的處理器解決方案提供支持。
-
格芯推出22FDX FD-SOI 平臺嵌入式磁性隨機存儲器
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業(yè)界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
-
恩智浦想通過跨界處理器改動市場格局？
近年來，MCU領域一直保持著較高的景氣度，據(jù)IC Insights的市場研究報告中指出，2015年全球MCU市場產(chǎn)值達168億美元(比2014年增長5.6%)，出貨量達209億顆(比2014年提升12.4%)，而平均每顆售價則是0.81美元。而未來到2019年，MCU的銷售量仍維持逐年遞增(年復合成長率CAGR約為6%)、ASP逐年遞減的趨勢，但整體MCU市場規(guī)模仍是上揚的。
