支持寬溫并符合AEC Q100驗(yàn)證規(guī)范的非易失性內(nèi)存技術(shù) 富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出全新FRAM(鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器)解決方案---MB85RS128TY和MB85RS256TY,此為該
在前不久落下帷幕的深圳國(guó)際電子展現(xiàn)場(chǎng),聚集了大量專業(yè)觀眾的富士通展臺(tái)格外亮眼,而引發(fā)這場(chǎng)圍觀的“黑科技”之一就是已“上天入地”的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM)。
前些年隨著一部輕喜劇的播出,“查水表”一詞已被引申為調(diào)侃之語了。
富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出具業(yè)界最低運(yùn)行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。此FRAM產(chǎn)品采用I2C接口,能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V寬電源
富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出具業(yè)界最低運(yùn)行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。
富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出具業(yè)界最低運(yùn)行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。此FRAM產(chǎn)品采用I2C接口,能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V寬電源電壓運(yùn)行。此外,其平均電流極低,以3.4 MHz運(yùn)行時(shí)為170 μA;以1 MHz運(yùn)行時(shí)則為80 μA。
富士通電子元器件(上海)有限公司日前宣布,推出具業(yè)界最低運(yùn)行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。
如今,有多種存儲(chǔ)技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而,迄今為止還沒有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器(MCU)中閃存技術(shù)的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)者,直到FRAM的出現(xiàn)這種情況
在計(jì)量?jī)x表行業(yè),水表/氣表目前仍是不同于電表的一個(gè)“藍(lán)海”市場(chǎng),對(duì)成本的敏感度遠(yuǎn)低于對(duì)功耗的敏感度,正是因?yàn)檫@一特點(diǎn),使得FRAM這一無電池存儲(chǔ)技術(shù)在無論是
鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起,從而豐富了RFID應(yīng)用。概述到目前為止,富士通
在計(jì)量?jī)x表行業(yè),水表/氣表目前仍是不同于電表的一個(gè)“藍(lán)海”市場(chǎng),對(duì)成本的敏感度遠(yuǎn)低于對(duì)功耗的敏感度,正是因?yàn)檫@一特點(diǎn),使得FRAM這一無電池存儲(chǔ)技術(shù)在無論是通信單元(中繼)還是計(jì)量單元都得到越來越多
VRS51L3074是Ramtron公司生產(chǎn)的一款運(yùn)行速度可達(dá)40MIPS的單周期8051微處理器。VRS51L3074的存儲(chǔ)器子系統(tǒng)具有 64 KB的Flash、4 352字節(jié)的內(nèi)部SRAM,以及眾多的外設(shè)接口。V
海灘風(fēng)力不足對(duì)于我們大多數(shù)人而言并沒有太大影響,但對(duì)于風(fēng)箏沖浪者,這意味著前往海灘將一無所獲。 但借助于記錄和傳輸實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的 GSM 氣象站,訪問 THEWINDOP.com 的一些風(fēng)箏沖浪愛好者將不再無功而返。 THEWIN
在海量的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)非常廣泛應(yīng)用、云存儲(chǔ)正在盛行的今天,還有一種KB、MB量級(jí)的存儲(chǔ)技術(shù)大賣,并且在物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、消費(fèi)電子、工業(yè)電子……幾乎所有的行業(yè)中無處不在......
鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起,從而豐富了RFID應(yīng)用。概述到目前為止,富士通
在剛剛結(jié)束的2015慕尼黑上海電子展上,富士通半導(dǎo)體攜最新產(chǎn)品精彩亮相,本次展會(huì)富士通半導(dǎo)體不僅展示了其最引以為豪的FRAM產(chǎn)品,也展示了其合資公司索喜科技(Socionext)的重點(diǎn)產(chǎn)品。富士通半導(dǎo)體展臺(tái)在參觀完富士通
近五年之內(nèi),一些新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現(xiàn),但達(dá)到出色市場(chǎng)量產(chǎn)業(yè)績(jī)的只有FRAM。那么現(xiàn)如今FRAM在中國(guó)的應(yīng)用進(jìn)展如何?在哪些更多的應(yīng)用
“和目前常用的EEPROM RFID相比,F(xiàn)RAM RFID的容量會(huì)更大。市面上比較多的RFID產(chǎn)品都是128b或是512b,而客戶有往里面存儲(chǔ)更多信息的需求.”蔡振宇表示。 圖6. FRAM RFID創(chuàng)新應(yīng)用FRAM RFID的讀寫次數(shù)是101
選用存儲(chǔ)器時(shí)主要考慮的指標(biāo)包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲(chǔ)容量等。FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性,以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達(dá)1014次)和抗輻射特性,非常適合許
上海,2012年10月16日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布,推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。至今為止,富士通V系列FRAM產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋了4Kbit,16Kbit,64Kb