美光在最新的一份研究報(bào)告中表示自家的GDDR6顯存最高可以達(dá)到20Gb/s,這主要得益于美光出色的技術(shù)以及不斷改良的I/O通道,而根據(jù)內(nèi)存組織JEDEC所提供的推薦標(biāo)準(zhǔn),GDDR6顯存只要達(dá)到14Gb/s就屬于合格,之前美光的GDDR6顯存最高可以達(dá)到16.5Gb/s,當(dāng)然和加電壓版本的超頻版不同的是,節(jié)能版GDDR6顯存最高則為16GB/s。
領(lǐng)先的內(nèi)存和存儲(chǔ)供應(yīng)商美光科技有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布將與 Rambus Inc.、Northwest Logic 和 Avery Design 合作,為當(dāng)今世上最快的離散存儲(chǔ)GDDR6推出全面的解決方案。這款史無前例的解決方案將讓 GDDR6 能夠應(yīng)用于高級(jí)應(yīng)用,例如高性能網(wǎng)絡(luò)、自動(dòng)駕駛車輛、人工智能和 5G 基礎(chǔ)設(shè)施。
三星電子近日宣布,開始量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款16Gb(2GB)容量的GDDR6顯存芯片。參數(shù)方面,三星表示,GDDR6的單芯片容量是上一代20nm GDDR5的兩倍、速度也是兩倍。
今晨,美光在官方博客發(fā)布技術(shù)文章,表示GDDR6顯存已經(jīng)完成所有的設(shè)計(jì)工作并通過了內(nèi)部驗(yàn)證,首發(fā)的分別是針腳帶寬12Gbps和14Gbps的芯片。
業(yè)界最早討論GDDR6顯存可以追溯到2012年,當(dāng)時(shí)的說法是2014年就將啟動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)制定,但GDDR5之后A/N兩家先后用上了HBM和GDDR5X,也不見GDDR6的蹤影。據(jù)外媒報(bào)道,繼三星之后,美光也談及了自己未來的存儲(chǔ)規(guī)劃,其中就涉及GDDR6顯存。美光計(jì)劃今年底將GDDR5的制程工藝從20nm推進(jìn)到1Xnm,預(yù)計(jì)是16nm。同時(shí),他們表示G5X顯存的需求將迎來增長,考慮到市面僅GTX 1080/TITAN X/Tesla P40在用,不知道是否是暗示1080 Ti以及RX 500顯卡將會(huì)采用。
三星公開討論了后GDDR5時(shí)代的顯卡存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn),提出新一代顯卡存儲(chǔ)器速率在14-16Gbps,電壓1.35V,簡單來說就是在保持時(shí)鐘頻率1.75GHz的情況下,將數(shù)據(jù)頻率至少翻倍。