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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路研究
引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
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CPLD在IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，變頻調(diào)速裝置的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。如何打破國(guó)外產(chǎn)品的壟斷，已成為一個(gè)嚴(yán)肅的課題擺在我國(guó)工程技術(shù)人員的面前。 在某型號(hào)大功率變頻調(diào)速裝置中，由于裝置的尺寸較大，考慮到結(jié)構(gòu)
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路研究
1 引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究
介紹有源電力濾波器設(shè)計(jì)中EXB84l型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)原理和電路特點(diǎn)，對(duì)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻進(jìn)行了探討，給出過(guò)流保護(hù)和過(guò)壓吸收的有效辦法。樣機(jī)試運(yùn)行證明此種設(shè)計(jì)方案可靠、有效。
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究
介紹有源電力濾波器設(shè)計(jì)中EXB84l型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)原理和電路特點(diǎn)，對(duì)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻進(jìn)行了探討，給出過(guò)流保護(hù)和過(guò)壓吸收的有效辦法。樣機(jī)試運(yùn)行證明此種設(shè)計(jì)方案可靠、有效。
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究
介紹有源電力濾波器設(shè)計(jì)中EXB84l型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)原理和電路特點(diǎn)，對(duì)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻進(jìn)行了探討，給出過(guò)流保護(hù)和過(guò)壓吸收的有效辦法。樣機(jī)試運(yùn)行證明此種設(shè)計(jì)方案可靠、有效。
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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404應(yīng)用及改進(jìn)
介紹了IXYS公司大功率IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404的特點(diǎn)及性能，并在此基礎(chǔ)上，根據(jù)IGBT驅(qū)動(dòng)的實(shí)際要求，設(shè)計(jì)出了一種具有過(guò)流保護(hù)及慢關(guān)斷功能的簡(jiǎn)單有效的驅(qū)動(dòng)電路，給出了實(shí)際電路圖和驅(qū)動(dòng)波形。
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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404應(yīng)用及改進(jìn)
介紹了IXYS公司大功率IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404的特點(diǎn)及性能，并在此基礎(chǔ)上，根據(jù)IGBT驅(qū)動(dòng)的實(shí)際要求，設(shè)計(jì)出了一種具有過(guò)流保護(hù)及慢關(guān)斷功能的簡(jiǎn)單有效的驅(qū)動(dòng)電路，給出了實(shí)際電路圖和驅(qū)動(dòng)波形。
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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404應(yīng)用及改進(jìn)
介紹了IXYS公司大功率IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404的特點(diǎn)及性能，并在此基礎(chǔ)上，根據(jù)IGBT驅(qū)動(dòng)的實(shí)際要求，設(shè)計(jì)出了一種具有過(guò)流保護(hù)及慢關(guān)斷功能的簡(jiǎn)單有效的驅(qū)動(dòng)電路，給出了實(shí)際電路圖和驅(qū)動(dòng)波形。
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