引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件,它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性,又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
隨著國民經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展,變頻調(diào)速裝置的應(yīng)用越來越廣泛。如何打破國外產(chǎn)品的壟斷,已成為一個嚴(yán)肅的課題擺在我國工程技術(shù)人員的面前。 在某型號大功率變頻調(diào)速裝置中,由于裝置的尺寸較大,考慮到結(jié)構(gòu)
1 引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件,它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性,又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的
介紹有源電力濾波器設(shè)計中EXB84l型絕緣柵場效應(yīng)晶體管(IGBT)驅(qū)動器的驅(qū)動原理和電路特點,對IGBT的柵極驅(qū)動特性、柵極串聯(lián)電阻進(jìn)行了探討,給出過流保護(hù)和過壓吸收的有效辦法。樣機(jī)試運(yùn)行證明此種設(shè)計方案可靠、有效。
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介紹了IXYS公司大功率IGBT驅(qū)動芯片IXDN404的特點及性能,并在此基礎(chǔ)上,根據(jù)IGBT驅(qū)動的實際要求,設(shè)計出了一種具有過流保護(hù)及慢關(guān)斷功能的簡單有效的驅(qū)動電路,給出了實際電路圖和驅(qū)動波形。
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介紹了IXYS公司大功率IGBT驅(qū)動芯片IXDN404的特點及性能,并在此基礎(chǔ)上,根據(jù)IGBT驅(qū)動的實際要求,設(shè)計出了一種具有過流保護(hù)及慢關(guān)斷功能的簡單有效的驅(qū)動電路,給出了實際電路圖和驅(qū)動波形。