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英國Plessey宣布開發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED
日前，英國Micro LED公司Plessey發(fā)布新聞稿稱，宣布開發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED。 盡管InGaN基藍(lán)光和綠光LED都已商用量產(chǎn)，但紅光LED通?；贏lInGa
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白光LED存在哪一些種類
白光 LED 的開發(fā) 對于一般照明而言，人們更需要白色的光源。1998年發(fā)白光的LED開發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石（YAG）封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍(lán)光（λp=46
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什么是硅基InGaN紅光LED？
現(xiàn)在大街上隨處可見的LED顯示屏，還有裝飾用的LED彩燈以及LED車燈，處處可見LED燈的身影，LED已經(jīng)融入到生活中的每一個(gè)角落。日前，英國Micro LED公司Plessey發(fā)布新聞稿稱，宣布開發(fā)出世界上首 個(gè)硅基InGaN紅光LED。
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硅襯底InGaN基半導(dǎo)體激光器是個(gè)啥？
在硅襯底上成功生長了厚度達(dá)到6 μm左右的InGaN基激光器結(jié)構(gòu)，位錯(cuò)密度小于6×108 cm-2，成功實(shí)現(xiàn)了世界上首個(gè)室溫連續(xù)電注入條件下激射的硅襯底InGaN基激光器，激射波長為413 nm，閾值電流密度為4.7 kA/cm2。
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Vishay新款帶硅樹脂透鏡陶瓷基底高功率UV LED具有超長使用壽命
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出一顆新的VLMU35xx系列陶瓷基底高功率UV LED器件---VLMU3510-365-130，帶有硅樹脂透鏡，波長在365nm范圍內(nèi)。Vishay Semiconductors VLMU3510-365-1
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關(guān)于 UV LED 殺菌：你不知道的那些事！
紫外線消毒屬于物理消毒方法，紫外線并不能直接殺死微生物，而是通過破壞微生物的繁殖能力進(jìn)行滅活。微生物受到紫外線的照射時(shí)，其遺傳物質(zhì)核酸DNA和RNA大量吸取紫外線的能
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首爾半導(dǎo)體公布其對 InGaN 系 LED 專利的立場
【導(dǎo)讀】首爾半導(dǎo)體，InGaN 系 LED 專利的立場 首爾半導(dǎo)體日前宣布，美國得克薩斯法院經(jīng)審議決定，活性層使用 InGaN 的 LED 在銦的結(jié)構(gòu)特性方面屬于首爾半導(dǎo)體的專利。InGaN 是組成白、藍(lán)、綠色和紫外光 LED 活躍層的
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韓研究薄化LED襯底 有效提升綠光LED光效
韓國與埃及研究人員采用晶圓薄化技術(shù)以提升氮化物半導(dǎo)體綠光LED的效率。參與組織包括韓國全南國立大學(xué)、埃及貝尼蘇韋夫大學(xué)以及韓國光子技術(shù)研究院。 薄化的功效是為了減少氮化物半導(dǎo)體架構(gòu)中的殘余壓
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薄化氮化物L(fēng)ED襯底可提升綠光LED光效
21ic訊 韓國與埃及研究人員采用晶圓薄化(thinning)技術(shù)以提升氮化物半導(dǎo)體綠光LED的效率。參與組織包括韓國全南國立大學(xué)、埃及貝尼蘇韋夫大學(xué)以及韓國光子技術(shù)研究院。薄化的功效是為了減少氮化物半導(dǎo)體
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日本在InGaN中形成量子點(diǎn)，為利用所有波長太陽光開辟道路
日本物質(zhì)與材料研究機(jī)構(gòu)2013年12月6日宣布，通過在太陽能電池材料氮化銦鎵（InGaN）中形成多重量子點(diǎn)（中間帶），成功利用了波長為450～750nm的太陽光。InGaN以前只能利用波長更短的太陽光，很難利用這一范圍。據(jù)該研
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“全球半導(dǎo)體照明突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”揭曉 中村修二、曹健林等入選
國際半導(dǎo)體聯(lián)盟(ISA)組織評選的“全球半導(dǎo)體照明突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”結(jié)果近期揭曉，中村修二教授、尼克·何倫亞克教授、鄧青云教授、馬格努斯·喬治·克勞福德博士、曹健林博士入選首屆獲獎(jiǎng)人。 在11月11日下午舉行的全球半
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劉志強(qiáng)：低維結(jié)構(gòu)—GaN LED的潛在發(fā)展趨勢
極值發(fā)光效率的解決方案在哪里?我們距離發(fā)光極限(400lm/W )還有多遠(yuǎn)? 11月10日下午，CHINASSL2013材料與裝備技術(shù)分會(huì)首位發(fā)言人，中科院半導(dǎo)體研究所照明中心副研究員劉志強(qiáng)在介紹《低維結(jié)構(gòu)—GaN LED的潛在發(fā)展趨勢
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臺灣璨圓光電將“出戰(zhàn)”揚(yáng)州LED照明展
21ic訊 2014第三屆中國（揚(yáng)州）LED照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)展覽會(huì)，將于2014年3月28-30日在揚(yáng)州國際展覽中心舉辦。本展會(huì)由揚(yáng)州市科技局指導(dǎo)，揚(yáng)州路燈產(chǎn)業(yè)商會(huì)、北京勵(lì)展北方展覽有限公司聯(lián)合舉辦的，本展會(huì)充分提供商
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臺灣璨圓光電股份有限公司報(bào)名參加2014揚(yáng)州LED照明展
2014第三屆中國（揚(yáng)州）LED照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)展覽會(huì),將于2014年3月28-30日在揚(yáng)州國際展覽中心舉辦。本展會(huì)由揚(yáng)州市科技局指導(dǎo)，揚(yáng)州路燈產(chǎn)業(yè)商會(huì)、北京勵(lì)展北方展覽有限公司聯(lián)合舉辦的,本展會(huì)充分提供商業(yè)機(jī)遇以及讓參觀者
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白光LED的發(fā)光原理簡介
1998年發(fā)白光的LED開發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石（YAG）封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍(lán)光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍(lán)光L
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分享：探索白光LED劣化原因
最近幾年全球各國對環(huán)保、省能源等能源議題越來越關(guān)心，因此間接牽動(dòng)這些領(lǐng)域的投資與技術(shù)開發(fā)，在這之中又以太陽電池、鋰離子電池、SiC功率晶體管、白光LED最受注目，一般認(rèn)為上述計(jì)劃在國家規(guī)模的支持下，今后可望
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分享：探索白光LED劣化原因
最近幾年全球各國對環(huán)保、省能源等能源議題越來越關(guān)心，因此間接牽動(dòng)這些領(lǐng)域的投資與技術(shù)開發(fā)，在這之中又以太陽電池、鋰離子電池、SiC功率晶體管、白光LED最受注目，一般認(rèn)為上述計(jì)劃在國家規(guī)模的支持下，今后可望
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白光LED的發(fā)光原理
1998年發(fā)白光的LED開發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石（YAG）封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍(lán)光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍(lán)光L
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白光LED的發(fā)光原理
1998年發(fā)白光的LED開發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石（YAG）封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍(lán)光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍(lán)光L
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InGaN-on-Si長波LED設(shè)備首次被證實(shí)
位于美國亞利桑那州鳳凰城的玫瑰街實(shí)驗(yàn)室是一家產(chǎn)品和服務(wù)供應(yīng)商，為私人所有，服務(wù)于可再生能源和半導(dǎo)體市場。它宣稱第一個(gè)證實(shí)了基于硅片可以生產(chǎn)長波LED設(shè)備，其相比于傳統(tǒng)藍(lán)寶石或碳化硅襯底具有很大的成本優(yōu)勢。
潛力變實(shí)力
w32m
快意恩仇
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zyx818102
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gaofei207
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太陽系的天體
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