德國歐司朗光電半導(dǎo)體(OSRAM Opto Semiconductors)宣布,該公司將促進(jìn)位于馬來西亞檳城(Penang)和德國雷根斯堡(Regensburg)的InGaN類LED芯片生產(chǎn)線的6英寸化,擴(kuò)充led的生產(chǎn)能力。由此,到2012年底之前,白色L
據(jù)日媒報(bào)道,日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO(氧化鋅)類紫外LED的發(fā)光強(qiáng)度提高到了100μW,為原來產(chǎn)品的1萬倍,是InGaN與GaN類紫外LED的約110倍。 據(jù)研究小組介紹,制造LED元件時(shí)采用了MBE(分子束外延)法,并開發(fā)出了不使用
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款新型白光、無散射的3mm LED --- VLHW4100,該LED針對(duì)高端應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,可滿足應(yīng)用對(duì)極高發(fā)光強(qiáng)度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技術(shù),在20mA電流下的發(fā)光強(qiáng)度為
據(jù)AIXTRON報(bào)道,宣布收到來自上海藍(lán)光新的MOCVD設(shè)備訂單,四套配置是CRIUS? 31x2英寸 MOCVD,用于生產(chǎn)高亮GaN LED。據(jù)悉,該批設(shè)備將于Q3'10在上海的工廠完成交貨。據(jù)該公司負(fù)責(zé)人Wendy Liu表示,他們已開始增加GaN基
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款新型白光、無散射的3mm LED --- VLHW4100,該LED針對(duì)高端應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,可滿足應(yīng)用對(duì)極高發(fā)光強(qiáng)度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技術(shù),在20mA電流下的發(fā)光強(qiáng)度為
歐司朗光電半導(dǎo)體成功研發(fā)直接發(fā)光綠色氮化銦鎵(InGaN) 激光,標(biāo)志著實(shí)驗(yàn)室研究取得重大突破。該款激光的光輸出高達(dá) 50 mW,發(fā)射波長(zhǎng)為 515 nm 的真綠光線。與目前采用倍頻技術(shù)的半導(dǎo)體激光相比,直接發(fā)
1998年發(fā)白光的LED開發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石(YAG)封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍(lán)光(λp=465nm,Wd=30nm),高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射,峰值550nm。藍(lán)光LED基片
1998年發(fā)白光的LED開發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石(YAG)封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍(lán)光(λp=465nm,Wd=30nm),高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射,峰值550nm。藍(lán)光LED基片
首爾半導(dǎo)體日前宣布,美國得克薩斯法院經(jīng)審議決定,活性層使用 InGaN 的 LED 在銦的結(jié)構(gòu)特性方面屬于首爾半導(dǎo)體的專利。InGaN 是組成白、藍(lán)、綠色和紫外光 LED 活躍層的必要物質(zhì)。作為上述美國得克薩斯法院審判對(duì)象的
首爾半導(dǎo)體日前宣布,美國得克薩斯法院經(jīng)審議決定,活性層使用 InGaN 的 LED 在銦的結(jié)構(gòu)特性方面屬于首爾半導(dǎo)體的專利。InGaN 是組成白、藍(lán)、綠色和紫外光 LED 活躍層的必要物質(zhì)。作為上述美國得克薩斯法院審判對(duì)象的
LED顯示屏從何而來? 早在1923年,羅塞夫(Lossen.o.w)在研究半導(dǎo)體SIC時(shí)有雜質(zhì)的P-N結(jié)中有光發(fā)射,研究出的發(fā)光二極管(LED:Light Emitting Diode)一直都沒受到過重視。隨著電子工業(yè)快速的發(fā)展,尤其是在60年代期間,