3月22日消息,比利時(shí)微電子研究中心(imec)氮化鎵電力電子研究計(jì)劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平臺(tái)上,整合高性能肖特基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管(HEMT)的成功案例。該平臺(tái)以P型氮化鎵(GaN)HEMT制成,此次研發(fā)成功整合多個(gè)GaN元件,將能協(xié)助新一代芯片擴(kuò)充功能與升級(jí)性能,推進(jìn)GaN功率IC的全新發(fā)展。同時(shí)提供DC/DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器所需的開發(fā)動(dòng)能,進(jìn)一步縮小元件尺寸與提高運(yùn)作效率。
現(xiàn)在高性能的處理器越來越復(fù)雜,工藝也先進(jìn),但在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,有些芯片需要更低的功耗,IMEC比利時(shí)微電子中心今天宣布聯(lián)合多家合作伙伴造出了0.8um的IGZO銦鎵鋅氧化物晶體管技術(shù)的8位處理器,功耗可低至0.01W。與硅基CMOS工藝的芯片相比,薄膜晶體管技術(shù)的芯片具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),包括低成本、輕薄、柔性、可彎曲等等,更適合物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,比如RFID射頻標(biāo)簽、健康傳感器等等,還可以作為顯示器的驅(qū)動(dòng)芯片。
當(dāng)前,量產(chǎn)的晶體管已經(jīng)進(jìn)入4nm尺度,3nm研發(fā)也已經(jīng)凍結(jié)進(jìn)入試產(chǎn)。半導(dǎo)體行業(yè)大腦imec(比利時(shí)微電子研究中心)公布了未來十年的技術(shù)藍(lán)圖。據(jù)悉,2025年后,晶體管微縮化進(jìn)入埃米尺度(?,angstrom,1埃 = 0.1納米)
在2020年國際互連技術(shù)大會(huì)上,imec首次展示了采用釕金屬(Ru),具備電氣功能的雙金屬層級(jí)結(jié)構(gòu)(2-metal-level)互連技術(shù)。該金屬是使用特殊的半鑲嵌和氣溝(Air Gap)技術(shù)生產(chǎn),具有更好的使用壽命和更佳的物理強(qiáng)度(mechanical strength)。
高盛6月底最新發(fā)布的分析報(bào)告顯示,全球運(yùn)營商正在加速采用TD-LTE技術(shù),在亞洲,到2013年TD-LTE將覆蓋中國、印度和日本的27億人口,這些市場(chǎng)的巨大潛力會(huì)進(jìn)一步
什么是IMEC 對(duì)晶圓級(jí)封裝?它有什么作用?IMEC提出了一種可滿足更高密度,更高帶寬的芯片到芯片連接需求的扇形晶圓級(jí)封裝的新方法。IMEC的高級(jí)研發(fā)工程師Arnita Podpod和IMEC Fellow及3D系統(tǒng)集成計(jì)劃的項(xiàng)目總監(jiān)Eric Beyne介紹了該技術(shù),討論了主要的挑戰(zhàn)和價(jià)值,并列出了潛在的應(yīng)用。
隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn),2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了,這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個(gè)里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn),目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有達(dá)
面積能大幅縮小的原因就在于使用了新的晶體管結(jié)構(gòu),Unisantis與IMEC使用的是前者開發(fā)的垂直型環(huán)繞柵極(Surrounding Gate Transistor,簡(jiǎn)稱SGT)結(jié)構(gòu),最小柵極距只有50nm。研究表明,與水平型GAA晶體管相比,垂直型SGT單元GAA晶體管面積能夠縮小20-30%,同時(shí)在工作電壓、漏電流及穩(wěn)定性上表現(xiàn)更佳。
全球領(lǐng)先的納米電子與數(shù)字技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新中心 imec 與楷登電子(美國 Cadence 公司)今日聯(lián)合宣布,得益于雙方的長期深入合作,業(yè)界首款 3nm 測(cè)試芯片成功流片。
歐洲微電子研究中心(IMEC)的研究人員最近成功研發(fā)了一款可以作曲的芯片,這款仿神經(jīng)芯片雖然還處于原型產(chǎn)品階段,但已經(jīng)可以通過分析歌曲中的模式學(xué)會(huì)了譜曲的規(guī)則。聽過某