MOS晶體管

晶體管具備哪些優(yōu)勢(shì)?我們?nèi)绾闻袆e晶體管?

本文中，小編將對(duì)晶體管予以介紹，主要在于介紹晶體管的優(yōu)越性、MOS晶體管的相關(guān)內(nèi)容以及晶體管的判別和計(jì)算。

值得學(xué)習(xí)的電源適配器的過(guò)熱保護(hù)，你知道嗎？

隨著社會(huì)的快速發(fā)展，我們的電源適配器也在快速發(fā)展，那么你知道電源適配器的詳細(xì)資料解析嗎?接下來(lái)讓小編帶領(lǐng)大家來(lái)詳細(xì)地了解有關(guān)的知識(shí)。

艾邁斯半導(dǎo)體推出可拓展的高壓CMOS晶體管

艾邁斯半導(dǎo)體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35μm高壓CMOS專業(yè)制程平臺(tái)?；谠摳邏褐瞥唐脚_(tái)的先進(jìn)“H35”制程工藝，使艾邁斯半導(dǎo)體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設(shè)備性能的電壓可拓展的晶體管。

安捷倫在華成立CMOS晶體管建模中心

【導(dǎo)讀】安捷倫在華成立CMOS晶體管建模中心 美國(guó)安捷倫科技宣布，將擴(kuò)大對(duì)該公司元件建模軟件“IC-CAP（Integrated Circuit Characterization and Analysis Program）”的投資規(guī)模（發(fā)布資料）。 具體來(lái)

一款高精度基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)方案

隨著深亞微米CMOS工藝的發(fā)展，尺寸按比例不斷縮小，對(duì)芯片面積的挑戰(zhàn)越來(lái)越嚴(yán)重，雙極型晶體管以及高精度電阻所占用的面積則成為一個(gè)非常嚴(yán)重的問(wèn)題。鑒于此，本文提出了一款高精度的基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)方案，經(jīng)證實(shí)，該電路具備占用芯片面積小，精度高，可移植性強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)特性。

采用CMOS晶體管對(duì)的非穩(wěn)態(tài)電路圖

CA3600E陣列的一個(gè)晶體管對(duì)和CA3080運(yùn)算倒轉(zhuǎn)放大器連用可為方波提供精確的定時(shí)和閥值。典型的靜態(tài)功耗是6mW。

超聲波接收器電路圖

圖中示出高靈敏的接收器電路。從超聲波話筒UW接收的信號(hào)經(jīng)過(guò)集成電路NE542V放大約1000倍。其輸出經(jīng)二極管VD1和VD2整流成直流，最后通過(guò)VMOS晶體管控制繼電器動(dòng)作。VMOS晶體管輸出電流可達(dá)2A.因此可以帶動(dòng)很大的負(fù)載，

用PMOS晶體管作為調(diào)整管的充電電路

用PMOS晶體管作為調(diào)整管的充電電路

運(yùn)放中“軌至軌”運(yùn)行真正含義是什么？

有關(guān)單電源運(yùn)放的一個(gè)熱門討論話題是：它們是否能夠做軌至軌的輸入或輸出運(yùn)行。單電源運(yùn)放的供應(yīng)商都聲稱自己的放大器有軌至軌輸入能力，但芯片設(shè)計(jì)者必須做出某些折衷，才能實(shí)現(xiàn)這類性能。 圖1 這個(gè)運(yùn)放的組合

SIPMOS晶體管互補(bǔ)達(dá)林頓控制電路

SIPMOS晶體管互補(bǔ)達(dá)林頓控制電路

SIPMOS晶體管推挽控制電路

SIPMOS晶體管推挽控制電路

采用VMOS晶體管的移相信號(hào)發(fā)生器電路

采用VMOS晶體管的晶振電路

英飛凌推出射頻功率LDMOS晶體管

21ic訊 英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管?；谌碌?0V LDMOS工藝技術(shù)，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的高功率密度和稱雄業(yè)界的可靠

最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測(cè)試及應(yīng)用類型

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，這種產(chǎn)品

最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測(cè)試及應(yīng)用類型

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，這種產(chǎn)品

采用MOS時(shí)基電路和功率MOS晶體管的超聲波發(fā)射器電路

飛思卡爾推出RF功率LDMOS晶體管

飛思卡爾半導(dǎo)體宣布推出RF功率LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競(jìng)爭(zhēng)器件中最強(qiáng)的耐用性，專門面向UHF廣播電視應(yīng)用而設(shè)計(jì)。作為飛思卡爾RF功率LDMOS晶體管系列的最新成員，MRFE6VP8600H與其