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英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容
【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應(yīng)用，如服務(wù)器、通信、便攜式充電器和無線充電器中開關(guān)電源（SMPS）里的同步整流等。此外，新產(chǎn)品在無人機(jī)中還可應(yīng)用于小型無刷電機(jī)的電子速度控制器等。
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極端溫度半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)電商，提供車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模塊等產(chǎn)品
7月，來自比利時(shí)的高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID正式與世強(qiáng)硬創(chuàng)電商簽署授權(quán)代理協(xié)議，授權(quán)其代理旗下智能功率模塊IPM、集成電路、分立器件等產(chǎn)品。
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美高森美新型30 kW三相Vienna PFC參考設(shè)計(jì)充分利用SiC二極管和MOSFET器件以提供高性能
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二極管和MOSFET器件的全新可擴(kuò)展30 kW三相Vienna功率因數(shù)校正(PFC)拓?fù)鋮⒖荚O(shè)計(jì)。這款可擴(kuò)展的用戶友好解決方案由美高森美與北卡羅萊納州立大學(xué)(NCSU)合作開發(fā)，非常適合快速電動(dòng)車(EV)充電和其它大功率汽車和工業(yè)應(yīng)用;此外，它亦可通過美高森美功能強(qiáng)大的SiC MOSFET和二極管，為客戶提供更高
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