它們的反向摻雜分布是主要區(qū)別:p 通道 MOSFET 依靠空穴作為多數(shù)電荷載流子,產(chǎn)生空穴電流,而 n 通道器件利用電子,產(chǎn)生電子電流。由于電子的遷移率較高,約為空穴的兩到三倍,因此在 p 通道器件中移動(dòng)空穴比在 n 通道器件中移動(dòng)電子更具挑戰(zhàn)性。
你知道提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET嗎?它有什么特點(diǎn)?2019年12月11日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件,專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無(wú)線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。
–進(jìn)一步擴(kuò)展U-MOS X-H功率MOSFET系列產(chǎn)品線–
21ic訊東芝公司旗下半導(dǎo)體與存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今日宣布面向直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)大容量電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和半導(dǎo)體繼電器等汽車應(yīng)用推出40V N溝道功率MOSFET。MOSFET產(chǎn)品陣容的最新產(chǎn)品“TKR74F04PB”出貨即日啟動(dòng)。