PCM
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膽機(jī)CS8412+PCM63經(jīng)典設(shè)計(模擬部分)電路圖
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膽機(jī)CS8412+PCM63經(jīng)典設(shè)計(電源部分)電路圖
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膽機(jī)cs8412+df1700+pcm58組合，廉價好聲的電路電路圖
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恒憶與英特爾推動可擴(kuò)展式大容量相變存儲產(chǎn)品的開發(fā)
國際電子商情訊 相變存儲(PCM)是一項結(jié)合了現(xiàn)今多種存儲產(chǎn)品類型的不同優(yōu)點的非易失性內(nèi)存技術(shù)，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 今天宣布雙方在該領(lǐng)域得研究中取得關(guān)鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片
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PCM2702與BH141 7的USB音頻發(fā)射系統(tǒng)
引 言 USB(Universal Serial Bus)即通用串行總線，是一種新型的數(shù)據(jù)通信技術(shù)。當(dāng)采用USB接口連接設(shè)備與計算機(jī)時，無需重新設(shè)置系統(tǒng)，也不必打開機(jī)殼來調(diào)整接口卡的指撥開關(guān)，計算機(jī)會自動識別接口設(shè)備，同時下
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基于TMS320C6713的多路CVSD語音編解碼
64 Kb／s的A律或μ律的對數(shù)壓擴(kuò)PCM編碼在大容量的光纖通信系統(tǒng)和數(shù)字微波系統(tǒng)中已得到廣泛應(yīng)用，但由于占用較大的傳輸帶寬和具有復(fù)雜的成幀結(jié)構(gòu)。連續(xù)可變斜率增量(Continuously Variable Slope Delta，CVSD)調(diào)
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基于TMS320C6713的多路CVSD語音編解碼
64 Kb／s的A律或μ律的對數(shù)壓擴(kuò)PCM編碼在大容量的光纖通信系統(tǒng)和數(shù)字微波系統(tǒng)中已得到廣泛應(yīng)用，但由于占用較大的傳輸帶寬和具有復(fù)雜的成幀結(jié)構(gòu)。連續(xù)可變斜率增量(Continuously Variable Slope Delta，CVSD)調(diào)
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相變存儲研究取得關(guān)鍵性突破
相變存儲 (PCM) 是一項結(jié)合了現(xiàn)今多種存儲產(chǎn)品類型的不同優(yōu)點的非易失性內(nèi)存技術(shù)，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 日前宣布雙方在該領(lǐng)域得研究中取得關(guān)鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM
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恒憶與英特爾在相變存儲技術(shù)上取得里程碑式成果
相變存儲 (PCM) 是一項結(jié)合了現(xiàn)今多種存儲產(chǎn)品類型的不同優(yōu)點的非易失性內(nèi)存技術(shù)，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 今天宣布雙方在該領(lǐng)域得研究中取得關(guān)鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM
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三星看好PCM內(nèi)存潛力 有望取代NAND和NOR閃存
三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動存儲形式. 多年來,半導(dǎo)體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內(nèi)存當(dāng)中包含有類似玻璃的材料,當(dāng)其中的原子重新排
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PCM才是閃存之后真正的下一代存儲器技術(shù)
目前市場上的存儲器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器（FeRAM）和新興的磁性存儲器（MRAM），那么MRAM會成為下一代存儲器嗎？有沒有可能未來市場上下一
