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Power Integrations與飛兆半導(dǎo)體酣戰(zhàn)專利權(quán)

Power Integrations與飛兆半導(dǎo)體酣戰(zhàn)專利權(quán)在美國(guó)地區(qū)法院陪審團(tuán)裁定關(guān)于PowerIntegrations侵犯飛兆半導(dǎo)體有關(guān)初級(jí)端調(diào)節(jié)技術(shù)的美國(guó)專利的指控成立后數(shù)天，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fa

CyberPower：使用 GeForce GTX 690 顯卡的定制游戲臺(tái)機(jī)

Diablo III 要來(lái)了，英偉達(dá) GeForce GTX 690 顯卡也出了，那干脆就配一臺(tái)新的臺(tái)機(jī)來(lái)爽一爽！什么？沒(méi)有好的方向？那不妨到 CyberPower 去瞧一瞧吧，他們?nèi)涨跋蝾櫩妥龀龀兄Z：現(xiàn)在開(kāi)始 CyberPower 旗下的 Fang III、Z

飛兆半導(dǎo)體3.3x3.3mm2 Power Clip非對(duì)稱雙MOSFET

隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高

飛兆半導(dǎo)體3.3x3.3mm2 Power Clip非對(duì)稱雙MOSFET

隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高

飛兆半導(dǎo)體推出3.3x3.3mm2 Power Clip非對(duì)稱雙MOSFET

21ic訊 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm

飛兆半導(dǎo)體推出3.3x3.3mm2 Power Clip非對(duì)稱雙MOSFET

21ic訊 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm

直流輸電對(duì)電網(wǎng)復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)特性的影響

0 引言隨著復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)理論研究的深入，人們對(duì)復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)特性認(rèn)識(shí)更加清晰。如無(wú)標(biāo)度(BA)網(wǎng)絡(luò)的冪律分布特性，小世界(Sw)網(wǎng)絡(luò)的高聚類系數(shù)和小的平均路徑特性[1]。不僅如此，還認(rèn)識(shí)到Sw網(wǎng)絡(luò)由于具有上述特性也被故障

Power Integrations被裁定侵犯飛兆專利權(quán)其提出新專利訴訟

在美國(guó)地區(qū)法院陪審團(tuán)裁定關(guān)于Power Integrations侵犯飛兆半導(dǎo)體有關(guān)初級(jí)端調(diào)節(jié)技術(shù)的美國(guó)專利的指控成立后數(shù)天，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor，簡(jiǎn)稱“飛兆半導(dǎo)體”

Power Integrations被裁定侵犯飛兆半導(dǎo)體專利權(quán)

在美國(guó)地區(qū)法院陪審團(tuán)裁定關(guān)于Power Integrations侵犯飛兆半導(dǎo)體有關(guān)初級(jí)端調(diào)節(jié)技術(shù)的美國(guó)專利的指控成立后數(shù)天，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor，簡(jiǎn)稱“飛兆半導(dǎo)體”

Power Integrations被裁定侵犯飛兆專利權(quán)其提出新專利訴訟

在美國(guó)地區(qū)法院陪審團(tuán)裁定關(guān)于Power Integrations侵犯飛兆半導(dǎo)體有關(guān)初級(jí)端調(diào)節(jié)技術(shù)的美國(guó)專利的指控成立后數(shù)天，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor，簡(jiǎn)稱“飛兆半導(dǎo)

自制可調(diào)穩(wěn)壓電源圖

可變直流穩(wěn)壓電源圖

對(duì)稱正負(fù)輸出跟蹤電源電路圖

γA723電路圖

M5230L典型應(yīng)用電路圖

LAS6351極性反接電路圖

LAS6351典型應(yīng)用電路圖

LAS16U,LAS19U典型應(yīng)用電路圖

50V懸浮穩(wěn)壓電源圖

Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET榮獲年度電子成就獎(jiǎng)

21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR®功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)。中國(guó)電子成就獎(jiǎng)的功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品年度獎(jiǎng)項(xiàng)授