長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào): X2-6070),已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量①。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
閃存是最常用器件之一,在諸如SSD等存儲(chǔ)設(shè)備中均存在閃存。但是,大家對(duì)閃存真的足夠了解嗎?為增進(jìn)大家對(duì)閃存的了解和認(rèn)識(shí),本文將對(duì)QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。
9月22日,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
在這篇文章中,小編將為大家?guī)?lái)第二代QLC閃存SSD 665p的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
在新季度財(cái)務(wù)電話會(huì)議期間,西部數(shù)據(jù)透露,已開(kāi)始出貨基于96層堆疊3D QLC閃存的產(chǎn)品,首批用于零售產(chǎn)品和移動(dòng)SSD。
最近逐漸有采用QLC顆粒的SSD面世,雖然其容量巨大,但是讓Cache緩存用完后很低的原始寫(xiě)入速度讓也與現(xiàn)在的采用TLC顆粒的SSD相去甚遠(yuǎn)。今天Intel正式公布了傲騰內(nèi)存H10系列,將3D Xpo
東芝公司也在FMS 2018會(huì)議上公布了他們?cè)?6層堆棧BiCS 4閃存技術(shù)的情況,指出其QLC閃存在1500次P/E循環(huán)之后依然沒(méi)有變化,憑借1.33Tb的核心容量,QLC閃存可以輕松作出85TB容量的U.2硬盤(pán)。
三星表示全新的QLC閃存被稱之為4-Bit QLC閃存,同時(shí)三星也表示已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)基于4-Bit QLC閃存的消費(fèi)級(jí)SSD,三星還表示全新的4-Bit V-NAND芯片可以達(dá)到1Tb的規(guī)模,同時(shí)三星也可以憑借該項(xiàng)技術(shù)輕而易舉地制造出超過(guò)128GB的TF卡。
Anandtech在國(guó)內(nèi)主控廠商聯(lián)蕓科技(Maxio Technology)的展臺(tái)上找到了使用Intel 3D QLC閃存的4TB SSD,當(dāng)然這款產(chǎn)品還是處于初期的樣品階段,它采用是一顆聯(lián)蕓自己的MAS0902A-B2C DRAM Less主控,主控支持Agile ECC 2和WriteBooster 2與虛擬奇偶校驗(yàn)恢復(fù)等技術(shù),而閃存型號(hào)是Intel N18A 3D QLC。
西數(shù)收購(gòu)閃迪之后已經(jīng)變成全球領(lǐng)先的NAND供應(yīng)商,技術(shù)上他們跟東芝是一派的,主要使用BiCS技術(shù),已經(jīng)推出了四代BiCS技術(shù),目前的主力是BiCS 3,量產(chǎn)的NAND閃存堆棧層數(shù)是64層,去年展示過(guò)96層堆棧的BiCS 4閃存,這將是西數(shù)、東芝下一代主力。
東芝日前發(fā)布了全球首個(gè)基于QLC(四比特單元) BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片,64層堆疊封裝,單顆容量可以做到768Gb(32GB),可以帶來(lái)容量更大、成本更低的SSD產(chǎn)品。不過(guò)隨著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展,壽命和耐用性一直是個(gè)讓人憂慮的問(wèn)題。
東芝今日宣布其成功開(kāi)發(fā)出了全球首款 4-bit 3D 閃存(QLC),有望帶來(lái)更低的制造成本和更高的存儲(chǔ)密度。閃存通過(guò)一串帶有電荷的浮動(dòng)門(mén)晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)(賦予“0”或“1”即 1-bit),這些存儲(chǔ)塊可以二維(平面型 NAND)或三維(3D NAND)堆疊的形式排列,然后用更多電荷值來(lái)對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)更多位元的信息。比如四級(jí)(2-bit)閃存被稱為 MLC、八級(jí)(3-bit)則為稱為 TLC 。