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長江存儲推出128層QLC閃存，單顆容量達1.33Tb
長江存儲科技有限責(zé)任公司128層QLC 3D NAND 閃存(型號： X2-6070)，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量①。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號：X2-9060)，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
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QLC閃存、TLC閃存是什么?QLC閃存、TLC閃存有何區(qū)別?
閃存是最常用器件之一，在諸如SSD等存儲設(shè)備中均存在閃存。但是，大家對閃存真的足夠了解嗎?為增進大家對閃存的了解和認識，本文將對QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。
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產(chǎn)業(yè)鏈消息稱：長江存儲將緩慢提高NAND閃存出貨量
9月22日，據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
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Intel 665p SSD終于上架了
在這篇文章中，小編將為大家?guī)淼诙鶴LC閃存SSD 665p的相關(guān)報道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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西部數(shù)據(jù)出貨首批使用3D QLC的產(chǎn)品
在新季度財務(wù)電話會議期間，西部數(shù)據(jù)透露，已開始出貨基于96層堆疊3D QLC閃存的產(chǎn)品，首批用于零售產(chǎn)品和移動SSD。
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Intel正式公布傲騰內(nèi)存H10：QLC與傲騰內(nèi)存互補，最高1TB容量
最近逐漸有采用QLC顆粒的SSD面世，雖然其容量巨大，但是讓Cache緩存用完后很低的原始寫入速度讓也與現(xiàn)在的采用TLC顆粒的SSD相去甚遠。今天Intel正式公布了傲騰內(nèi)存H10系列，將3D Xpo
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東芝QLC閃存P/E壽命可達1500次，可輕松作出85TB容量的U.2硬盤
東芝公司也在FMS 2018會議上公布了他們在96層堆棧BiCS 4閃存技術(shù)的情況，指出其QLC閃存在1500次P/E循環(huán)之后依然沒有變化，憑借1.33Tb的核心容量，QLC閃存可以輕松作出85TB容量的U.2硬盤。
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三星宣布量首款搭載QLC閃存的SSD：1TB起步，最高4TB
三星表示全新的QLC閃存被稱之為4-Bit QLC閃存，同時三星也表示已經(jīng)開始量產(chǎn)基于4-Bit QLC閃存的消費級SSD，三星還表示全新的4-Bit V-NAND芯片可以達到1Tb的規(guī)模，同時三星也可以憑借該項技術(shù)輕而易舉地制造出超過128GB的TF卡。
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聯(lián)蕓科技展示使用Intel 3D QLC閃存的4TB SSD
Anandtech在國內(nèi)主控廠商聯(lián)蕓科技(Maxio Technology)的展臺上找到了使用Intel 3D QLC閃存的4TB SSD，當(dāng)然這款產(chǎn)品還是處于初期的樣品階段，它采用是一顆聯(lián)蕓自己的MAS0902A-B2C DRAM Less主控，主控支持Agile ECC 2和WriteBooster 2與虛擬奇偶校驗恢復(fù)等技術(shù)，而閃存型號是Intel N18A 3D QLC。
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西數(shù)96層堆棧BiCS 4閃存已經(jīng)出貨，QLC閃存也將是重點
西數(shù)收購閃迪之后已經(jīng)變成全球領(lǐng)先的NAND供應(yīng)商，技術(shù)上他們跟東芝是一派的，主要使用BiCS技術(shù)，已經(jīng)推出了四代BiCS技術(shù)，目前的主力是BiCS 3，量產(chǎn)的NAND閃存堆棧層數(shù)是64層，去年展示過96層堆棧的BiCS 4閃存，這將是西數(shù)、東芝下一代主力。
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東芝全球首發(fā)QLC閃存：壽命與TLC一樣耐用
東芝日前發(fā)布了全球首個基于QLC(四比特單元) BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片，64層堆疊封裝，單顆容量可以做到768Gb(32GB)，可以帶來容量更大、成本更低的SSD產(chǎn)品。不過隨著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展，壽命和耐用性一直是個讓人憂慮的問題。
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東芝宣布3D QLC閃存：16片堆疊可達1.5TB
東芝今日宣布其成功開發(fā)出了全球首款 4-bit 3D 閃存(QLC)，有望帶來更低的制造成本和更高的存儲密度。閃存通過一串帶有電荷的浮動門晶體管來存儲數(shù)據(jù)(賦予“0”或“1”即 1-bit)，這些存儲塊可以二維(平面型 NAND)或三維(3D NAND)堆疊的形式排列，然后用更多電荷值來對應(yīng)存儲更多位元的信息。比如四級(2-bit)閃存被稱為 MLC、八級(3-bit)則為稱為 TLC 。
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