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新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析

摘要：分析新型SiC功率器件在實(shí)際應(yīng)用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對(duì)SiC MOSFET柵極電阻對(duì)開關(guān)特性的影響，以及開關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進(jìn)行了闡述。同時(shí)，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建

模擬
2014-01-29

功率器件柵極電阻 SIC BOOST電路
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。SiC功

半導(dǎo)體
2014-01-10

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

半導(dǎo)體
2014-01-08

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。SiC功

半導(dǎo)體
2014-01-04

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代功率半導(dǎo)體加速導(dǎo)入元器件廠商拼殺

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。SiC功

消費(fèi)電子
2014-01-03

功率半導(dǎo)體元器件 GAN SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。SiC功

消費(fèi)電子
2014-01-03

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。SiC功

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-01-03

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。SiC功

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-01-03

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

模擬
2014-01-02

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。SiC功

模擬
2013-12-30

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)

電源
2013-12-30

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)

功率器件
2013-12-16

電源碳化硅肖特基二極管 SIC
SIC：全球半導(dǎo)體收益較上月減少11%

據(jù)外媒EETimes報(bào)道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）公布調(diào)查數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預(yù)測(cè)。SIC表示除閃存外的半導(dǎo)體行業(yè)各領(lǐng)域高于10月

半導(dǎo)體
2013-12-13

半導(dǎo)體半導(dǎo)體行業(yè) 模擬器 SIC
SIC：全球半導(dǎo)體收益較上月減少11%

12月5日消息，據(jù)外媒EETimes報(bào)道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）公布調(diào)查數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預(yù)測(cè)。SIC表示除閃存外的半導(dǎo)體行業(yè)各

半導(dǎo)體
2013-12-11

半導(dǎo)體半導(dǎo)體行業(yè) 模擬器 SIC
全球半導(dǎo)體收益較上月減少11%

據(jù)外媒EETimes報(bào)道，SIC（Semiconductor Industry Association，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）公布調(diào)查數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預(yù)測(cè)。SIC表示除閃存外的半導(dǎo)體行業(yè)各領(lǐng)域高于10

消費(fèi)電子
2013-12-10

半導(dǎo)體半導(dǎo)體行業(yè) 模擬器 SIC
SIC：全球半導(dǎo)體收益較上月減少11%

據(jù)外媒EETimes報(bào)道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）公布調(diào)查數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預(yù)測(cè)。SIC表示除閃存外的半導(dǎo)體行業(yè)各領(lǐng)域高于10月

半導(dǎo)體
2013-12-10

半導(dǎo)體半導(dǎo)體行業(yè) 模擬器 SIC
SIC：全球半導(dǎo)體收益較上月減少11%

據(jù)外媒EETimes報(bào)道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）公布調(diào)查數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預(yù)測(cè)。SIC表示除閃存外的半導(dǎo)體行業(yè)各領(lǐng)域高于10月

模擬
2013-12-09

半導(dǎo)體半導(dǎo)體行業(yè) 模擬器 SIC
科瑞在SiC基片市場(chǎng)占有較高份額

制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品，6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。 美國(guó)科銳(Cree)在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額，從該公

顯示光電
2013-12-07

元件 LED 科銳 SIC
SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高 SiC基片市場(chǎng)科銳占有較高份額

制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產(chǎn)品，6英寸（150mm）產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。 美國(guó)科銳（CREE）在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額

顯示光電
2013-11-29

元件 LED 科銳 SIC
科銳：SiC基片的結(jié)晶質(zhì)量逐年提高

制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產(chǎn)品，6英寸（150mm）產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。美國(guó)Cree在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額，從該公

顯示光電
2013-11-25

元件 LED 科銳 SIC

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SIC

新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

新一代功率半導(dǎo)體加速導(dǎo)入元器件廠商拼殺

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈

碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

SIC：全球半導(dǎo)體收益較上月減少11%

SIC：全球半導(dǎo)體收益較上月減少11%

全球半導(dǎo)體收益較上月減少11%

SIC：全球半導(dǎo)體收益較上月減少11%

SIC：全球半導(dǎo)體收益較上月減少11%

科瑞在SiC基片市場(chǎng)占有較高份額

SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高 SiC基片市場(chǎng)科銳占有較高份額

科銳：SiC基片的結(jié)晶質(zhì)量逐年提高

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