21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用該公司IHLP® 技術(shù)制造,可用于SEPIC DC/DC轉(zhuǎn)換器和其他應(yīng)用的新系列組合耦合電感器。Vishay Dale IHCL使用4040小外形尺寸,在相
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布采用小尺寸3.85mm x 3.85mm x 2.24mm頂視SMD封裝的新款850nm紅外發(fā)射器--- VSMY98545,擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY98545基于SurfLight™表面發(fā)射
器件采用4040小外形尺寸,磁耦合大于90%,有2.2μH~47μH共8種感值 賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 2 月20 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用該公司IHLP® 技術(shù)制
21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有更強(qiáng)穩(wěn)定性的新系列SMD NTC熱敏電阻---NTCS....E3...SMT,可用于溫度檢測(cè)和補(bǔ)償電路。NTCS....E3...SMT熱敏電阻可在-40℃~+125℃溫度范圍內(nèi)精確地測(cè)量溫度,在整
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出具有更強(qiáng)穩(wěn)定性的新系列SMD NTC熱敏電阻---NTCS....E3...SMT,可用于溫度檢測(cè)和補(bǔ)償電路。NTCS....E3...SMT熱敏電阻可在-40℃~+125℃溫度
器件具有0.95mm薄外形、采用DO-221BC(SMPA)封裝、低壓降,在應(yīng)用中可減少功率損耗,提高效率21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出7個(gè)新的45V和50V器件,擴(kuò)
器件的功率等級(jí)為11W,帶有主動(dòng)式溫度控制功能,采用1206外形尺寸21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布用于高功率表面貼裝射頻應(yīng)用的新系列厚膜片式電阻--
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款5W軸向使用硅水泥的可熔斷繞線安全電阻---AC05..CS。這顆電阻是業(yè)內(nèi)首個(gè)能在過(guò)載條件下安全且無(wú)聲地熔斷的電阻,能夠承受6kV的浪涌電壓(1.2μs/50μs)。
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款5W軸向使用硅水泥的可熔斷繞線安全電阻---AC05..CS。這顆電阻是業(yè)內(nèi)首個(gè)能在過(guò)載條件下安全且無(wú)聲地熔斷的電阻,能夠承受6kV的浪涌電
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布采用8787外形尺寸,額定電流為7A~100A,工作溫度高達(dá)+155℃的新款I(lǐng)HLP®薄外形大電流電感器---IHLP-8787MZ-51。Vishay Dale IHLP-87
器件具有8787外形尺寸,工作溫度高達(dá)+155℃21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布采用8787外形尺寸,額定電流為7A~100A,工作溫度高達(dá)+155℃的新款I(lǐng)HLP&r
下一代器件的最大RDS(ON)降低57%,提高了轉(zhuǎn)換效率21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝,使用TrenchFET® Gen IV技術(shù)
采用PowerPAIR封裝,最大RDS(ON)降低57%,提高了轉(zhuǎn)換效率日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝,使用TrenchFET® Gen IV技術(shù)
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴(kuò)充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V
采用PowerPAK® SO-8封裝的P溝道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω,可用于移動(dòng)計(jì)算21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款微型軸向引線厚膜電阻---HML系列,其可用于助聽(tīng)器和工業(yè)高頻探頭。該系列電阻封裝在結(jié)實(shí)耐用的塑料外殼里,具有1.85mm x 0.91mm超小外形尺寸和良好的高溫性能,以
通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的新器件可用于空間受限的汽車(chē)電子產(chǎn)品,是業(yè)內(nèi)首款采用高容積率封裝方案的產(chǎn)品21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新系列模壓汽車(chē)級(jí)MicroTan®固鉭片式電
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列模壓汽車(chē)級(jí)MicroTan®固鉭片式電容器---TP8。該器件針對(duì)下一代空間受限的汽車(chē)電子產(chǎn)品,是首個(gè)采用高容積率封裝方案的通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的鉭電容器系列,在060
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小尺寸2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封裝的新系列功率MiniLED---VLMx234..系列。該系列器件采用了最先進(jìn)的AllnGaP技術(shù),具有非常高的亮度,典型發(fā)光強(qiáng)度為35
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用超小尺寸2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封裝的新系列功率MiniLED---VLMx234..系列。該系列器件采用了最先進(jìn)的AllnGaP技術(shù),具有非常高的