2×8低噪聲InGaAs/InP APD讀出電路設(shè)計(jì)
日本轉(zhuǎn)換效率24.2%的多結(jié)太陽(yáng)能電池問(wèn)世
IMEC臺(tái)積電高通合作為III-V FinFET采用InGaAs晶體管
我國(guó)近紅外光譜儀器發(fā)展歷史、現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)
夏普三結(jié)化合物太陽(yáng)電池單元轉(zhuǎn)換效率達(dá)36.9%
InGaAs線(xiàn)列探測(cè)器對(duì)航空航天領(lǐng)域影響深遠(yuǎn)
2×8低噪聲InGaAs/InP APD讀出電路設(shè)計(jì)
芯片ESD測(cè)試:HBM、MM、CDM、LU;廣電計(jì)量檢測(cè)
預(yù)算:¥10000