針對新型功率器件測試挑戰(zhàn)，泰克解鎖全新測試解決方案

中國北京2019年7月3日–在剛剛過去的PCIM Aisa展會上，泰克展示了功率器件全新測試方案，包括動態(tài)特性解決方案、靜態(tài)特性解決方案、系統(tǒng)調(diào)試解決方案，整體解決方案助力工程師系統(tǒng)級優(yōu)化設(shè)計(jì)。

當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件測試面臨相當(dāng)大的挑戰(zhàn)，尤其是使用如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的先進(jìn)材料制成的器件，通常這些新型器件的測試要求更高的電壓和功率水平，更快的開關(guān)時(shí)間以及從晶圓級到封裝器件的完整測試。高效率低功耗的功率器件對馬達(dá)控制電路和開關(guān)式電源等應(yīng)用必不可少，對處理高功率和高電壓/高電流也不可或缺。作為新型功率器件材料，GaN和SiC迅速引起人們的關(guān)注，與硅相比，GaN 和SiC擁有大量的優(yōu)勢，包括：

·寬禁帶，高電介質(zhì)擊穿電壓，高工作溫度

·高壓功能，低導(dǎo)通電阻w

·芯片尺寸更小

·能夠在高速度、高頻率下工作

然而，傳統(tǒng)差分探頭不足以覆蓋新的寬禁帶半導(dǎo)體的特性范圍的要求，新型功率器件測試存在諸多難點(diǎn)

·你是否能準(zhǔn)確測試高側(cè)門極電路?

·你會用實(shí)際測試來驗(yàn)證仿真結(jié)果嗎?

·在測試中共模電壓會導(dǎo)致哪些測試問題?

·你是否會用低側(cè)試數(shù)據(jù)來推斷高側(cè)測試結(jié)果?

·你是否能夠優(yōu)化你的設(shè)計(jì)以達(dá)到最大的效率呢?

·在高側(cè)電阻測試是否遇到障礙?

||功率器件動態(tài)特性測試解決方案

泰克推出了IGBT Town功率器件動態(tài)參數(shù)測試，可支持單脈沖、雙脈沖及多脈沖測試方案，集成強(qiáng)大的發(fā)生裝置，數(shù)據(jù)測試裝置及軟件。用戶可以自定義測試條件，測試項(xiàng)目包含：Ton,Toff,td(on),td(off),tf(Ic),Eon,Eoff,tr(Ic),di/dt,dv/dt,Err,qrr,Irr基于IEC60747。

1)測試系統(tǒng)組成：

2)測試軟件：

軟件設(shè)定界面

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測試圖

||功率器件靜態(tài)特性測試解決方案

吉時(shí)利高功率參數(shù)曲線跟蹤儀配置支持全系列器件類型和測試參數(shù)，包括特性分析工程師迅速開發(fā)完整的測試系統(tǒng)所需的一切。

開態(tài)測試

·從fA到100A

·支持脈沖測試減少自熱效應(yīng)

·4線測試測量更低的導(dǎo)通電阻RdsOn

關(guān)態(tài)測試

·從mV到3kV，1fA電流分辨率

·過壓保護(hù)模塊確保低功率設(shè)備安全

CV(電容-電壓)測試

·支持3KV CV測試功能

·自動計(jì)算Ciss,Coss,Crss等典型參數(shù)

||新型功率器件系統(tǒng)調(diào)試解決方案

當(dāng)今一些電源電子拓?fù)渲邪某旃β拾雽?dǎo)體開關(guān)技術(shù)(如SiC或GaN)極難進(jìn)行優(yōu)化。SiC MOSFET和GaN FET開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器分析包是市場上唯一能夠準(zhǔn)確檢定所有關(guān)鍵參數(shù)(用于優(yōu)化采用SiC和GaN等技術(shù)的電源電子拓?fù)?的解決方案，其中包括:

·高端和低端上的柵極電荷和柵極驅(qū)動性能

·停滯時(shí)間優(yōu)化，其中包括精確開機(jī)、關(guān)機(jī)和柵極驅(qū)動定時(shí)

·高端和低端開關(guān)上的VGS、VDS和ID測量

·開關(guān)損耗、傳導(dǎo)損耗和磁損耗分析

泰克為您提供整體解決方案，助您系統(tǒng)級優(yōu)化設(shè)計(jì)。泰克測試方案：