手機(jī)性能將更強(qiáng)悍！，西數(shù)全球首發(fā)96層3D NAND嵌入閃存

西部數(shù)據(jù)公司推出了96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤（EFD）-西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU321，旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能（AI）、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、支持多個(gè)攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機(jī)及計(jì)算設(shè)備的高要求應(yīng)用。

新款西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU321嵌入式閃存盤采用了西部數(shù)據(jù)公司的96層3D NAND技術(shù)、先進(jìn)的UFS 2.1接口技術(shù)及西部數(shù)據(jù)公司的iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)，能夠?yàn)橹悄苁謾C(jī)、平板電腦和PC筆記本電腦設(shè)備提供卓越的數(shù)據(jù)性能，而且即使設(shè)備接近滿負(fù)荷運(yùn)行，也能實(shí)現(xiàn)出色的移動(dòng)體驗(yàn)。

如今移動(dòng)設(shè)備已成為我們?nèi)粘；ヂ?lián)生活的中心。隨著面向5G速度、4K視頻、AR和VR的新興功能不斷提升智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦的能力，用戶對設(shè)備的期望，以及支持這些日益豐富用戶體驗(yàn)的技術(shù)需求也在水漲船高。西部數(shù)據(jù)公司的3D NAND技術(shù)使得用戶能夠獲得更高的內(nèi)置存儲(chǔ)容量，從而支持其整個(gè)智能手機(jī)生命周期對數(shù)據(jù)的需求。同時(shí)，在傳統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu)下，設(shè)備的性能通常會(huì)隨著容量的消耗而逐漸降低，而西部數(shù)據(jù)公司的iNAND MC EU321 EFD專門用于高性能運(yùn)轉(zhuǎn)的維持，即使用到整個(gè)容量的98%都有巔峰的寫入性能。

隨著更多以數(shù)據(jù)為中心的功能出現(xiàn)在手機(jī)和計(jì)算設(shè)備上，預(yù)計(jì)移動(dòng)數(shù)據(jù)的數(shù)量、速度和種類將在未來幾年內(nèi)將有所飆升。具有多個(gè)高分辨率相機(jī)和AI輔助攝影功能的移動(dòng)攝影和視頻為用戶提供了用于創(chuàng)建和共享其數(shù)字內(nèi)容的新功能；5G網(wǎng)絡(luò)將實(shí)現(xiàn)高速的下載和傳輸速度，從而改變消費(fèi)者與其設(shè)備和內(nèi)容交互的方式；終端移動(dòng)設(shè)備上5G支持的AI提供了實(shí)時(shí)獲取、處理和學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)的能力。

分析機(jī)構(gòu)Counterpoint Research指出，NAND閃存容量將在2017-2021迎來健康的28%復(fù)合年增長率。這個(gè)增長主要來自成熟的平板用戶升級到大屏、高容量、并具有更強(qiáng)大功能和連接性的產(chǎn)品，因?yàn)閵蕵泛鸵苿?dòng)生產(chǎn)力講成為主要的應(yīng)用場景。

這些數(shù)據(jù)密集型的應(yīng)用程序都需要更高的容量和速度，以期為消費(fèi)者提供理想的移動(dòng)設(shè)備體驗(yàn)。2018年自然年上半年，智能手機(jī)總出貨的內(nèi)置存儲(chǔ)容量相比起2017自然年上半年同比增加了40%，相當(dāng)于每臺(tái)手機(jī)51GB ，從而增加了對更高容量和更智能存儲(chǔ)技術(shù)的需求。

iNAND MC EU321是iNAND系列的新成員，該系列十多年來一直受到全球所有主要智能手機(jī)和平板制造商的信賴。iNAND MC EU321 EFD可提供高達(dá)550MB/s的連續(xù)寫入性能，從而實(shí)現(xiàn)卓越的用戶體驗(yàn)。西部數(shù)據(jù)公司目前正在就容量高達(dá)256GB 的存儲(chǔ)解決方案在OEM中開展測試。