芯恩近況：團隊超過330人、訂購設備超80臺、建設三大生產(chǎn)線

據(jù)報道，截止2019年5月，青島芯恩項目管理和技術團隊已簽約報到管理及技術人員330人，其中博士20余人，碩士60余人。項目工程8英寸廠筏板基礎施工完成90%；12英寸廠筏板基礎施工完成93%；測試樓1首層結構完成90%；測試樓2四層結構完成90%；行政中心三層結構完成60%。已訂購87臺二手生產(chǎn)設備，其中60臺已完成翻修。

今年3月，張汝京曾表示，芯恩項目進展順利。

芯恩（青島）集成電路項目位于青島國際經(jīng)濟合作區(qū)，是全國首個CIDM集成電路項目，于2018年3月在青島西海岸新區(qū)簽約。芯恩集成電路公司也是張汝京的第五次創(chuàng)業(yè)，被稱為“中國半導體之父”的他選擇在青島發(fā)展出適合中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的CIDM模式，即創(chuàng)建共享共有式整合元件制造公司，整合芯片設計、芯片工藝技術研發(fā)、芯片制造、芯片封裝測試，整合式地為終端客戶提供高品質、高效率的產(chǎn)品。

據(jù)悉，該項目一、二期總投資約188億元，其中一期總投資約81億元，占地約373畝，總建筑面積約35萬平方米，主要從事12英寸芯片、8英寸芯片、光掩膜版等集成電路產(chǎn)品的量產(chǎn)，滿產(chǎn)后可實現(xiàn)年均產(chǎn)值約46.1億元，凈利潤約9.7億元。

目前，芯恩（青島）集成電路項目已確定了特色功率芯片和高端微控制器技術路線。已規(guī)劃12英寸廠從40納米邏輯產(chǎn)品入手逐漸推進到28納米的產(chǎn)品線，通過對前段工藝浸潤式光刻工藝，自對準金屬硅化物，嵌入式SiGe源漏區(qū)工藝開發(fā);后段工藝超低介電材料層間介質層工藝整合，以及28納米的高介電層金屬閘級，完成器件性能的確認。

信網(wǎng)報道還指出，該項目將開發(fā)12英寸40nm-28nm集成電路芯片產(chǎn)品工藝技術，除了意法半導體技術授權40nm的標準邏輯工藝以外，同時開發(fā)閃存Embedded Flash的尖端工藝，用以生產(chǎn)微處理器MCU芯片。還將開發(fā)8英寸180nm-110nm集成電路芯片產(chǎn)品工藝技術，包括數(shù)字模擬混合(BCD、DLP)、高端IGBT等半導體功率器件，其中IGBT的逆導型IGBT的高端及超薄(小于50微米的硅片厚度)的工藝技術是中國首創(chuàng)。RC-IGBT是將IGBT單元和FWD單元交替配置而成。

張汝京還在今年3月份透露，芯恩的現(xiàn)有的人才當中有一些在14nm制程量產(chǎn)方面，已經(jīng)具備了豐富的經(jīng)驗，他們正在為芯恩的先進制程量產(chǎn)做著準備。而該公司的二期工程，目標就是針對14nm及以下先進制程的，要建兩座月產(chǎn)能為5萬片的Fab。

信網(wǎng)此次報道指出，芯恩(青島)集成電路項目正在建設特色型工藝的8英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國內最先進數(shù)?；旌瞎に嚨?0納米12英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國內最先進14納米光掩膜版生產(chǎn)線一條，芯片測試廠一個以及組建嵌入式芯片32位MCU集成電路設計團隊。