除了SOI,Soitec還有GaN與遠(yuǎn)方
作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),Soitec于約兩月前以3000萬歐元的價(jià)格收購了氮化鎵(以下簡稱GaN)外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN。通過此次收購,Soitec在其不斷增長的硅基和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品系列中增加了GaN技術(shù),也將借助GaN在5G中的優(yōu)勢,進(jìn)一步擴(kuò)大功率放大器市場。
Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas Piliszczuk博士表示:“EpiGaN雖然是一家初創(chuàng)公司,但其產(chǎn)品技術(shù)十分成熟。相信在我們的支持下,其GaN材料相關(guān)的產(chǎn)品及技術(shù)將得到迅速的發(fā)展。”
收購EpiGaN——翹首以盼的機(jī)遇
盡管SOI產(chǎn)品占Soitec業(yè)務(wù)的95%左右,但Soitec一直在計(jì)劃將其業(yè)務(wù)擴(kuò)展至SOI之外的相關(guān)領(lǐng)域。
正如Piliszczuk博士所指出的那樣:“SOI已不再是一個(gè)小眾市場,我們的業(yè)務(wù)范圍也在逐漸擴(kuò)大中。因此,在過去的幾年內(nèi),我們已經(jīng)初步展開了SOI之外的其他業(yè)務(wù),例如使用壓電材料開發(fā)優(yōu)化襯底,在與所有主要射頻技術(shù)領(lǐng)域的公司合作的同時(shí),逐步增加用于射頻濾波器的壓電絕緣體的產(chǎn)量?!?/span>
GaN材料將在高功率和射頻領(lǐng)域發(fā)揮重要作用
此外,Soitec也精心打磨了其Smart CutTM工藝。目前,它可被用于將一層薄薄的晶體材料從GaN或InP供體襯底轉(zhuǎn)移到另一個(gè)襯底,以生產(chǎn)出具有成本效益的化合物半導(dǎo)體晶圓。
Piliszczuk博士還談到:“我們與重要的微型LED制造商合作,為他們的設(shè)備提供這些襯底,這其中存在著很大的市場機(jī)遇。我們一直有關(guān)注GaN材料,如今,我們相信這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)逐漸發(fā)展成熟,可以帶來實(shí)際落地業(yè)務(wù),尤其是在5G領(lǐng)域?!?/span>
與EpiGaN共創(chuàng)未來
EpiGaN將在Soitec發(fā)展中扮演關(guān)鍵角色。Soitec現(xiàn)有的SOI和POI產(chǎn)品滿足了5G基站和手機(jī)架構(gòu)中許多關(guān)鍵組件的需求,如收發(fā)器、低噪聲放大器、天線開關(guān)濾波器等。然而,利用EpiGaN的硅基氮化鎵(GaN-on-silicon)和碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延片,Soitec如今可以在基站及手機(jī)的功率放大器市場上占有一席之地。
在EpiGaN完全整合入公司后,Soitec計(jì)劃在比利時(shí)哈瑟爾特的EpiGaN生產(chǎn)基地?cái)U(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。據(jù)Piliszczuk博士稱,除此之外,Soitec將在未來幾個(gè)月內(nèi)購買其他程序控制和清潔工具。他說:“我們有能力購買更多工具,并且我們有自信能夠充分使用這些資源?!?/span>
同時(shí),Soitec將繼續(xù)把EpiGaN的外延片生產(chǎn)從六英寸轉(zhuǎn)為八英寸。Piliszczuk博士強(qiáng)調(diào):“我們想確保這一項(xiàng)目迅速達(dá)到成熟。長遠(yuǎn)來看,我們可能還需要一個(gè)新的生產(chǎn)基地。”
持續(xù)擴(kuò)大的業(yè)務(wù)
Soitec襯底產(chǎn)品
Soitec并未打算止步于氮化鎵材料。據(jù)Piliszczuk博士所稱,長時(shí)間以來,Soitec也在持續(xù)關(guān)注碳化硅的商業(yè)機(jī)會(huì)。
Piliszczuk博士說:“碳化硅是一個(gè)十分具有潛力的市場,我們也一直受到終端客戶的推動(dòng),他們相信Soitec可以為產(chǎn)業(yè)鏈帶來很多價(jià)值。碳化硅的供應(yīng)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn),但是通過Smart
CutTM工藝,我們可以將碳化硅晶體切割為薄層,并將其轉(zhuǎn)移到(受體)襯底上,從而產(chǎn)生更大的供給量。因此,Soitec十分重視碳化硅項(xiàng)目?!?/span>