三星已開始測試中國產(chǎn)氟化氫 內(nèi)存價格將繼續(xù)上漲

自日本對韓國進行半導體材料出口限制之后，三星作為韓國半導體龍頭，成為受沖擊最大企業(yè)，目前日本政府對韓國實行出口管制的對象主要包括氟聚酰亞胺、光刻膠及蝕刻氣體（氟化氫）這3類半導體材料。韓國半導體廠也是正擠破腦袋尋求替代貨源，有消息人士透露，三星現(xiàn)已開始測試可能來自西安和臺灣的氟化氫產(chǎn)品。

據(jù)報道，三星關系人士透露，三星已在用來測試新材料的產(chǎn)線上投入日本以外廠商的氟化氫進行質量性能的測試。該關系人士雖未透露三星進行測試的氟化氫廠商名稱，但據(jù)猜測應該是來自中國的廠商。

由理韓國國際貿(mào)易協(xié)會（KITA）的數(shù)據(jù)顯示，以美元計算貿(mào)易量，今年1月至5月，韓國進口的用于半導體生產(chǎn)的氟化氫中， 43.9%來自日本，46.3%來自中國大陸。而從日本進口的用于半導體生產(chǎn)的氟化氫一度占到進口量的90%多，2015年起降至50%以下。

韓國半導體界相關人士指出，三星目前是向日本Stella Chemifa、森田化學工業(yè)和昭和電工采購高純度氟化氫。要生產(chǎn)最前端的半導體就必須使用純度達99.999%的氟化氫，而高純度氟化氫技術日廠占據(jù)了絕對領先地位，因此三星此次測試非日本制產(chǎn)品后能否實際進行采用仍然是未知數(shù)。

隨著日本政府限制向韓國出口半導體材料，內(nèi)存芯片的國際現(xiàn)貨價格正在快速反彈。根據(jù)市場研究公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)，DRAM現(xiàn)貨價格在上周和本周均有所上漲，而NAND閃存價格在上個月末開始逐漸上漲。PC DRAM（DDR4 8Gb）價格從7月11日到15日，上漲了11.8％，而DDR3 4Gb上漲率為13.7％。同期NAND閃存（64Gb MLC）價格上漲3.6％。

“日本對韓國的出口限制導致NAND閃存市場需求快速復蘇，”Kiwoom證券解釋說，“3D NAND價格已接近其下限，并且由于東芝的停電問題和出口限制可能會進一步刺激它們導致庫存迅速減少，這種情況下，客戶希望能購買更多內(nèi)存產(chǎn)品。”