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[導(dǎo)讀]自日本對(duì)韓國(guó)進(jìn)行半導(dǎo)體材料出口限制之后,三星作為韓國(guó)半導(dǎo)體龍頭,成為受沖擊最大企業(yè),目前日本政府對(duì)韓國(guó)實(shí)行出口管制的對(duì)象主要包括氟聚酰亞胺、光刻膠及蝕刻氣體(氟化氫)這3類(lèi)半導(dǎo)體材料。韓國(guó)半導(dǎo)體廠也是

自日本對(duì)韓國(guó)進(jìn)行半導(dǎo)體材料出口限制之后,三星作為韓國(guó)半導(dǎo)體龍頭,成為受沖擊最大企業(yè),目前日本政府對(duì)韓國(guó)實(shí)行出口管制的對(duì)象主要包括氟聚酰亞胺、光刻膠及蝕刻氣體(氟化氫)這3類(lèi)半導(dǎo)體材料。韓國(guó)半導(dǎo)體廠也是正擠破腦袋尋求替代貨源,有消息人士透露,三星現(xiàn)已開(kāi)始測(cè)試可能來(lái)自西安和臺(tái)灣的氟化氫產(chǎn)品。

據(jù)報(bào)道,三星關(guān)系人士透露,三星已在用來(lái)測(cè)試新材料的產(chǎn)線上投入日本以外廠商的氟化氫進(jìn)行質(zhì)量性能的測(cè)試。該關(guān)系人士雖未透露三星進(jìn)行測(cè)試的氟化氫廠商名稱(chēng),但據(jù)猜測(cè)應(yīng)該是來(lái)自中國(guó)的廠商。

由理韓國(guó)國(guó)際貿(mào)易協(xié)會(huì)(KITA)的數(shù)據(jù)顯示,以美元計(jì)算貿(mào)易量,今年1月至5月,韓國(guó)進(jìn)口的用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的氟化氫中, 43.9%來(lái)自日本,46.3%來(lái)自中國(guó)大陸。而從日本進(jìn)口的用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的氟化氫一度占到進(jìn)口量的90%多,2015年起降至50%以下。

韓國(guó)半導(dǎo)體界相關(guān)人士指出,三星目前是向日本Stella Chemifa、森田化學(xué)工業(yè)和昭和電工采購(gòu)高純度氟化氫。要生產(chǎn)最前端的半導(dǎo)體就必須使用純度達(dá)99.999%的氟化氫,而高純度氟化氫技術(shù)日廠占據(jù)了絕對(duì)領(lǐng)先地位,因此三星此次測(cè)試非日本制產(chǎn)品后能否實(shí)際進(jìn)行采用仍然是未知數(shù)。

隨著日本政府限制向韓國(guó)出口半導(dǎo)體材料,內(nèi)存芯片的國(guó)際現(xiàn)貨價(jià)格正在快速反彈。根據(jù)市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù),DRAM現(xiàn)貨價(jià)格在上周和本周均有所上漲,而NAND閃存價(jià)格在上個(gè)月末開(kāi)始逐漸上漲。PC DRAM(DDR4 8Gb)價(jià)格從7月11日到15日,上漲了11.8%,而DDR3 4Gb上漲率為13.7%。同期NAND閃存(64Gb MLC)價(jià)格上漲3.6%。

“日本對(duì)韓國(guó)的出口限制導(dǎo)致NAND閃存市場(chǎng)需求快速?gòu)?fù)蘇,”Kiwoom證券解釋說(shuō),“3D NAND價(jià)格已接近其下限,并且由于東芝的停電問(wèn)題和出口限制可能會(huì)進(jìn)一步刺激它們導(dǎo)致庫(kù)存迅速減少,這種情況下,客戶(hù)希望能購(gòu)買(mǎi)更多內(nèi)存產(chǎn)品?!?/p>

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