Intel 7nm EUV工藝2021年首發(fā)：密度翻倍 每瓦性能提升20%

在制程工藝上，Intel從2015年到現(xiàn)在一直在魔改14nm工藝，10nm工藝說是今年6月份量產(chǎn)了，但在時間進度上確實要比臺積電等公司落后了，AMD今年都出7nm的CPU和顯卡了。

今年5月份的投資會議上，Intel宣布了新一代制程工藝路線圖，14nm工藝(對標臺積電10nm)會繼續(xù)充實產(chǎn)能，10nm工藝(對標臺積電7nm)消費級產(chǎn)品今年年底購物季上架，服務(wù)器端明年上半年。

再往后就是7nm了，Intel的7nm對標臺積電5nm，預(yù)計會在2021年量產(chǎn)，不過首發(fā)產(chǎn)品是Xe架構(gòu)的GPU加速卡，CPU的話估計要到到2022年了。

日前韓國媒體曝光了Intel的內(nèi)部資料，詳細介紹了7nm工藝以及處理器架構(gòu)、傲騰、安全等方面的進展，如下所示：

在制程工藝方面，10nm首發(fā)平臺是Ice Lake處理器，6月份出貨，其他10nm工藝產(chǎn)品到2020及2021年推出，前面也說了消費級、服務(wù)器級的10nm處理器要等到2020年了。

7nm工藝計劃2021年推出，相比10nm工藝晶體管密度翻倍，每瓦性能提升20%，設(shè)計復(fù)雜度降低了4倍。

這是Intel首次公布7nm工藝的具體細節(jié)，晶體管密度翻倍沒有什么意外，正常都應(yīng)該是這樣，不過每瓦性能提升20%，這個數(shù)據(jù)要比預(yù)期更低，也只能說明在10nm之后，Intel的先進工藝在性能提升也遇到瓶頸了。

還有Intel沒有提及能耗的具體信息，作為對比的是，Intel之前表示10nm工藝相比14nm降低了60%的能耗或者提升25%的性能。

此外，7nm工藝還是Intel首次使用EUV光刻工藝，有助于提升工藝微縮。

7nm工藝的首款產(chǎn)品就是Xe架構(gòu)的GPU加速芯片，主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心AI及高性能計算。

處理器架構(gòu)方面，現(xiàn)在的服務(wù)器端是14nm Cascade Lake，主要是增加了DL Boost指令集加速AI性能。

桌面級還有酷睿i9-9900KS，全核5GHz的9900K加強版了。

Ice Lake，這是10nm工藝Sunny Cove核心的全新產(chǎn)品，3x倍無線速度、2倍視頻轉(zhuǎn)碼速度、2倍圖形性能、3倍AI性能這些也是之前說過的了。

Ice Lake的核顯架構(gòu)升級到Gen11，32位浮點性能達到1TFLOPS以上，EU單元至少64個。

存儲芯片方面，Intel今年上半年已經(jīng)推出了傲騰H10，整合了傲騰內(nèi)存及QLC閃存，9月份還有傲騰M10及M15新品，這是新一代傲騰內(nèi)存，不過具體規(guī)格不詳。

安全性方面，Ice Lake處理器主要增加了GFNI、SGX、PCFONFIG等指令，Ice Lake下一代的Tiger Lake會支持CET增強指令，Atom處理器中的下代Tremont架構(gòu)也會增加SGX、GFNI等指令集。