SEMI：未來5年12英寸晶圓廠設(shè)備支出中國或第二

國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會旗下產(chǎn)業(yè)研究與統(tǒng)計（SEMI Industry Research and Statistics）事業(yè)群首度公布《12英寸晶圓廠展望報告》（300mm Fab Outlook）。其中，預(yù)估12英寸晶圓廠設(shè)備支出歷經(jīng)2019年衰退后，2020年可望小幅回溫，2021年創(chuàng)下600億美元（單位下同）新高，2022年再度下滑，而2023年預(yù)計反彈，再寫歷史新高紀錄。.

SEMI指出，觀察未來5年晶圓廠設(shè)備投資大幅成長動能，普遍來自如NAND存儲器、晶圓制造/邏輯IC、功率IC等；以區(qū)域分，預(yù)期韓國支出力道最大，其次為中國，歐洲/中東與東南亞亦可望在2019-2023年強勁成長。

圖片來源：SEMI《12英寸晶圓廠展望報告》

報告顯示，整體12英寸半導(dǎo)體晶圓廠、生產(chǎn)線數(shù)量預(yù)計從2019年的136座，成長至2023年的172座，成長率逾30%；若納入可能性較低的計劃，整體數(shù)量可能接近200座。

中芯日前宣布，14納米FinFET進入客戶風險試產(chǎn)，今年底便有望貢獻部分營收，第二代FinFET N+1技術(shù)平臺也進入客戶導(dǎo)入階段，預(yù)估今年晶圓代工相關(guān)資本支出21億元。臺積電南京廠制程技術(shù)目前達16納米，月產(chǎn)能約1.2萬片，日前公司指出，將會照計劃擴建產(chǎn)能，今年底增至1.5萬片，明年底增至月產(chǎn)2萬片。

三星上個月則宣布至2030年前將投資133萬億韓元，相當約1149億元，以強化晶圓代工競爭力，力求在2030年前搶下全球市占第1。