這項(xiàng)將要變革存儲架構(gòu)的技術(shù) 是時(shí)候關(guān)注下了

自計(jì)算機(jī)誕生以來，DRAM+SSD+HDD這樣的存儲架構(gòu)便從未改變過。而近2年隨著數(shù)據(jù)量的爆發(fā)以及企業(yè)、消費(fèi)者對傳輸性能、時(shí)延等要求增加，這樣的架構(gòu)已難以滿足需求。在這樣的背景下，英特爾、三星、鎂光等存儲巨頭也積極推動著存儲架構(gòu)的變革。其中，存儲級內(nèi)存便是革命性的存儲介質(zhì)。

內(nèi)存與固態(tài)盤并非緊密不可分割

計(jì)算機(jī)存儲架構(gòu)中，自上而下通常為DRAM+SSD+HDD 3級分布，且越往下性能越低、延時(shí)更長但容量增加。而DRAM+SSD這樣的內(nèi)存與固態(tài)盤搭配也緊密相連，一個(gè)為易失性存儲，一個(gè)為非易失性存儲，一個(gè)負(fù)責(zé)存儲用戶數(shù)據(jù)，一個(gè)負(fù)責(zé)響應(yīng)CPU請求傳輸數(shù)據(jù)。但這樣看似完美的搭配隨著用戶，尤其是企業(yè)用戶對業(yè)務(wù)響應(yīng)需求苛刻，這樣的黃金搭檔似乎已心有余而力不足。

原因在于內(nèi)存與固態(tài)盤的特性差距太大，如在延時(shí)上，內(nèi)存僅為幾十納秒，而固態(tài)盤卻達(dá)到百十微秒。這樣的差距使得企業(yè)希望更多的數(shù)據(jù)直接存儲在內(nèi)存上，但內(nèi)存的容量以及斷電數(shù)據(jù)丟失特性使得該介質(zhì)無法滿足企業(yè)需求。因此可以看到，內(nèi)存與固態(tài)盤之間，需要一種全新的聯(lián)接介質(zhì)。

存儲級內(nèi)存填補(bǔ)鴻溝

而這樣的存儲產(chǎn)品，便被稱為存儲級內(nèi)存（storage class memory，簡稱SCM）。這樣的新型存儲，其主要具備兩點(diǎn)特性，一是DRAM般的性能，二是SSD般的持久性和容量。在性能上，存儲級內(nèi)存的傳輸以及延時(shí)均略微低于DRAM，但遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩過SSD。

同時(shí)，這樣的一類產(chǎn)品，可提供SSD的持久存儲數(shù)據(jù)特性，這意味著把數(shù)據(jù)存儲在存儲級內(nèi)存上，即便斷電了也不用擔(dān)心數(shù)據(jù)丟失。更為厲害的是，這樣的產(chǎn)品，在容量上不像DRAN一樣只能提供16GB、32GB，而是直接幾百GB。這反映得便是，存儲級內(nèi)存完全可以滿足企業(yè)對性能、容量的需求。

存儲巨頭紛紛推出存儲級內(nèi)存

也因此，美韓幾大存儲巨頭紛紛推出存儲級內(nèi)存。具體而言，包括英特爾基于3D Xpoint介質(zhì)的傲騰內(nèi)存、三星的Z-NAND、東芝的XL-Flash，同時(shí)鎂光與SK海力士也將推出該類型產(chǎn)品。

從目前產(chǎn)品來看，幾大存儲廠商推出的存儲級內(nèi)存主要面向數(shù)據(jù)中心，但也有面向消費(fèi)者的，如英特爾的傲騰，既提供數(shù)據(jù)中心級也提供消費(fèi)級。

從市場上來看，英特爾可以說是領(lǐng)導(dǎo)者，其無論是面向數(shù)據(jù)中心級的傲騰產(chǎn)品還是消費(fèi)級的傲騰產(chǎn)品均以走向商用，如在數(shù)據(jù)中心級上，幾大服務(wù)器廠商明確表示其推出的服務(wù)器新品可支持傲騰數(shù)據(jù)中心級持久內(nèi)存。緊隨其后的便是三星。