兆易創(chuàng)新融資43億研發(fā)國(guó)內(nèi)內(nèi)存 19/17nm工藝追平三星美光

2019年國(guó)產(chǎn)內(nèi)存實(shí)現(xiàn)了0的突破，合肥長(zhǎng)鑫前不久宣布量產(chǎn)10nm級(jí)DDR4內(nèi)存，核心容量8Gb。除此之外，另外一家存儲(chǔ)芯片公司兆易創(chuàng)新也宣布研發(fā)內(nèi)存，10.1日該公司宣布融資43億元，主要用于研發(fā)1Xnm工藝的內(nèi)存芯片。

根據(jù)兆易創(chuàng)新的公告，本次非公開(kāi)發(fā)行A股股票的發(fā)行對(duì)象為不超過(guò)10名特定投資者，發(fā)行的股票數(shù)量不超過(guò)本次發(fā)行前公司股份總數(shù)的20%，即不超過(guò)64,224,315股（含本數(shù)）。

預(yù)案顯示，兆易創(chuàng)新本次發(fā)行募集資金總額（含發(fā)行費(fèi)用）不超過(guò)人民幣432,402.36萬(wàn)元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額將用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

募集的資金中有39.92億元都會(huì)投入到內(nèi)存研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化中，主要用于研發(fā)1Xnm（19、17nm）制程工藝下的內(nèi)存芯片，設(shè)計(jì)、研發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4等多種規(guī)格的內(nèi)存。

早在2017年的時(shí)候，兆易創(chuàng)新宣布與合肥長(zhǎng)鑫合作，雙方將投資180億元研發(fā)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存，其中兆易創(chuàng)新方面負(fù)責(zé)籌集36億元的資金。不過(guò)合肥長(zhǎng)鑫量產(chǎn)內(nèi)存時(shí)表示該項(xiàng)目是他們獨(dú)立運(yùn)營(yíng)的，否認(rèn)與兆易創(chuàng)新有關(guān)。

目前情況來(lái)看，兆易創(chuàng)新融資43億元是準(zhǔn)備自行研發(fā)DDR內(nèi)存，而且制程工藝也是國(guó)際先進(jìn)水平，17nm工藝目前與三星、美光工藝基本持平，不過(guò)后者已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，兆易創(chuàng)新依然是研發(fā)階段。