與國(guó)外技術(shù)差距縮小，長(zhǎng)江存儲(chǔ)2019年將會(huì)量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存

2018年NAND閃存價(jià)格由漲轉(zhuǎn)跌，NAND閃存價(jià)格至少跌了50%，主要原因是64層3D NAND閃存堆棧產(chǎn)能大幅增加，市場(chǎng)供應(yīng)大增，今年底三星、東芝等公司又推出了96層堆棧的3D NAND閃存，2019年將是量產(chǎn)的主力。

國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年量產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，不過(guò)真正規(guī)模量產(chǎn)的還是明年的64層堆棧3D NAND閃存。為了盡快縮短與國(guó)外廠商的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2020年將跳過(guò)96層堆棧的3D閃存，直接量產(chǎn)128層堆棧的3D閃存。

NAND閃存從2D進(jìn)入3D時(shí)代之后，堆棧層數(shù)成了提高容量、降低成本的一個(gè)重要指標(biāo)，三星、東芝、美光、SK Hynix、英特爾等公司已經(jīng)先后量產(chǎn)了24/32層、64/72層及96層堆棧的3D NAND閃存，其中96層堆棧的3D閃存是今年推出的，2019年會(huì)是幾家NAND大廠的量產(chǎn)主力，核心容量也提升到了1Tb-1.33Tb級(jí)別。

相比這些公司，主力搞3D閃存的長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年生產(chǎn)的還是32層堆棧的，核心容量?jī)H為64Gb，月產(chǎn)能大概是6000片晶圓/月，主要用于U盤(pán)芯片等低端產(chǎn)品。按照規(guī)劃，長(zhǎng)江存儲(chǔ)2019年將會(huì)量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，Digitimes報(bào)道稱長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧表示2019年底開(kāi)始生產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，公司的毛利率將從負(fù)的轉(zhuǎn)向正的，量產(chǎn)之后產(chǎn)能可達(dá)10萬(wàn)片晶圓/月。

雖然64層堆棧層數(shù)明年還是會(huì)落后于三星等大廠，不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年在FMS國(guó)際會(huì)議推出了3D Xtacking技術(shù)，只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)百萬(wàn)根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

此外Xtacking技術(shù)可以充分利用存儲(chǔ)單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間可縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時(shí)間。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)Xtacking技術(shù)也很自信，所以楊士寧表示他們的64層3D NAND閃存能夠與現(xiàn)有的96層堆棧3D閃存相競(jìng)爭(zhēng)。

在此之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2020年會(huì)跳過(guò)96層堆棧直接進(jìn)入128層堆棧的3D NAND時(shí)代，那個(gè)時(shí)候三星等國(guó)際公司大概也是剛剛量產(chǎn)128層堆棧的3D閃存，至少技術(shù)層面上不會(huì)再落后太多了。

對(duì)于國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片公司來(lái)說(shuō)，即便技術(shù)差距縮短了，如何在這個(gè)市場(chǎng)中活下來(lái)依然是長(zhǎng)期的難點(diǎn)，產(chǎn)能爬坡、良率等問(wèn)題對(duì)沒(méi)有多少經(jīng)驗(yàn)的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)公司來(lái)說(shuō)還需要很多時(shí)間才能解決，更別說(shuō)制造出有競(jìng)爭(zhēng)力、能賺錢(qián)的NAND芯片了。