長鑫存儲已經開始生產19nm計算機存儲器

據AnandTech報道，長鑫存儲技術有限公司（CXMT）已經開始生產基于 19nm 工藝的計算機存儲器，且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級制程的路線圖，計劃在未來生產各種類型的動態(tài)隨機存儲器（DRAM）。除此之外，長鑫存儲還計劃建造另外兩座晶圓廠來提高產量

長鑫存儲以打造設計和制造一體化的內存芯片國產化制造基地為目標，2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產投與細分存儲器國產領軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目。目前，項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

目前長鑫存儲的月產能約為2萬片晶圓，但隨著該公司訂單量的增長，產量也將逐漸提升。預計到 2020年底，其10nm級工藝技術的產能為12萬片晶圓（12英寸）。

長鑫存儲表示，其77%員工都是從事研發(fā)相關工作的工程師。今年5月，長鑫存儲董事長兼CEO朱一明曾表示，從技術來源角度，合肥長鑫與奇夢達合作，并結合了長鑫自己的技術。通過與奇夢達合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件（約2.8TB數(shù)據）收歸囊中。現(xiàn)如今已經完成了早期積累。

據了解，長鑫存儲正在使用其 10G1 技術（19 nm 工藝）來制造4 Gb和8 Gb DDR4存儲器芯片，目標在 2020 年第一季度將其商業(yè)化并投放市場，該技術將用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存儲器。

從路線圖來看，長鑫存儲還規(guī)劃了針對DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及LPDDR5的10G3（17 nm工藝）產品。預計CXMT 10G5工藝將使用 HKMG 和氣隙位線技術，并在遠期使用柱狀電容器、全能柵極晶體管、以及極紫外光刻（EUVL）工藝。

此前該公司計劃于2019年初開始生產DDR4內存，但新路線圖已經推遲了一年。最后，該公司還計劃再建兩座DRAM晶圓廠。