國產(chǎn)SSD將迎來爆發(fā) 長江存儲(chǔ)自主開發(fā)64層3D閃存已量產(chǎn)

根據(jù)楚天都市報(bào)的報(bào)道，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)介紹，楊道虹表示，當(dāng)前以及今后一段時(shí)間他們目前的任務(wù)是如期達(dá)成月產(chǎn)能10萬片，在二期項(xiàng)目中將會(huì)達(dá)到30萬片／月產(chǎn)能。

根據(jù)之前的介紹，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司早在2018年就公開發(fā)布其突破性技術(shù)—;—;Xtacking，該技術(shù)將大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps。

根據(jù)官方的說明，采用Xtacking技術(shù)，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲(chǔ)單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking 技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

現(xiàn)在，長江存儲(chǔ)已成功將Xtacking 技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)，大規(guī)模量產(chǎn)之后，預(yù)計(jì)會(huì)有更多的儲(chǔ)存產(chǎn)品用上國產(chǎn)芯片。

楊道虹還透露稱，不僅64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，更高層的三維閃存產(chǎn)品研發(fā)也取得階段性成果，進(jìn)一步縮短了與國際龍頭企業(yè)的差距。

據(jù)悉，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司于2016年7月26日在武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)登記成立，公司經(jīng)營范圍包括半導(dǎo)體集成電路科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)；集成電路及相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)等。