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[導(dǎo)讀]多年來,半導(dǎo)體行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)存儲格局一直是DRAM內(nèi)存+HDD機(jī)械硬盤/SSD固態(tài)硬盤,不過各家巨頭也一直在探尋新的、更好的方案,比如Intel的傲騰,就致力于消弭內(nèi)存與硬盤之間的鴻溝。還有一種方案就是M

多年來,半導(dǎo)體行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)存儲格局一直是DRAM內(nèi)存+HDD機(jī)械硬盤/SSD固態(tài)硬盤,不過各家巨頭也一直在探尋新的、更好的方案,比如Intel的傲騰,就致力于消弭內(nèi)存與硬盤之間的鴻溝。

還有一種方案就是MRAM(磁阻式隨機(jī)訪問內(nèi)存),Intel、IBM、三星、海力士、東芝、TDK等大廠和一些創(chuàng)業(yè)企業(yè)都研究了好多年。現(xiàn)在,Intel宣布他們的MRAM已經(jīng)準(zhǔn)備好大規(guī)模量產(chǎn)了!

MRAM存儲技術(shù)和NAND閃存類似是非易失性的,也就是斷電后不會丟失數(shù)據(jù),而寫入速度可以達(dá)到NAND閃存的數(shù)千倍,建立時間(settling time)可以達(dá)到1納秒,比目前DRAM內(nèi)存的理論限制還要好,等于綜合了RAM內(nèi)存、NAND閃存的優(yōu)點(diǎn),可以兼做內(nèi)存和硬盤。

同時很關(guān)鍵的是,它對制造工藝要求低,而且在傳統(tǒng)DRAM工藝升級越來越難的情況下,MRAM卻可以更輕松地更新,良品率也高得多,意味著成本可以得到更有效地控制。

Intel即將量產(chǎn)的MRAM就采用了很成熟的22nm FFL FinFET制造工藝,良品率居然超過了99.998%!對于一種很全新存儲技術(shù)來說相當(dāng)不可思議。

至于為何不用更新的14nm,可能是MRAM目前對新工藝不敏感,也可能是Intel 14nm工藝現(xiàn)在產(chǎn)能太緊張了,騰不出手來。

按照Intel給出的技術(shù)規(guī)格,這種MRAM的每個存儲單元的面積為0.0486平方微米、容量7Mb,讀取時間0.9V電壓下4納秒、0.8V電壓下8納秒,寫入時間-40℃下也有10微秒,寫入壽命不低于一百萬。

壽命那是相當(dāng)?shù)拈L,標(biāo)準(zhǔn)耐受溫度范圍-40℃到125℃,而Intel工程師強(qiáng)調(diào),即便放置在200℃高溫下數(shù)據(jù)完整性也能保持10年之久。

不過,MRAM具體什么時間投入規(guī)模量產(chǎn),用于何種產(chǎn)品之上,Intel尚未給出更詳細(xì)的說明。

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