持續(xù)發(fā)力中國市場，Soitec宣布中國市場發(fā)展新戰(zhàn)略

消息，近日，Soitec在北京舉辦中國市場戰(zhàn)略調整計劃發(fā)布會，發(fā)布了中國市場發(fā)展新戰(zhàn)略。面對5G和人工智能市場需求，Soitec承諾將繼續(xù)加強本地化支持，直接面向中國客戶，助力中國半導體生態(tài)系統。

Soitec是全球最大的優(yōu)化襯底供應商，擁有Smart Cut、Smart Stacking、Epitaxy等核心技術，主要面向智能手機、汽車、云和物聯網市場。該公司在全球擁有1200多名員工、3000多項專利，在歐洲、美國和亞洲設有制造工廠、研發(fā)中心和辦事處。

會上，Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas Piliszczuk、全球業(yè)務部執(zhí)行副總裁Bernard Aspar和全球銷售主管Calvin Chen相繼介紹本次戰(zhàn)略調整的策略及意義，并在會后與進行了進一步交流。

SOI加持半導體性能提升

SOI全稱為Silicon On Insulator，即絕緣硅襯底，該技術是在頂層硅和背襯底之間引入一層氧化埋層。由于氧化埋層的隔離作用，晶體管源-漏間的寄生電容可大幅減小，半導體器件的延遲和動態(tài)功耗可以做的更低，且SOI與現有硅工藝兼容，可減少約20%的生產工序。

了解到，在目前的SOI襯底技術中，Smart Cut是最具發(fā)展?jié)摿Φ囊环N。Bernard Aspar在會上介紹稱，“Smart Cut就像是一把納米刀，能夠切割非常薄、非常完美的硅層，并將其疊加到其他的基體之上?！?/p>

據悉，Soitec充分了解用戶需求，開發(fā)了各種適用于不同類型應用和產品的全系列優(yōu)化襯底，目前有用于射頻前端模塊的RF-SOI、用于無縫高壓器件隔離的Power-SOI、用于高性能處理器的FD-SOI、用于壓電晶體的POI、用于光通信器件的Photonics-SOI，以及用于成像的Imager-SOI。這些SOI產品可加快滿足AI和5G在大規(guī)模連接、高帶寬、高可靠性和低延時性等方面的要求。

與HKMG（High-K Metal Gate，高介電常數金屬柵極）等技術相比，SOI襯底技術可適應更廣泛的發(fā)展需求。Thomas Piliszczuk在會后對解釋道，以HKMG技術為例，其最高只能適應28nm節(jié)點工藝，越過這一節(jié)點后就需要另尋他途。

而SOI技術從十幾年前的200nm工藝一直沿用至今天的14nm工藝，據法國研究機構CEA-LETI論證，SOI技術在未來的10nm及更小的節(jié)點上仍可繼續(xù)演進，不但能持續(xù)優(yōu)化半導體性能，且成本相比Finfet等柵極工藝相比也有優(yōu)勢。

在過去的一年里，5G的飛速進步使得射頻前端設計更加復雜，對RF-SOI晶圓的需求高速增長。另外，隨著AI、物聯網、汽車電子的蓬勃發(fā)展，具有節(jié)能優(yōu)勢的基于FD-SOI襯底的芯片設計開始廣受歡迎。

加速中國5G和AI發(fā)展

十年以來，Soitec一直是中國半導體行業(yè)的堅定合作伙伴。自2007年Soitec與中國大學和研發(fā)機構建立合作關系伊始，至如今與中國代工廠開展緊密合作，始終致力于為中國市場提供差異化價值。

Bernard Aspar在會上介紹稱，中國近年來以超過美國240億美元的成本投資于5G網絡的基礎建設，在人工智能領域的投資占全球總額的近60%。預計到2020年，中國半導體行業(yè)增長率將達到20%，5G將支持物聯網的廣泛應用，并為自動駕駛技術等AI應用提供巨大的機會。

他表示，人工智能和物聯網將引發(fā)新一輪半導體革命，延遲、穩(wěn)定性、數據隱私、能耗及成本都在促使AI向邊緣端發(fā)展，更加需要低功耗解決方案。Soitec的FD-SOI優(yōu)化襯底通過在超低功耗層面實施基底偏壓，有助于實現AIoT的動態(tài)演變及豐富應用。

目前，RF-SOI材料已應用在幾乎所有智能手機中，并且容量隨著新產品的迭代更新而不斷增長；而FD-SOI所帶來的獨特射頻性能，使其成為諸如5G毫米波收發(fā)器等應用的理想解決方案，并能夠為物聯網實現全射頻和超低功耗計算集成。

據介紹，FD-SOI已經應用于多個AIoT解決方案，如NXP i.MX RT600交叉處理器采用了FD-SOI解鎖邊緣機器學習和人工智能的潛力；Lattice基于FD-SOI的下一代持續(xù)在線FPGA低功耗機器學習推理（從1mW到1W），設計人員可以構建緊湊的高性能AI芯片；Synaptics下一代人機界面由基于FD-SOI的AI環(huán)境計算提供支持智能將向邊緣發(fā)展；Rockchip RK1808采用22nm FD-SOI工藝的終極低功耗解決方案，內置3TOP NPU，專為各種人工智能和物聯網應用而設計，相比主流的28nm工藝，功耗可降低約30％。

中法企業(yè)合作，共建行業(yè)新標準

Soitec從2007年開始與中國研究單位合作，為中國提供服務有超過10年。

Calvin Chen表示，Soitec依托中國高速發(fā)展的大環(huán)境，成功部署了依賴于整個生態(tài)系統的協作體系，包括基礎設施和網絡供應商、OEM廠商、無晶圓廠、集成器件制造、設計公司、晶圓代工、襯底、研發(fā)和學術界等。

在會上獲悉，今年2月26日，Soitec宣布成為首家加入中國移動5G聯合創(chuàng)新中心的材料供應商。中國移動5G聯合創(chuàng)新中心是國際化聯盟，致力于為中國開發(fā)5G通信解決方案。硅基和非硅基優(yōu)化襯底對于5G移動通信在自動駕駛汽車、工業(yè)連接和VR等領域的大規(guī)模部署發(fā)揮著至關重要的作用。

除了為中國客戶提供銷售與技術支持外，Soitec通過與上海新傲科技建立長期合作伙伴關系，可為中國客戶提供高品質、及時與高產量的SOI晶圓供應。

會后進一步了解到，今年2月，Soitec剛剛宣布與新傲科技加強合作關系，擴大新傲科技位于中國上海制造工廠的200mm SOI晶圓年產量，產能將從每年180000片翻倍至每360000片，以更好地服務全球市場對RF-SOI和Power-SOI產品的增長性需求。新傲科技將負責SOI晶圓制造，Soitec則管理全球產品銷售。目前，新傲科技工廠已獲得了多家國內外主要客戶的認可。

Soitec不僅為建設新一代首批5G和Sub-6GHz設備基礎設施生產了大量300mm RF-SOI晶圓，而且為客戶提供多種65nm、28nm和22nm節(jié)點制造的FD-SOI產品。

Paul Boudre在會上表示，SOI的價值不僅體現于襯底層面，還體現于全球價值鏈中的設備、系統和終端應用層面。為了把Soitec的價值推廣到中國客戶以及中國客戶的下游消費者，Soitec將會在中國設立一支富有經驗的全球銷售及市場和業(yè)務拓展團隊，與全球價值鏈中的主要參與者展開廣泛的聯系。