第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立,難分高下
進(jìn)入21世紀(jì)以來,隨著摩爾定律的失效大限日益臨近,尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后,有兩位脫穎而出,它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。
SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了,但直到1955年,才有生長高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年,商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場;進(jìn)入21世紀(jì)后,SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開。相對于Si,SiC的優(yōu)點(diǎn)很多:有10倍的電場強(qiáng)度,高3倍的熱導(dǎo)率,寬3倍禁帶寬度,高一倍的飽和漂移速度。因?yàn)檫@些特點(diǎn),用SiC制作的器件可以用于極端的環(huán)境條件下。微波及高頻和短波長器件是目前已經(jīng)成熟的應(yīng)用市場。42GHz頻率的SiC MESFET,用在了軍用相控陣?yán)走_(dá)、通信廣播系統(tǒng)中,用SiC做為襯底的高亮度藍(lán)光LED則是全彩色大面積顯示屏的關(guān)鍵器件。
現(xiàn)在,SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。一些知名的半導(dǎo)體器件廠商,如ROHM,英飛凌,Cree,飛兆等都在開發(fā)自己的SiC功率器件。英飛凌公司在今年推出了第五代SiC肖特基勢壘二極管,其結(jié)合了第三代產(chǎn)品的低容性電荷(Qc)值與第二代產(chǎn)品的正向電壓(Vf)水平相結(jié)合,使PFC電路達(dá)到最高效率水平,擊穿電壓則達(dá)到了650V。飛兆半導(dǎo)體發(fā)布了SiC BJT,其實(shí)現(xiàn)了1200V的耐壓,傳到和開關(guān)損耗相對于傳統(tǒng)的Si器件降低了30~50%,從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。ROHM公司則推出了1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品,其實(shí)現(xiàn)了SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝,比Si-IGBT相比,工作損耗降低了70%,并可達(dá)到50kHz以上的開關(guān)頻率。值得一提的是,IGBT的驅(qū)動比較復(fù)雜,如果使用SiC基的MOSFET,則能使系統(tǒng)開發(fā)的難度大為降低。SiC的市場頗為被看好,根據(jù)預(yù)測,到2022年,其市場規(guī)模將達(dá)到40億美元,年平均復(fù)合增長率可達(dá)到45%。
說完了SiC,再來說說GaN。在上世紀(jì)90年代以前,因?yàn)槿狈线m的單晶襯底材料,而且位錯密度比較大,其發(fā)展緩慢,但進(jìn)入90年代以后,其發(fā)展迅速,年均增長率達(dá)30%,已經(jīng)成為大功率LED的關(guān)鍵性材料。同SiC一樣,GaN也開始進(jìn)軍功率器件市場。雖然,2012年的GaN市場上,IR和EPC公司是僅有的兩家器件供應(yīng)商,但是到明年,可能會有多家公司推出自己的產(chǎn)品。如果這些廠家在2014年擴(kuò)充產(chǎn)能,在2015年推出600V耐壓的GaN功率器件,整個市場的發(fā)展空間將得到極大地擴(kuò)充。
GaN的起步較SiC為早,但是SiC的發(fā)展勢頭更快。在早期,兩者因應(yīng)用領(lǐng)域不同,直接競爭的機(jī)會并不大。但隨著功率半導(dǎo)體市場向兩者打開,短兵相接就不可避免了。工業(yè)、新能源領(lǐng)域已經(jīng)成為兩者的戰(zhàn)場,而在汽車領(lǐng)域,因?yàn)閮r格原因,廠商雖愿意采用傳統(tǒng)的Si器件。不過,隨著GaN和SiC的快速發(fā)展,成本越來越接近Si器件,大規(guī)模登陸這個市場的時間應(yīng)該不遠(yuǎn)了。
現(xiàn)在,Si晶圓的主流尺寸已經(jīng)達(dá)到300mm(12英寸),但是SiC和GaN只能做到150mm(6英寸),這個差別的彌補(bǔ)還是需要一段時間的。但是對于半導(dǎo)體業(yè)界,投資者和大眾來說,出現(xiàn)了能挑戰(zhàn)傳統(tǒng)勢力的新貴,還是非常有意義的。在持續(xù)的關(guān)注和投入下,這兩者肯定能開出絢爛的花朵。