當(dāng)前位置:首頁 > 原創(chuàng) > 21ic專訪
[導(dǎo)讀]9月12日第十二屆電源技術(shù)研討會北京站召開,TOP-10電源產(chǎn)品獎頒獎,為21IC和今日電子一年一度的電源季畫上了圓滿的句號。和以往相比,今年GaN(氮化鎵)技術(shù)受關(guān)注的程度顯著提高,在研討會、頒獎禮和廠商交流中被多

9月12日第十二屆電源技術(shù)研討會北京站召開,TOP-10電源產(chǎn)品獎頒獎,為21IC和今日電子一年一度的電源季畫上了圓滿的句號。和以往相比,今年GaN(氮化鎵)技術(shù)受關(guān)注的程度顯著提高,在研討會、頒獎禮和廠商交流中被多次提及。如果還沒聽說過GaN,那你可就OUT了!

GaN具有寬帶隙、原子鍵強(qiáng)、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好和抗輻照能力強(qiáng)等特點(diǎn),在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,幾乎每個月都有新產(chǎn)品推出。
 
早在2010年GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模近乎為零時,iSuppli就大膽預(yù)測這一市場將在今年猛增至1.8億美元。當(dāng)時,GaN還處在研究室評測階段,商用的企業(yè)僅有國際整流器公司(IR)和宜普公司(EPC)。短短三年間,各大廠商紛紛宣布投入GaN的研發(fā),市場規(guī)??焖贁U(kuò)大。因具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場,GaN成為了開發(fā)高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料?;贕aN材料已經(jīng)開發(fā)出了金屬場效應(yīng)晶體管(MESFET)、異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管(MODFET)等新型器件。GaN功率器件與基于硅(Si)的功率MOSFET相比,具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn),可提高電源電路的轉(zhuǎn)換效率。GaN同時也是一種理想的短波長發(fā)光器件材料,GaN及其合金的帶隙復(fù)蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。

作為最早將GaN推向市場的公司之一,IR認(rèn)為,GaN功率器件最終將于大多數(shù)應(yīng)用取代硅功率器件,也將用于一些目前尚未能通過硅器件來實(shí)現(xiàn)的新型應(yīng)用。GaN功率器件的目標(biāo)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用包括AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器、D類音頻和照明系統(tǒng)。IR高產(chǎn)量的150mm硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶圓以及相關(guān)的器件制造工藝,能夠與其現(xiàn)有的硅制造設(shè)施完全匹配。

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)的GaN技術(shù)研究已持之多年,如今正在其比利時Oudenaarde生產(chǎn)廠建設(shè)GaN工藝線。ON Semiconductor已經(jīng)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目,該項(xiàng)目著重于開發(fā)200mm晶圓上的硅基氮化鎵技術(shù),及降低氮化鎵器件成本和提升性能。

宜普公司(EPC)的無線電源傳送開發(fā)板EPC9005獲得了第十一屆年度TOP-10電源產(chǎn)品獎優(yōu)化開發(fā)獎。這款開發(fā)板最大輸出電流7A的半橋電路設(shè)計(jì),內(nèi)含兩個EPC2014(40V)氮化鎵場效應(yīng)晶體管,并采用德州儀器公司專為氮化鎵器件而優(yōu)化的柵極驅(qū)動器(LM5113)。EPC在其出版物《氮化鎵晶體管——高效功率轉(zhuǎn)換器件》中指出,在未來的十年內(nèi),本著氮化鎵器件在性能和成本方面的巨大優(yōu)勢,它很可能成為主導(dǎo)。

GaN是與SiC(碳化硅)類似的寬帶隙材料,但被認(rèn)為成本下降的空間更大。SiC肖特基二極管已存在十多年,最近幾年SiC金氧半場效晶體管、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管和雙極型晶體管相繼出現(xiàn)。和慢熱的SiC相比,GaN被市場接受和全面開始商用來的更快。Intersil認(rèn)為SiC和GaN器件的應(yīng)用對電源管理領(lǐng)域帶來的影響將是革命性的。電源產(chǎn)品的效率,功率密度和性能將會顯著提高,昂貴的能源之星金牌與白金標(biāo)準(zhǔn)有望被強(qiáng)制執(zhí)行,新一輪的產(chǎn)品升級浪潮將給電源管理行業(yè)帶來蓬勃生機(jī)。


據(jù)iSuppli預(yù)測,GaN上硅設(shè)備與基于傳統(tǒng)硅材料的MOSFET、IGBT或整流器將在2019年實(shí)現(xiàn)平價和同等性能,至2022年GaN功率市場銷售額將超過10億美元大關(guān)。

業(yè)界對GaN技術(shù)信心滿滿,越來越多公司已宣布加入到GaN器件研發(fā)的行列,如果你還不了解GaN,趕快行動起來吧!

 

 

 

 

 

 

 

 

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

9月2日消息,不造車的華為或?qū)⒋呱龈蟮莫?dú)角獸公司,隨著阿維塔和賽力斯的入局,華為引望愈發(fā)顯得引人矚目。

關(guān)鍵字: 阿維塔 塞力斯 華為

加利福尼亞州圣克拉拉縣2024年8月30日 /美通社/ -- 數(shù)字化轉(zhuǎn)型技術(shù)解決方案公司Trianz今天宣布,該公司與Amazon Web Services (AWS)簽訂了...

關(guān)鍵字: AWS AN BSP 數(shù)字化

倫敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英國汽車技術(shù)公司SODA.Auto推出其旗艦產(chǎn)品SODA V,這是全球首款涵蓋汽車工程師從創(chuàng)意到認(rèn)證的所有需求的工具,可用于創(chuàng)建軟件定義汽車。 SODA V工具的開發(fā)耗時1.5...

關(guān)鍵字: 汽車 人工智能 智能驅(qū)動 BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越來越多用戶希望企業(yè)業(yè)務(wù)能7×24不間斷運(yùn)行,同時企業(yè)卻面臨越來越多業(yè)務(wù)中斷的風(fēng)險(xiǎn),如企業(yè)系統(tǒng)復(fù)雜性的增加,頻繁的功能更新和發(fā)布等。如何確保業(yè)務(wù)連續(xù)性,提升韌性,成...

關(guān)鍵字: 亞馬遜 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,據(jù)媒體報(bào)道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對日本游戲市場的投資。

關(guān)鍵字: 騰訊 編碼器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會開幕式在貴陽舉行,華為董事、質(zhì)量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

關(guān)鍵字: 華為 12nm EDA 半導(dǎo)體

8月28日消息,在2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會上,華為常務(wù)董事、華為云CEO張平安發(fā)表演講稱,數(shù)字世界的話語權(quán)最終是由生態(tài)的繁榮決定的。

關(guān)鍵字: 華為 12nm 手機(jī) 衛(wèi)星通信

要點(diǎn): 有效應(yīng)對環(huán)境變化,經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)中有升 落實(shí)提質(zhì)增效舉措,毛利潤率延續(xù)升勢 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務(wù)引領(lǐng)增長 以科技創(chuàng)新為引領(lǐng),提升企業(yè)核心競爭力 堅(jiān)持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強(qiáng)核心競爭優(yōu)勢...

關(guān)鍵字: 通信 BSP 電信運(yùn)營商 數(shù)字經(jīng)濟(jì)

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺與中國電影電視技術(shù)學(xué)會聯(lián)合牽頭組建的NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會上宣布正式成立。 活動現(xiàn)場 NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)...

關(guān)鍵字: VI 傳輸協(xié)議 音頻 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會上,軟通動力信息技術(shù)(集團(tuán))股份有限公司(以下簡稱"軟通動力")與長三角投資(上海)有限...

關(guān)鍵字: BSP 信息技術(shù)
關(guān)閉
關(guān)閉