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[導(dǎo)讀]1、新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足今后在從事GaN功率元件的半導(dǎo)體廠商之間,估計會展開激烈的價格競爭。尤其是韓國、中國大陸和臺灣等亞洲半導(dǎo)體廠商全面涉足GaN功率元件業(yè)務(wù)之后,價格競爭將更為激

1、新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足

今后在從事GaN功率元件的半導(dǎo)體廠商之間,估計會展開激烈的價格競爭。尤其是韓國、中國大陸和臺灣等亞洲半導(dǎo)體廠商全面涉足GaN功率元件業(yè)務(wù)之后,價格競爭將更為激烈。GaN功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)能夠沿用過去生產(chǎn)邏輯IC等產(chǎn)品使用的支持6~8英寸Si基板的生產(chǎn)設(shè)備以及面向LED引進的GaN類半導(dǎo)體外延設(shè)備等,這將推動亞洲企業(yè)涌進該市場。

實際上,在2013年5月舉行的功率半導(dǎo)體相關(guān)國際會議“ISPSD 2013”上,中國大陸、臺灣、韓國等亞洲企業(yè)紛紛發(fā)布了GaN功率元件方面的研究成果。其中,三星電子的成果備受關(guān)注。該公司已在口徑200mm(8英寸)的Si基板上試制出了GaN功率晶體管。

新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足

21ic編輯視點:與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比,SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。以前推出的SiC MOSFET只有平面型,尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一,因此可以進一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后,采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就是說,能夠削減成本。由此,未來GaN功率元件的半導(dǎo)體廠商之間的激戰(zhàn)也是不無可能的。

 

2、誰是2014LTE芯片市場大贏家:高通VS聯(lián)發(fā)科 IntelVS博通

2014年LTE晶片大戰(zhàn)白熱化。在聯(lián)發(fā)科、博通與英特爾等業(yè)者相繼推出LTE晶片方案后,高通在LTE晶片市場的占有率正逐漸被瓜分;將使2014年LTE晶片市場競爭態(tài)勢進入新的局面。聯(lián)發(fā)科于11月底正式推出八核心智慧型手機方案--MT6592,布局高階市場,在LTE市場競爭中贏得更多砝碼,也拉開了這場大戰(zhàn)的序幕。高通隨即回擊證明其霸主地位。與此同時,博通與英特爾也在積極爭奪LTE榜眼的位置。全球LTTE市場競爭態(tài)勢將愈趨激烈。

誰是2014LTE芯片市場大贏家

21ic編輯視點:隨著LTE市場日趨熱鬧,雖然高通一家獨大占據(jù)著九成以上的市場,但風(fēng)水輪流轉(zhuǎn),幾年后轉(zhuǎn)到誰家還真說不定。據(jù)Gartner預(yù)估,明年高通仍將占據(jù)八成以上市場份額穩(wěn)居狀元,聯(lián)發(fā)科則受惠于中國移動等中國大陸電信商采購案的營收挹注緊追于后位居榜眼,至于博通及英特爾間的探花爭奪戰(zhàn),則將由歐洲開始延燒。LTE打的一片火熱,明年會給我們消費者帶來什么驚喜呢,我們拭目以待。

 

3、國內(nèi)電壓最高IGBT芯片研制成功

近日消息,由湖南株洲南車時代電氣股份有限公司自主研發(fā)的6500伏高壓IGBT芯片及模塊獲得了中國工程院、中國科學(xué)院的3位院士以及中科院微電子所、南京大學(xué)、中南大學(xué)等單位的專家的肯定。該產(chǎn)品具有耐高壓、損耗低、可靠性強等特點,尤其是“解決了芯片短路電流能力與關(guān)斷能力難協(xié)調(diào)的國際性技術(shù)難題”。據(jù)介紹,6500伏IGBT芯片是國內(nèi)目前電壓等級最高超級芯片,與3300伏芯片相比,其功耗降低10%以上,功率提高25%以上,最高工作溫度可到150℃,可靠性更強、安全性能更高、應(yīng)用范圍更廣。該產(chǎn)品研制成功,打破了國外在這一領(lǐng)域的技術(shù)封鎖,填補了國內(nèi)空白。

國內(nèi)電壓最高IGBT芯片研制成功

21ic編輯視點:此前,雖然我國掌握了低電壓等級條件下IGBT芯片產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、封裝等成套技術(shù)。但高電壓IGBT芯片技術(shù)一直被英飛凌、ABB、三菱等少數(shù)幾個國外企業(yè)壟斷、控制。隨著我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,IGBT芯片的需求也日益增長,我國成為了全球最大的IGBT需求國。南車時代高電壓IGBT的研發(fā),打破了國外技術(shù)的壟斷,為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

 

4、科學(xué)家研制出太陽能充電手機屏幕 實現(xiàn)"無限電量"

國外科學(xué)家最新研制出一種太陽能充電手機屏幕,能夠使手機隨時隨地保持充電狀態(tài),讓手機電量幾乎“永不枯竭”。報道稱,只要暴露在陽光下,這種智能屏幕每10分鐘就可產(chǎn)生大約16分鐘的手機通話電量。同時,其在人造光線下還有不俗的發(fā)電能力。這項成果是基于光電轉(zhuǎn)換的新技術(shù),其原理與普通太陽能電池不同,它體積更小、轉(zhuǎn)換效率更高,并且具有極高的透明性。該技術(shù)可適用于各種屏幕和窗戶,甚至能將任何物體表面作為能量來源。

科學(xué)家研制出太陽能充電手機屏幕 實現(xiàn)"無限電量"

21ic編輯視點:智能手機最令人頭痛的就是電池續(xù)航問題,各種新的充電方法也陸續(xù)出現(xiàn)。除了無線充電如火如荼以外,最近以“太陽光充電器”人們利用發(fā)電產(chǎn)品自己給智能手機充電的話題也成了熱點。如果解決了發(fā)電效率低、成本高、日常使用花費大等障礙的話,購買新手機到下次換手機為止無需充電這樣的“無需充電手機”也有實現(xiàn)的可能性,智能手機充電技術(shù)還有待進一步發(fā)展和普及。

 

5、未來屏幕:觸摸屏?xí)豢諝馄了〈鷨?

根據(jù) Displair公司的創(chuàng)始人、俄羅斯設(shè)計師 Max Kamanin 的說法,由薄霧和空氣所形成的高科技顯示屏將是“可視化技術(shù)的未來”。此前他們公司發(fā)布的空氣觸摸屏已經(jīng)展示過了這種實現(xiàn)方式,那就是將3D影像投影到空氣中的薄霧上,制造出全息影像。Kamanin 解釋說:“空氣屏是由類似云層中的極小的水滴所構(gòu)成的,由于這種水滴極其細小,所以并不會周圍環(huán)境的濕度造成影響。如果拿紙張或用眼鏡進行測試,你就會發(fā)現(xiàn)沾過空氣屏的紙依然是干的,而眼鏡上也不會出現(xiàn)水霧。當影像投影到這些小水滴上,我們就可以看到空氣屏顯示出投影的內(nèi)容。”由空氣、水分和光所組成的 Displair(空氣屏),是新興的全息及3D投影產(chǎn)業(yè)中的簡單概念之一。

未來屏幕:觸摸屏?xí)豢諝馄了〈鷨?

21ic編輯視點:如果按鍵是屏幕的過去,觸屏是它的現(xiàn)在,那么屏幕的未來是什么?這可不是一個小打小鬧的謎語,這是個嚴肅且有深度的問題。一旦有了空氣屏,人們就不再需要玻璃屏這種東西了,因為我們已經(jīng)進入了無形屏幕的時代。但是現(xiàn)在還需要多專研基礎(chǔ)技術(shù),提高圖片的質(zhì)量和空氣屏的反應(yīng)速度才是目前的研究重點。

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