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[導(dǎo)讀]1、中芯國際與美國高通公司合作推進(jìn)中國28納米晶圓制造2014年7月,國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國際與美國高通公司共同宣布,中芯國際將與美國高通公司的子公司(美國高通技術(shù)公司)在28納米工

1、中芯國際與美國高通公司合作推進(jìn)中國28納米晶圓制造

2014年7月,國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國際與美國高通公司共同宣布,中芯國際將與美國高通公司的子公司(美國高通技術(shù)公司)在28納米工藝制程和晶圓制造服務(wù)方面緊密合作,在中國制造高通驍龍?zhí)幚砥?。美國高通技術(shù)公司是全球最大的無晶圓廠半導(dǎo)體供應(yīng)商之一和全球3G、4G及下一代無線技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè),其驍龍?zhí)幚砥鲗橐苿咏K端而設(shè)計。該合作將會提升中芯國際28納米制程的成熟度及產(chǎn)能,也使其成為中國本土率先為美國高通技術(shù)公司部分最新的驍龍?zhí)幚砥魈峁?8納米多晶硅和28納米高介電常數(shù)金屬閘極工藝制程產(chǎn)品的半導(dǎo)體代工企業(yè)之一。

中芯國際與美國高通公司合作推進(jìn)中國28納米<strong>晶圓制造</strong>

21ic編輯視點:高通與中芯國際的合作,一方面暗示高通正計劃為未來需求提高產(chǎn)能。高通是臺積電的主要客戶,2012年臺積電28納米生產(chǎn)技術(shù)慢于預(yù)期,影響了對包括高通和英偉達(dá)在內(nèi)客戶的芯片供應(yīng)。另一方面,高通此舉亦可緩和改善與中國政府的關(guān)系。中國反壟斷監(jiān)管機構(gòu)指責(zé)高通收費過高,并濫用其市場地位,高通可能將面臨逾10億美元的罰款。最后,高通的技術(shù)援助或許能重振中國半導(dǎo)體業(yè)。

 

2、NI與Nokia合作進(jìn)行新一代5G系統(tǒng)開發(fā)

美商國家儀器(NI)宣布將與諾基亞(Nokia)的網(wǎng)路事業(yè)合作,攜手研究進(jìn)階的5G無線技術(shù),其中包含10Gbit/s以上的峰值資料速率,和100Mbit/s以上的基地臺邊緣速率。Nokia研究與技術(shù)副總Lauri Oksanen表示,Nokia實驗性質(zhì)的5G概念驗證系統(tǒng),采用了NI的LabVIEW和PXI基頻模組,這是目前最先進(jìn)的實驗系統(tǒng)之一,有助于快速制作5G無線介面原型。Nokia采用NI的整合式硬體和軟體基頻平臺,希望能藉此加快研究速度,盡快證明高頻率毫米波能否做為5G無線電存取技術(shù)。

NI與Nokia合作進(jìn)行新一代5G系統(tǒng)開發(fā)

21ic編輯視點:5G技術(shù),無線容量將比2010年高出1000倍,提供服務(wù)所需能源將節(jié)約90%,平均服務(wù)創(chuàng)建周期將從90小時縮小到90分鐘,擁有為70億人服務(wù)的能力。歐盟早在兩年前就已經(jīng)開始了5G技術(shù)的研究項目。最近,5G似乎逐漸進(jìn)入人們的視野。不論華為中興,國內(nèi)外的電信供應(yīng)商們都熱衷于5G技術(shù)的研發(fā)。

 

3、NAND Flash進(jìn)入10納米時代

不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開10納米時代,DRAM卻無法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光技術(shù),有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換,但電容器制程問題是一大難題,由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)單價,導(dǎo)致存儲器業(yè)者態(tài)度并不積極。日前業(yè)界傳出消息,指出DRAM制程短期內(nèi)恐停滯在20納米的可能性很高。由25納米轉(zhuǎn)進(jìn)20納米時,追加設(shè)備投資的負(fù)擔(dān)不大,但10納米代的制程建設(shè),沒有追加相當(dāng)?shù)念A(yù)算無法完成。

NAND Flash進(jìn)入10納米時代

21ic編輯視點:由于三星、SK海力士等領(lǐng)先企業(yè)優(yōu)先投資系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash制程轉(zhuǎn)換,NAND Flash已經(jīng)進(jìn)入10納米時代。系統(tǒng)半導(dǎo)體與NAND Flash技術(shù)的快速進(jìn)展,也影響業(yè)者的策略。 NAND Flash進(jìn)入16納米制程已近在眼前,系統(tǒng)半導(dǎo)體也受益于鰭式場效晶體管技術(shù),讓14~16納米先進(jìn)制程得以應(yīng)用。

 

4、愛立信“歸來”:PK高通聯(lián)發(fā)科勝算幾何?

在近日召開的亞洲移動通信博覽會上,愛立信借中國移動展臺展出了五模LTE芯片M7450。愛立信此次推出的屬于modem芯片,同時支持載波聚合、VoLTE和IMS。modem市場的玩家基本就高通、海思、聯(lián)發(fā)科和三星等,而三星只在本國銷售的產(chǎn)品上使用自己的modem芯片,即便強大如英特爾在收購英飛凌后至今也未推出成熟的方案。但是愛立信的壓力也不小。例如在modem領(lǐng)域,高通和海思也推出了五模多頻modem芯片,而愛立信的芯片還不支持多載波聚合的Cat6,在性能上略低一籌。此外,愛立信此次推出的是獨立的modem方案,而能夠采用modem芯片和AP獨立方案的通常只有高端手機,這限制了愛立信芯片的目標(biāo)市場范圍。

愛立信歸來PK<strong>高通</strong>聯(lián)發(fā)科勝算幾何

21ic編輯視點:愛立信的這一舉措出乎人們意料,因為2012年索尼愛立信的解體,標(biāo)志著愛立信已從終端領(lǐng)域全身而退;而一年之前意法半導(dǎo)體的關(guān)閉,畫外音就是愛立信的手機芯片并不成功。之后,愛立信在終端芯片領(lǐng)域幾乎銷聲匿跡。此次愛立信借M7450殺了個回馬槍,面對激烈的競爭,愛立信能否左右突擊,殺出重圍,目前來看還存在諸多變數(shù)。

 

5、物聯(lián)網(wǎng)安全漏洞LED燈泡被入侵

英國資安研究公司ContextInformationSecurity發(fā)布聲明警告所有物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)公司表示,由LIFX公司所生產(chǎn),支持無線連網(wǎng)的LED燈泡存在著安全風(fēng)險。這些由新創(chuàng)科技公司LIFX生產(chǎn)的LED燈泡,采用802.15.46LoWPAN網(wǎng)絡(luò),讓燈泡可以在連接Wi-Fi后透過手機App連結(jié)進(jìn)行遙控。只要監(jiān)聽網(wǎng)絡(luò)封包,即可透過這些燈泡發(fā)現(xiàn)加密的網(wǎng)絡(luò)設(shè)定訊息。基本上,要了解所使用的加密方式,Context公司必須將兩個微控系統(tǒng)單元(TI及STM,均為Cortex-M3)與JTAG測試用連接埠連線,一但連結(jié)上之后,就可以讀取加密演算法、金鑰和無線網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò)協(xié)定。這些資料將讓公司或企業(yè)可以置入網(wǎng)絡(luò)封包,而這些動作將不會被偵測到。

物聯(lián)網(wǎng)安全漏洞LED燈泡被入侵

21ic編輯視點:物聯(lián)網(wǎng)對終端用戶規(guī)劃了諸多的美好福利,但同時也呈現(xiàn)出很嚴(yán)肅的安全與數(shù)據(jù)隱私挑戰(zhàn)。很明顯,在這股物聯(lián)網(wǎng)浪潮中,諸多需要網(wǎng)絡(luò)連線的設(shè)備在安全性的要求上并沒有到達(dá)它們該有的優(yōu)先等級。 有些安全漏洞可能存在于產(chǎn)品設(shè)計的根基中。雖然目前看起來有許多物聯(lián)網(wǎng)公司都存在這樣的問題,但相信隨著這些問題的一一暴露,物聯(lián)網(wǎng)的安全系數(shù)會達(dá)到我們的預(yù)期。[!--empirenews.page--]

 

6、IBM矢志于2020年實現(xiàn)CNT電晶體

由于國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)要求必須在2019年達(dá)到5nm節(jié)點,因此,IBM公司設(shè)定的目標(biāo)是在2020年以前實現(xiàn)碳奈米管電晶體(CNT)。IBM最近制作出具有多達(dá)10,000個 CNT 的電路。根據(jù)該設(shè)計的模擬作業(yè)預(yù)測,其性能可較矽晶更快5倍。根據(jù)IBM表示,目前還必須克服幾項障礙,才能符合2020年的最后期限,其中最重要的是分離金屬奈米管中的半導(dǎo)體,但這個問題從二十多年前起就一直無法解決。IBM致力于達(dá)到2020年最后期限的目標(biāo),但也坦承必須克服所有的主要障礙,才能使計劃持續(xù)至2020年以后。屆時,其他如自旋電子學(xué)等目前還不夠成熟的技術(shù),也可望超越碳奈米管的研究。

IBM矢志于2020年實現(xiàn)CNT電晶體

21ic編輯視點:時至今日,最小的矽電晶體已經(jīng)達(dá)到原子極限了。為了進(jìn)展到下一個矽晶世代,除了各種缺陷和摻雜不均的問題以外,業(yè)界還面臨著矽電晶體尺寸進(jìn)一步縮小的挑戰(zhàn)。如果IBM或其他廠商能夠?qū)崿F(xiàn)最佳化的1.4nm電晶體通道,那么摩爾定律就能再持續(xù)向前進(jìn)展;否則的話,業(yè)界就得再發(fā)展出一種全新的模式。

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