Peregrine：CMOS將打破GaAs在RF的地位

Peregrine最新推出了一款UItraCMOS Global 1全集成系統(tǒng)解決方案，它采用Peregrine的130納米RF-SOI工藝技術(shù)的UItraCMOS 10工藝技術(shù)平臺(tái)。這是業(yè)界又一次對(duì)GaAs RF器件提出了挑戰(zhàn)。 Global 1集成了三通道多模多頻段功放(MMMB PA)模塊，PA切換開關(guān)模塊，天線切換開關(guān)模塊和天線調(diào)諧模塊。支持保羅跟蹤技術(shù)，還包含通用的RFFE MIPI控制接口。

隨著TDD-LTE在中國(guó)的不斷展開，支持使用率越來(lái)越高的2.3—2.7GHz頻率范圍內(nèi)的多個(gè)頻帶的需求在不斷增長(zhǎng)。在全球其他地區(qū)，這一頻率范圍內(nèi)的使用頻帶數(shù)量也在不斷增長(zhǎng)。而Global 1的純PA性能已經(jīng)可以和砷化鎵工藝技術(shù)想媲美了。在不包括通過(guò)ET or DPD技術(shù)帶來(lái)的性能改善的話，Global 1的性能也比同類CMOS PA高出10%。

除此之外，這款解決方案對(duì)LTE的支持也達(dá)到了和砷化鎵技術(shù)同樣的水平。Global 1可以支持高端的移動(dòng)智能終端，它可以根據(jù)模式優(yōu)化的PA性能消除其他影響因素。

不光如此，Global 1還強(qiáng)化了可配置功率的概念。它對(duì)頻段和模式可配置的操作方法改善了射頻性能并且達(dá)到傳統(tǒng)砷化鎵工藝技術(shù)的水平。通過(guò)自動(dòng)調(diào)諧的優(yōu)化方法家督了項(xiàng)目設(shè)計(jì)規(guī)劃。Global 1使得設(shè)計(jì)一款可全球范圍內(nèi)使用的4G LTE移動(dòng)終端成為可能，并且性能上也進(jìn)行了不小的突破。

隨著智能終端設(shè)計(jì)時(shí)間縮短，但需要支持的頻率越來(lái)越多。所以業(yè)界面臨的挑戰(zhàn)：一款可以全球范圍內(nèi)使用的移動(dòng)終端，做到這點(diǎn)的一個(gè)重要部分就是射頻前端。一部移動(dòng)終端對(duì)射頻前端的要求有以下幾點(diǎn)，首先它可以支持更多頻段的可擴(kuò)展性;其次要擁有可調(diào)諧的能力并且保證高隔離性能，可以解決多通路同時(shí)使用時(shí)帶來(lái)的問題;另外，對(duì)所有支持的模式和頻段的切換，只需要相對(duì)簡(jiǎn)單的調(diào)整并且能達(dá)到優(yōu)異的性能;最后還需要具備有競(jìng)爭(zhēng)力的功放性能。但是僅憑砷化鎵技術(shù)的話肯定達(dá)不到這樣的需求，但是CMOS卻可以，需要采用CMOS工藝技術(shù)的可配置能力來(lái)動(dòng)態(tài)配置不同的前端，唯一可行的解決方案的工藝技術(shù)選擇就是RF SOI。迄今為止，雖然CMOS在功放市場(chǎng)中的份額還小于GaAs，目前的CMOS PA仍然難以在成本和性能間取得平衡，CMOS PA既達(dá)不到砷化鎵功放的性能，成本優(yōu)勢(shì)也并非絕對(duì)。但是，即使在基于GaAs和LDMOS RF功率元件的主流PA模塊領(lǐng)域，供應(yīng)商也在增加CMOS輔助芯片，不少GaAS大廠也紛紛收購(gòu)CMOS PA公司做好技術(shù)儲(chǔ)備，這可能導(dǎo)致單片CMOS或SiGe-BiCMOS解決方案取代全部PA前端。再加上MEMS可調(diào)諧元件等新型技術(shù)，這種轉(zhuǎn)變正在加速。