高交會系列之ROHM：電源之外亦有新天地

 2015年11月16日～11月21日，中國國際高新技術(shù)成果交易會(簡稱高交會)在深圳會展中心隆重舉行。高交會集成果交易、產(chǎn)品展示、高層論壇、項目招商、合作交流于一體，是目前中國規(guī)模最大、最具影響力的科技類展會，有“中國科技第一展”之稱。經(jīng)過多年發(fā)展，高交會已成為中國高新技術(shù)領(lǐng)域?qū)ν忾_放的重要窗口，在推動高新技術(shù)成果商品化、產(chǎn)業(yè)化、國際化以及促進(jìn)國家、地區(qū)間的經(jīng)濟(jì)技術(shù)交流與合作中發(fā)揮著越來越重要的作用。ROHM作為全球知名的半導(dǎo)體知名廠商自然不會缺席此次展會。

在展會上ROHM展示了各種運用了ROHM擅長的模擬電源技術(shù)的高效電源解決方案，還展示業(yè)界領(lǐng)先的SiC功率元器件的最新產(chǎn)品陣容，以及IoT時代不可或缺的通信和傳感技術(shù)等。

在展臺中心可以看到各式各樣的消費類產(chǎn)品的展出。

在ROHM展臺上除了看到眾多出色的消費類產(chǎn)品展出之外，還有一款業(yè)界最高80V高耐壓降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器尤為引人矚目。

布局工業(yè)市場和汽車電子領(lǐng)域的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向

據(jù)ROHM工作人員介紹，今后，ROHM會更加側(cè)重車載和工業(yè)市場領(lǐng)域，給客戶提供穩(wěn)定供貨的產(chǎn)品，這款新開發(fā)的80V 高耐壓DC/DC 轉(zhuǎn)化器作為ROHM的旗艦產(chǎn)品，ROHM希望由此正式進(jìn)入80V的市場，今后會根據(jù)客戶的要求開發(fā)更多的電源產(chǎn)品，通過自己的設(shè)計和品質(zhì)來保證產(chǎn)品的質(zhì)量。

為此，ROHM開發(fā)出高達(dá)80V的MOSFET內(nèi)置型DC/DC轉(zhuǎn)換器“BD9G341AEFJ”。據(jù)介紹，“BD9G341AEFJ”采用功率系統(tǒng)工藝0.6µm的高耐壓BiCDMOS，作為非絕緣型DC/DC轉(zhuǎn)換器，實現(xiàn)了80V的業(yè)界最高耐壓水平，在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品陣容中，也是耐壓最高的產(chǎn)品。利用ROHM擅長的模擬設(shè)計技術(shù)優(yōu)勢，在80V級的DC/DC轉(zhuǎn)換器中，還實現(xiàn)了業(yè)界最高的轉(zhuǎn)換效率。與一般產(chǎn)品相比，功率效率最大可提高19%，穩(wěn)定運行時也可提高1.5%的電力效率，有助于實現(xiàn)工業(yè)設(shè)備的節(jié)能化。同時，按一般產(chǎn)品的保護(hù)功能，當(dāng)輸出引腳發(fā)生短路時，因無法抑制產(chǎn)生的熱量而使IC過熱，最終使IC損壞。

“BD9G341AEFJ”具有獨特的保護(hù)功能，即使輸出引腳發(fā)生意外短路，也可通過保護(hù)電路抑制發(fā)熱從而防止產(chǎn)品受損，因此還非常有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的可靠性。不僅如此，這些優(yōu)勢僅通過簡單的小型8引腳封裝即完全實現(xiàn)，可減少安裝面積和周邊零部件數(shù)量。

80V高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的領(lǐng)域主要是通信基站、電話終端、交換機(jī)的繼電器，以及電機(jī)驅(qū)動方面，比如吸塵器、電動自行車。

業(yè)界遙遙領(lǐng)先的SiC

熟悉ROHM的人都知道其SiC在業(yè)界的領(lǐng)先地位，此次展會上SiC的展出依舊是ROHM展臺的一大亮點。

“全SiC”功率模塊以低開關(guān)損耗特性為設(shè)備的高效化和小型化做貢獻(xiàn)。它的主要特點有高速開關(guān)、低開關(guān)損耗、高速恢復(fù)、消除寄生二極管通電導(dǎo)致的元件劣化問題。目前主要應(yīng)用在電機(jī)驅(qū)動、逆變器轉(zhuǎn)換器和太陽能發(fā)電/風(fēng)力發(fā)電，感應(yīng)加熱設(shè)備。

還有第2代SiC肖特基勢壘二極管，實現(xiàn)業(yè)界最小級別的VF，它是業(yè)界最小級別的正向電壓，具有快速恢復(fù)的特性，并且開關(guān)損耗顯著降低。應(yīng)用到太陽能功率調(diào)節(jié)器、開關(guān)電源和EV/HEV逆變器、充電器中。

SiC-MOSFETs具有的低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通電阻特性也同樣有助于進(jìn)一步節(jié)能。第2代SiC-MOSFET的特點是高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻(溫度變化小)，并且功率損耗大幅下降，可降低73%;在高溫環(huán)境下驅(qū)動最高溫度為175℃。第3代SiC溝槽型MOSFET的導(dǎo)通電阻更低，實現(xiàn)逆變器的密度提升，具有可高速開關(guān)、寄生二極管的方向恢復(fù)特性更佳、消除寄生二極管通電導(dǎo)致的元件劣化，Qg、寄生容量小等特點。

無線領(lǐng)域全面開花

在無線領(lǐng)域ROHM也同樣在暗自發(fā)力?？梢钥吹絉OHM展出的支持低功耗藍(lán)牙4.1標(biāo)準(zhǔn)的Bluetooth SMART芯片/模塊不僅能顯著降低工業(yè)電流及平均消耗電流，并且支持低功耗藍(lán)牙4.1，可用于BAN網(wǎng)關(guān)中，還提供模塊設(shè)計和多種工具，易于設(shè)備開發(fā)，目前，該模塊主要應(yīng)用在可穿戴設(shè)備、Beacon設(shè)備和醫(yī)療保健/健身器材中。

除此之外，ROHM還開發(fā)了支持Wi-SUN特定小功率的無線模塊，該模塊的電波到達(dá)距離遠(yuǎn)、低功耗、最適用于HEMS!有了它，任何設(shè)備均可輕松實現(xiàn)“Wi-SUN”通信。據(jù)悉，該模塊使用LAPIS Semiconductor(ROHM旗下公司)生產(chǎn)的IC，實現(xiàn)業(yè)界頂級的接收靈敏度，在920MHz頻段可實現(xiàn)遠(yuǎn)距離無線通信，目前應(yīng)用在HEMS，BEMS、智能儀表和路由器中。

功能強(qiáng)大的充電IC

值得一提的是ROHM的無線充電發(fā)送接收用控制IC，該款I(lǐng)C支持WPC(Qi)中等功率規(guī)格(15W以下)，具有的優(yōu)勢明顯：接收端BD57015GWL適用Qi/PMA兩種規(guī)格;與通用微控制器結(jié)合，組成符合Qi標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)射器BD57020MWV;LDO輸出電壓可在5～10V范圍內(nèi)分檔調(diào)節(jié)BD57015GWL。今后該款I(lǐng)C主要應(yīng)用在智能手機(jī)、平板電腦、所有移動設(shè)備、集成充電器智能手機(jī)后蓋當(dāng)中。

ROHM展臺還展示了可以實現(xiàn)開發(fā)出在連接信息設(shè)備與周邊設(shè)備的USB Type-C連接器中實現(xiàn)“USB Power Delivery”(以下簡稱“USBPD”)的供受電控制器IC“BM92TxxMWV”系列。通過實現(xiàn)電源線的通用化，能夠給智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦進(jìn)行智能充電。據(jù)介紹，“BM92TxxMWV”系列的制造工藝運用了最新的0.13µm BiCDMOS的細(xì)微工藝、高耐壓工藝和電路技術(shù)優(yōu)勢，實現(xiàn)了產(chǎn)品的小型化與功能優(yōu)化。在芯片內(nèi)部內(nèi)置高耐壓的MOS管驅(qū)動器，而這一點對一個數(shù)?；旌闲酒O(shè)計來說是非常重要的。普通的電子設(shè)備電壓基本都是只需5V，所以不涉及耐高壓的問題，但是如果提供100W的情況電壓就會升到20V，而ROHM支持輸入電壓高達(dá)28V，外圍的電可以直接接進(jìn)來，與一般系統(tǒng)相比，減少了包括外置電源IC在內(nèi)的零器件數(shù)量達(dá)20個以上。“BM92TxxMWV”也支持最新的USB Type-C標(biāo)準(zhǔn)Rev1.1和USBPD標(biāo)準(zhǔn)Rev2.0，在以往僅可支持7.5W以內(nèi)供電的USB Type-C設(shè)備間，可實現(xiàn)高達(dá)100W的供受電。

當(dāng)然，除此之外，ROHM的展臺還有很多值得細(xì)細(xì)“品味”的產(chǎn)品，如1A輸出DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊、鋰電池電池監(jiān)視LSI等。這些展品不僅種類眾多而且都融了當(dāng)前最尖端的新技術(shù)，可以肯定的是，在當(dāng)今日新月異的科技角逐中，ROHM在其中的“戲份”依舊很足。