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三星對(duì)決臺(tái)積電，兩強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)怎么看？

時(shí)間：2021-11-29 15:38:05
關(guān)鍵字： 三星    臺(tái)積電   
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[導(dǎo)讀]全球先進(jìn)制程大戰(zhàn)白熱化！?外媒披露，三星規(guī)劃在美國(guó)德州設(shè)廠，并將導(dǎo)入最先進(jìn)的3納米制程，頗有與臺(tái)積電直接對(duì)決的意味。目前業(yè)界是如何看待兩強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)？?又有什么觀察重點(diǎn)呢？傳三星斥資170億美金?擬在美設(shè)3納米廠根據(jù)多家外媒報(bào)導(dǎo)，三星將投資170億美金、選在德州泰勒市（Taylor）作...

全球先進(jìn)制程大戰(zhàn)白熱化！ 外媒披露，三星規(guī)劃在美國(guó)德州設(shè)廠，并將導(dǎo)入最先進(jìn)的3納米制程，頗有與臺(tái)積電直接對(duì)決的意味。目前業(yè)界是如何看待兩強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)？ 又有什么觀察重點(diǎn)呢？



傳三星斥資170億美金 擬在美設(shè)3納米廠



根據(jù)多家外媒報(bào)導(dǎo)，三星將投資170億美金、選在德州泰勒市（Taylor）作為美國(guó)第二座晶圓廠的設(shè)廠地點(diǎn)，且已獲得當(dāng)?shù)卣哳~補(bǔ)貼的承諾，目標(biāo)2024年量產(chǎn)。業(yè)界推測(cè)，三星極有可能在美國(guó)新廠導(dǎo)入最先進(jìn)的3納米GAA（環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)）制程，以爭(zhēng)搶超微、高通等大客戶(hù)訂單，力拼超車(chē)臺(tái)積電。

以量產(chǎn)時(shí)間來(lái)看，三星美國(guó)新廠與臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的5納米廠量產(chǎn)時(shí)間相近，不過(guò)投資金額、制程技術(shù)都會(huì)超前一段。 因此，市場(chǎng)相當(dāng)關(guān)注，三星傾洪荒之力布局先進(jìn)制程，是否會(huì)威脅晶圓代工霸主地位。對(duì)此，業(yè)界認(rèn)為，臺(tái)積電在制程技術(shù)、全球產(chǎn)能、客戶(hù)關(guān)系及供應(yīng)鏈管理上都具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，不是一朝一夕就能撼動(dòng)的。

首先是制程技術(shù)，臺(tái)積電3納米確定選擇沿用FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）架構(gòu)，而三星將改采GAA，兩強(qiáng)戰(zhàn)術(shù)大不同。業(yè)界表示，F(xiàn)inFET生態(tài)系統(tǒng)已相當(dāng)成熟，可沿用部分驗(yàn)證過(guò)的IP，對(duì)IC設(shè)計(jì)客戶(hù)來(lái)說(shuō)也更省事，在架構(gòu)不變、效能提升下，相對(duì)具備成本效益。而臺(tái)積電選擇3納米FinFET，勢(shì)必是深思熟慮過(guò)后的選擇，且有一定把握。

半導(dǎo)體業(yè)界：GAA制程量產(chǎn)難度高



三星3納米所采用的GAA架構(gòu)，據(jù)稱(chēng)可更精準(zhǔn)地控制通道電流、縮小芯片面積、降低耗電量。



不過(guò)業(yè)內(nèi)人士分析，GAA并不是近期才出現(xiàn)新的技術(shù)，只是過(guò)去都停留在實(shí)驗(yàn)室階段，量產(chǎn)的難度相當(dāng)高。這也是為什么臺(tái)積電、Intel都預(yù)計(jì)在2025年左右導(dǎo)入GAA架構(gòu)的原因，目的在爭(zhēng)取更多時(shí)間來(lái)完善下一世代的制程。

目前半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)對(duì)三星大量生產(chǎn)3納米GAA多抱持懷疑的態(tài)度，他們認(rèn)為，就算三星可以順利生產(chǎn)，但良率一定不會(huì)好。尤其先前三星靠著價(jià)格優(yōu)勢(shì)獲得部分訂單，卻因良率不佳，使客戶(hù)（如NVIDIA）重返臺(tái)積電下單，未來(lái)其他客戶(hù)會(huì)不會(huì)冒險(xiǎn)采用難度更高、現(xiàn)階段良率更不靠譜的GAA制程（注：良率不佳代表產(chǎn)能難拉升，客戶(hù)無(wú)法獲得保障），必須打個(gè)問(wèn)號(hào)。

在產(chǎn)能部分，雖然臺(tái)積電僅正式宣布美國(guó)5納米晶圓廠的規(guī)劃，但公司總裁魏哲家透露不排除在美興建第二座晶圓廠，暗示著未來(lái)有進(jìn)一步在美建置3納米的可能性。業(yè)界認(rèn)為，新廠早蓋晚蓋并不重要，還是要回歸先進(jìn)制程的穩(wěn)定性及成本，加上臺(tái)積電在全球布點(diǎn)、整體產(chǎn)能仍大勝對(duì)手，亦是其他競(jìng)爭(zhēng)者難以超越的一道檻。

臺(tái)積電優(yōu)勢(shì)在握惟地緣風(fēng)險(xiǎn)不可控



再?gòu)目蛻?hù)關(guān)系來(lái)看，三星若能如期推出3納米GAA制程，先撇開(kāi)良率疑慮不談，公司除代工外，也有生產(chǎn)自家產(chǎn)品，想要搶回蘋(píng)果大單的機(jī)會(huì)相當(dāng)渺茫，重要客戶(hù)可能只有自己、高通。反觀臺(tái)積一向秉持「everybody's foundry」，不與客戶(hù)競(jìng)爭(zhēng)，優(yōu)勢(shì)不言而喻。

至于在供應(yīng)鏈管理上，臺(tái)積電也是佼佼者。分析師表示，2019年爆發(fā)日韓貿(mào)易戰(zhàn)，雖然目前看似暫時(shí)平息，但日本是半導(dǎo)體原料大國(guó)，在全球缺料困境下，仍不排除因政治立場(chǎng)、產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系而傾斜臺(tái)廠。據(jù)傳，英偉達(dá)（NVIDIA）決定明年重返臺(tái)積電5納米家族，除考慮良率外，還有一個(gè)關(guān)鍵是臺(tái)積電可以獲得充裕的日本半導(dǎo)體材料。

整體來(lái)看，分析師認(rèn)為，臺(tái)積電一路走到現(xiàn)在的霸主位置，關(guān)鍵就在于「求穩(wěn)不求快」，相信穩(wěn)扎穩(wěn)打的3納米依舊是下一世代最具競(jìng)爭(zhēng)力的制程。 值得注意的是，三星擁有相當(dāng)賺錢(qián)的內(nèi)存事業(yè)，可以支持晶圓代工事業(yè)，價(jià)格也具備一定吸引力，仍不容輕忽它的野心。另外，無(wú)法預(yù)測(cè)的地緣政治風(fēng)險(xiǎn)，均是后續(xù)的觀察重點(diǎn)。




☆ END ☆


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