英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

【2024年3月12日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比， 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲(chǔ)量)提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。

CoolSiC 650v-1200v

CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2) 技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的效率。這為光伏、儲(chǔ)能、直流電動(dòng)汽車充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電源等功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的客戶帶來(lái)了巨大優(yōu)勢(shì)。與前幾代產(chǎn)品相比，采用CoolSiC? G2 的電動(dòng)汽車直流快速充電站最高可減少10%的功率損耗，并且在不影響外形尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)更高的充電功率?；贑oolSiC? G2器件的牽引逆變器可進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車的續(xù)航里程。在可再生能源領(lǐng)域，采用 CoolSiC? G2的太陽(yáng)能逆變器可以在保持高功率輸出的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小的尺寸，從而降低每瓦成本。

英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁 Peter Wawer 博士表示：“目前的大趨勢(shì)是采用高效的新方式來(lái)產(chǎn)生、傳輸和消耗能量。英飛凌憑借 CoolSiC? MOSFET G2 將碳化硅的性能提升到了新的水平。新一代碳化硅技術(shù)使廠商能夠更快地設(shè)計(jì)出成本更低、結(jié)構(gòu)更緊湊、性能更可靠，且效率更高的系統(tǒng)，在實(shí)現(xiàn)節(jié)能的同時(shí)減少現(xiàn)場(chǎng)的每瓦二氧化碳排放。這充分體現(xiàn)了英飛凌堅(jiān)持不懈持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、消費(fèi)、汽車領(lǐng)域的低碳化和數(shù)字化的創(chuàng)新?！?

英飛凌開(kāi)創(chuàng)性的CoolSiC? MOSFET溝槽柵技術(shù)推動(dòng)了高性能CoolSiC? G2解決方案的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)了更加優(yōu)化的設(shè)計(jì)選擇，與目前的SiC MOSFET技術(shù)相比，具有更高的效率和可靠性。結(jié)合屢獲殊榮的.XT封裝技術(shù)，英飛凌以更高的導(dǎo)熱性、更優(yōu)的封裝控制以及更出色的性能，進(jìn)一步提升了基于 CoolSiC? G2 的設(shè)計(jì)潛力。

英飛凌掌握了硅、碳化硅和氮化鎵(GaN)領(lǐng)域的所有的關(guān)鍵功率技術(shù)，可提供靈活的設(shè)計(jì)和領(lǐng)先的應(yīng)用知識(shí)，滿足現(xiàn)代設(shè)計(jì)的期待和需求。在推動(dòng)低碳化的過(guò)程中，基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)材料的創(chuàng)新半導(dǎo)體已成為能源高效利用的關(guān)鍵。