采樣電阻是用來獲取電路中某些電壓信號(hào)的元件。在電路中，采樣電阻被放置在希望被采樣的電路信號(hào)所在的電路路徑中。采樣電阻的大小、位置和接線方法都會(huì)影響采樣到的電壓信號(hào)的準(zhǔn)確性。
我們鼓勵(lì)在編程時(shí)應(yīng)有清晰的哲學(xué)思維，而不是給予硬性規(guī)則。我并不希望你們能認(rèn)可所有的東西，因?yàn)樗鼈冎皇怯^點(diǎn)，觀點(diǎn)會(huì)隨著時(shí)間的變化而變化。
C語言是一門非常重要的編程語言，它具有高效、靈活和可移植性等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于系統(tǒng)軟件、應(yīng)用軟件和游戲開發(fā)等領(lǐng)域。
有限且不斷縮小的電路板空間、緊張的設(shè)計(jì)周期以及嚴(yán)格的電磁干擾（EMI）規(guī)范（例如CISPR 32和CISPR 25）這些限制因素，都導(dǎo)致獲得具有高效率和良好熱性能電源的難度很大。
射頻干擾信號(hào)會(huì)給無線通信 基站覆蓋區(qū)域內(nèi)的移動(dòng)通信帶來許多問題，如電話掉線、連接出現(xiàn)噪聲、信道丟失以及接收語音質(zhì)量很差等，而造成干擾的各種可能原因則正以驚人的速度在增長。
24V開關(guān)電源，是高頻逆變開關(guān)電源中的一個(gè)種類。通過電路控制開關(guān)管進(jìn)行高速的道通與截止.將直流電轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓，從而產(chǎn)生所需要的一組或多組電。
降低EMI的一個(gè)重要途徑是設(shè)計(jì)PCB接地層。第一步是使PCB電路板總面積內(nèi)的接地面積盡可能大，這樣可以減少發(fā)射、串?dāng)_和噪聲。將每個(gè)元器件連接到接地點(diǎn)或接地層時(shí)必須特別小心，如果不這樣做，就不能充分利用可靠的接地層的中和效果。
繼電器是一種將大電流和高電壓控制在小電流和低電壓下的電氣開關(guān)。它由觸點(diǎn)系統(tǒng)和電磁鐵組成，當(dāng)電磁鐵通電時(shí)，可吸引鐵心，使觸點(diǎn)閉合或斷開。它可以將信號(hào)的控制和功率信號(hào)的處理隔離開，同時(shí)還可以承受高壓和大電流。
WI-FI從誕生到如今已經(jīng)20年，在從最初的科學(xué)設(shè)想到現(xiàn)在家喻戶曉的短短二十年里，WI-FI的使用遍布生活的各個(gè)方面。預(yù)計(jì)到2022年，將有48億互聯(lián)網(wǎng)用戶和285億聯(lián)接的設(shè)備。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，WI-FI可能會(huì)成為像電力、燃?xì)獾纫粯拥纳畋匦杵贰?/p>
MOS管中的安全區(qū)，即安全工作區(qū)(Safe Operating Area，簡稱SOA)，是指由一系列電壓和電流坐標(biāo)點(diǎn)形成的一個(gè)二維區(qū)域。這個(gè)區(qū)域定義了MOS管在正常工作條件下所能承受的最大電壓和電流范圍。只要MOS管的工作電壓和電流不超過這個(gè)區(qū)域，就可以認(rèn)為是安全的;一旦超出這個(gè)區(qū)域，就可能導(dǎo)致器件損壞，甚至可能引發(fā)爆炸等嚴(yán)重后果。
高頻高效是開關(guān)電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，高頻工作導(dǎo)致功率元件開關(guān)損耗增加，因此要使用軟開關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。
同步整流MOSFET是一種基于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的電子器件，廣泛應(yīng)用于交流電到直流電的轉(zhuǎn)換過程中。它能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的整流，提供穩(wěn)定的直流輸出。
與DRAM內(nèi)存不同，NAND在斷電后也能夠儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。閃存斷電時(shí)，浮柵晶體管 (FGT) 的金屬氧化物半導(dǎo)體會(huì)向存儲(chǔ)單元供電，保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。NAND單元陣列存儲(chǔ)1到4位數(shù)據(jù)。
在電子測量領(lǐng)域，示波器無疑是一款非常重要的儀器，廣泛應(yīng)用于電壓、時(shí)間、頻率、相位等電信號(hào)的測量與分析中。在示波器的應(yīng)用中離不開兩個(gè)重要的參數(shù)：采樣率和存儲(chǔ)深度，直接決定了示波器捕獲和顯示信號(hào)的能力。
對于一個(gè)常見的buck芯片，其電感充電功率回路中包含輸入電容，集成在芯片內(nèi)部的上管MOSFET，功率電感以及輸出電容等器件。而電感放電功率回路中則包含功率電感、輸出電容和集成在芯片內(nèi)部的下管MOSFET等。
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