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原創(chuàng)
重新構(gòu)想未來的車輛的討論，第三部分

是什么讓我們暫時堅持使用電池?據(jù)我了解，這有兩個組成部分。正如我們剛剛描述的那樣，一個是監(jiān)控電池，另一個是管理它。我所知道的是，電池通常實際上是一個電池組中的多個電池。管理需要弄清楚如何在電池組內(nèi)的不同電池之間分配消耗和負(fù)載?？偸沁@樣嗎?當(dāng)我們從一種電池類型切換到另一種電池類型時會出現(xiàn)這種情況嗎?回答這個問題，然后我會問你一點監(jiān)控和管理技術(shù)本身，芯片本身。

電源
2022-09-29

電氣化電動汽車
原創(chuàng)
重新構(gòu)想未來的車輛的討論，第二部分

我們都在進(jìn)行討論，試圖弄清楚我們在電動汽車變得比內(nèi)燃機汽車更高效和更具成本效益方面處于什么位置。你對我們在這條曲線上的位置有任何見解嗎?

電源
2022-09-29

電氣化電動汽車
原創(chuàng)
重新構(gòu)想未來的車輛的討論，第一部分

電氣化使汽車制造商有機會完全重新想象汽車是什么，以及它可以是什么。與德州儀器 (TI) 全球汽車系統(tǒng)總監(jiān) Ryan Manack 探討汽車電氣化道路上的新趨勢和挑戰(zhàn)的對話。

電源
2022-09-29

電氣化電動汽車
原創(chuàng)
GaN FET：發(fā)燒友的首選技術(shù)

從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車應(yīng)用，氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下，設(shè)計人員對 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，這導(dǎo)致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而，高端音頻放大器現(xiàn)在也越來越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù)，因為 GaN FET 的平滑開關(guān)特性導(dǎo)致注入放大器的可聽噪聲更少。

電源
2022-09-28

功率器件 GaN
原創(chuàng)
柵極驅(qū)動器的重要性，第二部分

為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗，必須盡快對柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場提供了特殊的電路來最小化這個過渡期。如果驅(qū)動器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會降低，因為功率瞬態(tài)的峰值會更短。一般來說，柵極驅(qū)動器執(zhí)行以下任務(wù)：

電源
2022-09-21

MOSFET 柵極驅(qū)動器
原創(chuàng)
柵極驅(qū)動器的重要性，第一部分

碳化硅和氮化鎵開關(guān)器件是所有電源電路中主要使用的元件。盡管它們在運行速度、高電壓、處理電流和低功耗等固有特性方面取得了優(yōu)異的成績，但設(shè)計人員將所有注意力都集中在此類設(shè)備上，而常常忘記將自己的精力投入到相關(guān)的驅(qū)動器上。

電源
2022-09-21

碳化硅氮化鎵
原創(chuàng)
ST，TI等公司最新發(fā)布的功率器件介紹

憑借其最新創(chuàng)新，意法半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，為各種電子應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供服務(wù)，正在推動個人計算的可持續(xù)性。新的 ST-ONE 芯片旨在提高各種完全符合 USB-PD 3.1 標(biāo)準(zhǔn)的 AC-DC 適配器的能效，包括筆記本電腦和智能手機充電器。新的 ST-ONE 適配器有助于減少CO?2排放和塑料消耗量。

電源
2022-09-21

ST
原創(chuàng)
英飛凌發(fā)布新型 CoolSiC MOSFET，Diodes的大電流肖特基整流器

CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 是英飛凌科技股份公司的一項全新 CoolSiC 技術(shù)。復(fù)雜的碳化硅 (SiC)芯片將在廣泛的產(chǎn)品中實現(xiàn)，包括使用 .XT 互連技術(shù)的分立封裝和流行的 Easy 模塊系列。

電源
2022-09-21

CoolSiC MOSFET 大電流肖特基整流器
原創(chuàng)
Nexperia最新發(fā)布的產(chǎn)品和Wise-integration 的GaN產(chǎn)品

Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來越多的分立器件中，該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無引線 DFN 封裝。這些節(jié)省空間且堅固耐用的組件有助于滿足智能和電動汽車中下一代應(yīng)用的需求

電源
2022-09-21

Nexperia GaN
原創(chuàng)
新型數(shù)字電流傳感器提高了惡劣環(huán)境中的可靠性，第一部分

電流傳感器在許多電子應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用，可讓您提高應(yīng)用效率并監(jiān)控電流以避免可能出現(xiàn)的故障或故障。多年來電流傳感器所經(jīng)歷的技術(shù)發(fā)展導(dǎo)致了集成電流傳感器的誕生，此外還提供了高水平的精度和可靠性，這些傳感器采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，占地面積非常小。最新一代的傳感器具有高壓隔離特性、高度的外部電磁場抗擾度和卓越的精度，使其成為測量工業(yè)、汽車、智能儀表、光伏、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器中的 AC 和 DC 電流的理想解決方案.

電源
2022-09-20

電流傳感器 LEM 的新型數(shù)字電流傳感器
原創(chuàng)
新型數(shù)字電流傳感器提高了惡劣環(huán)境中的可靠性，第二部分

隨著人民的生活水平日益的提高，汽車應(yīng)用的普及，使得汽車尾氣污染越來越嚴(yán)重，尤其是首都北京，天津，河北，重度污染天氣已經(jīng)超過全年的一半，嚴(yán)重影響了人們的健康，國家領(lǐng)導(dǎo)也相應(yīng)的采取措施，其中電動汽車的支持就是一項，電動汽車也很受老百姓喜歡，電動汽車的電源啟動系統(tǒng)中電流傳感器起到很大的作用。

電源
2022-09-20

電流傳感器 LEM 的新型數(shù)字電流傳感器
原創(chuàng)
抗輻射功率器件：第 2 部分 WBG 器件和封裝選項

在關(guān)于抗輻射功率器件的第 2 部分中，我們將探討 WBG 半導(dǎo)體在該領(lǐng)域的一些優(yōu)勢，特別是 SiC MOSFET 和 GaN HEMT。還將總結(jié)一些包括低成本塑料產(chǎn)品的包裝選擇。

電源
2022-09-20

SiC MOSFET GaN HEMT
原創(chuàng)
抗輻射分立功率器件：第 1 部分 — Si MOSFET

用于 5G、物聯(lián)網(wǎng)和其他各種用途的商業(yè)天基通信出現(xiàn)了巨大的增長，Starlink 和 OneWeb 等星座的推出就是明證。這補充了軍事和科學(xué)衛(wèi)星的使用，后者也出現(xiàn)了大幅增長。這些應(yīng)用所需的半導(dǎo)體功率器件，例如衛(wèi)星總線電壓到終端應(yīng)用的DC/DC 轉(zhuǎn)換，與地面商業(yè)或汽車對應(yīng)器件相比，需要滿足某些獨特的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，因為它們存在于敵對環(huán)境中。環(huán)境。這既意味著可預(yù)測的輻射暴露——例如來自地球周圍的范艾倫帶——也意味著不可預(yù)測的事件，例如太陽耀斑。

電源
2022-09-20

抗輻射 Si MOSFET
原創(chuàng)
GaN半橋電源集成電路最大限度地提高性能，降低成本

氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，已成為精密電力電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵。它比硅快20×，可以提供高達(dá)3×的功率或充電，其尺寸和重量是硅器件的一半。

電源
2022-09-16

功率器件氮化鎵
原創(chuàng)
GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第二部分

在電機驅(qū)動應(yīng)用中，功率器件需要承受過載或故障條件，這些條件會造成器件處于高電壓和高電流導(dǎo)通狀態(tài)且器件處于飽和狀態(tài)。高溫會導(dǎo)致災(zāi)難性的破壞。功率器件及其柵極驅(qū)動器需要協(xié)同工作才能關(guān)閉器件，之前將 1us 視為正常響應(yīng)時間。幾項關(guān)于 GaN HEMT 的研究報告了更短的 SCWT 時間，這被認(rèn)為是來自高電流密度，尤其是在低 Rdson 器件中。隨著 Vds 升高，SCWT 急劇下降，許多研究表明 Vds ≥ 400V 時小于 500ns。

電源
2022-09-14

功率器件 GaN HEMT