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功率器件

所屬頻道 電源
  • 原創(chuàng)

    電阻率是測量是電阻參數(shù)的關(guān)鍵,第一部分

    當(dāng)向材料或設(shè)備施加電壓時,電流將流過它。將流過多少電流取決于材料應(yīng)用于電路的電阻。材料的電阻取決于許多因素,最重要的是它的電阻率。電阻和電阻率經(jīng)?;Q使用,但它們的含義略有不同。了解差異有助于您了解電子的流動方式。

  • 原創(chuàng)

    如何處理 AD 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)流的介紹

    如果我們已經(jīng)設(shè)置了 A/D 轉(zhuǎn)換器或智能傳感器,并且主機處理器正在從讀數(shù)中獲取數(shù)據(jù),這是第一步。對于某些應(yīng)用程序,按需讀取一次可能很有用。許多應(yīng)用程序要求對讀數(shù)流進(jìn)行一些計算。

  • 原創(chuàng)

    電阻率是測量是電阻參數(shù)的關(guān)鍵,第二部分

    電阻或電阻率測量需要兩根或四根線。兩線電阻測量是最常用方法,通常使用手持萬用表完成。今天的數(shù)字萬用表對于大多數(shù)應(yīng)用來說都相當(dāng)準(zhǔn)確。

  • 原創(chuàng)

    快速穩(wěn)定的皮安表電路可處理寬電壓范圍

    評估模擬開關(guān)、多路復(fù)用器、運算放大器和其他 IC 對 IC 測試工程師提出了挑戰(zhàn)。典型的測試場景需要對設(shè)備的輸入施加測試或強制電壓,并測量任何產(chǎn)生的泄漏電流和偏移電流,通常為 1 pA 或更低。與緩慢且昂貴的商用自動測試儀相比,這個設(shè)計中的低功耗測量電路可以強制提供廣泛的測試電壓并提供快速穩(wěn)定,以最大限度地提高設(shè)備測試吞吐量。廣泛使用表面貼裝元件可最大限度地減少其印刷電路板空間要求,并允許在靠近測試夾具的地方封裝多個測量電路。

  • 原創(chuàng)

    最大化硬件仿真對網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的價值,第二部分

    對于功能驗證,思科做了幾件事。它為前門初始化設(shè)計了一個測試平臺。它采用了所有的 C++/System C 測試檢查器和模擬檢查,甚至是實時檢查,并將它們移植到仿真器中。它還使用 Mentor 的以太網(wǎng)數(shù)據(jù)包生成器監(jiān)視器 (EPGM) 作為 IP 來生成以太網(wǎng)數(shù)據(jù)包或不同種類的數(shù)據(jù)包。

  • 原創(chuàng)

    最大化硬件仿真對網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的價值,第一部分

    為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用設(shè)計 ASIC 面臨著獨特的挑戰(zhàn)。一是這些設(shè)備的帶寬和延遲性能測試比其他類型的 IC 所需的仿真周期要長得多。當(dāng)然,擴展模擬會減慢整個設(shè)計過程。為了解決這些問題和其他問題,思科工程師采用了將仿真與仿真相結(jié)合的做法,以改進(jìn)和加速驗證過程。

  • 原創(chuàng)

    ROHM最新的GaN HEMT 提器件的高柵極耐壓

    新 EcoGaN? 系列的第一個系列有助于降低數(shù)據(jù)中心和基站的功耗并實現(xiàn)更大的小型化 ROHM 150V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列( GNE1040TB ) 將柵極耐壓(額定柵極-源極電壓)提高到業(yè)界領(lǐng)先的 8V - 非常適用于工業(yè)設(shè)備(如基站和數(shù)據(jù)中心以及物聯(lián)網(wǎng))的電源電路通訊設(shè)備。

    電源
    2022-09-01
  • 原創(chuàng)

    一種用于無線電力傳輸?shù)?MEMS 開關(guān)介紹二

    為了評估該開關(guān)在 WPT 阻抗匹配應(yīng)用中的性能,Menlo Microsystems 和Solace Power創(chuàng)建了電路和電氣環(huán)境類似于 Solace 的 Equus 系統(tǒng)。Solace WPT 方法采用獲得專利的諧振電容耦合技術(shù),可在固定或可變距離情況下以 13.56 MHz 傳輸高達(dá) 150 W 的射頻功率。

  • 原創(chuàng)

    一種用于無線電力傳輸?shù)?MEMS 開關(guān)介紹一

    如果諧振無線電力傳輸 (WPT) 系統(tǒng)要兌現(xiàn)其為電動汽車和其他大功率應(yīng)用充電的承諾,首先必須解決一個工程問題。

  • 原創(chuàng)

    一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論,第五部分

    我的最后一個問題是關(guān)于展望未來:您如何看待未來幾年的 GaN?與 GaN 競爭的其他寬帶隙材料有哪些?所以,我提到了一些關(guān)于碳化硅的事情。因此,這些天來,我們也在談?wù)撾妱悠?。那么,與其他解決方案相比,GaN 在哪些方面可以提供良好的價值?我們期望在哪里看到下一波增長?

    電源
    2022-08-30
  • 原創(chuàng)

    一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論,第四部分

    現(xiàn)在討論的一個主題是器件的熱管理方面,而寬帶隙半導(dǎo)體、氮化鎵,但不僅是碳化硅解決方案,承諾更高的工作溫度和更高的效率。如您所知,在將這些設(shè)備設(shè)計到系統(tǒng)中時,設(shè)計人員還需要考慮熱管理問題。那么,您的技術(shù)戰(zhàn)略是什么,您如何看待隨著功率密度的增加而對工藝和封裝技術(shù)的未來發(fā)展產(chǎn)生影響的熱管理需求?

    電源
    2022-08-30
  • 原創(chuàng)

    一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論,第三部分

    最新的GaN技術(shù)是把邏輯集成到 E-Mode GaN HEMT 中,因此,它可以以最少的工作量與驅(qū)動程序和控制器連接,并且還可以節(jié)省成本,因此不需要額外的組件。因此,我們的解決方案可以像 MOSFET 一樣被驅(qū)動。為什么E-Mode GaN HEMT選擇集成邏輯而不是 GaN 驅(qū)動器的原因是什么嗎?

    電源
    2022-08-30
  • 原創(chuàng)

    一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論,第二部分

    目前有幾個 GaN 器件概念。那么,大家能告訴我從設(shè)計的角度來看,哪些是主要的,哪些是我們的發(fā)展方向?,關(guān)于GaN的十件事,有沒有你更關(guān)注的點?

    電源
    2022-08-30
  • 原創(chuàng)

    TI 通過高精度 ADC 加強工業(yè)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品組合

    德州儀器 (TI) 擴展了其高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器系列,新增了八個逐次逼近寄存器 (SAR) 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 系列,可在工業(yè)環(huán)境中實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)采集。針對工業(yè)系統(tǒng)中的實時控制挑戰(zhàn),ADC3660 SAR ADC 具有 14 位、16 位和 18 位分辨率,采樣速度范圍為 10 到 125 MSPS,聲稱可將功耗降低 65%,將延遲降低 80%。競爭設(shè)備。

  • 原創(chuàng)

    聰明的 IC 改進(jìn)了二極管的簡單性

    工程師知道一個好的設(shè)計的基本準(zhǔn)則是“保持簡單”——但只在可能的范圍內(nèi)這樣做。這就是為什么半導(dǎo)體二極管如此強大的原因:它是一種兩端器件,從阻斷反向直流到交流線路或信號整流,再到捕獲和保持峰值(使用相關(guān)的電容器),都有無數(shù)的作用。二極管有數(shù)千種尺寸和電流/電壓額定值以滿足這些不同的需求。

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