IGBT的結(jié)構(gòu)如下圖所示,一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),有兩個(gè)N區(qū),其中一個(gè)N區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。另一個(gè)N區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)(包括P和P-區(qū),溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)...
什么是功率器件?功率器件,也被稱為電力電子器件,簡(jiǎn)單來說,就是具有處理高電壓、大電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面,因此得名“電力電子器件”。Q:功率處理怎么理解?A:一般指的是變頻、變壓、變流、功率管理等電路處理動(dòng)作。Q:高電壓有多高?...
近日,國(guó)內(nèi)AI芯片企業(yè)地平線于上海發(fā)布了其自主研發(fā)的自動(dòng)駕駛芯片征程5,并與多家車企達(dá)成生態(tài)合作伙伴關(guān)系。此次發(fā)布的征程5,是繼征程2、征程3后,地平線開發(fā)的第三代車規(guī)級(jí)產(chǎn)品,也是國(guó)內(nèi)首顆遵循ISO26262功能安全認(rèn)證流程開發(fā),并通過ASIL-B認(rèn)證的車規(guī)級(jí)AI芯片。其基于其原...
目前應(yīng)用最廣泛的數(shù)字電路是TTL電路和CMOS電路。TTL—Transistor-TransistorLogic三極管-三極管邏輯MOS—Metal-OxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管CMOS—ComplementaryMetal-OxideSemicon...
一.?描述輸入電壓影響輸出電壓的幾個(gè)指標(biāo)形式1.絕對(duì)穩(wěn)壓系數(shù)A.絕對(duì)穩(wěn)壓系數(shù):表示負(fù)載不變時(shí),穩(wěn)壓電源輸出直流變化量△U0與輸入電網(wǎng)變化量△Ui之比。即:K=U0/Ui。B.相對(duì)穩(wěn)壓系數(shù):表示負(fù)載不變時(shí),穩(wěn)壓器輸出直流電壓Uo的相對(duì)變化量△Uo與輸出電網(wǎng)Ui的相對(duì)變化量△Ui之比...
2019年韓國(guó)與日本之間也爆發(fā)過一次爭(zhēng)端,日本方面宣布對(duì)韓國(guó)禁運(yùn),包括光刻膠在內(nèi)的三種重要化學(xué)品要出口審查。韓國(guó)隨即啟動(dòng)國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目,然而2年后依然不能擺脫對(duì)日本的依賴。日本公司在全球半導(dǎo)體材料行業(yè)有重要地位,對(duì)韓國(guó)禁運(yùn)的主要是光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫,都是半導(dǎo)體芯片、面板生產(chǎn)...
一.?電源完整性概述電源完整性(PowerIntegrity)簡(jiǎn)稱PI,是確認(rèn)電源來源、目的端電壓以及電流是否符合需求。PI所研究的就是如何為整個(gè)系統(tǒng)提供一個(gè)穩(wěn)定可靠的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PowerDistributionNetwork,簡(jiǎn)稱PDN),確定從DC轉(zhuǎn)換器的輸出到芯片、板卡...
高通作為最強(qiáng)大的安卓芯片制造商,每一代新品都備受關(guān)注,無論是手機(jī)芯片還是汽車芯片,甚至連穿戴芯片都會(huì)對(duì)行業(yè)造成巨大影響。近日,海外的XDA曝光了一款名為“Wear5100”的可穿戴設(shè)備SoC,其內(nèi)部型號(hào)為SnapdragonWear5100,目前該芯片已經(jīng)出現(xiàn)在Android10...
從定時(shí)器開始說中斷什么叫中斷?這個(gè)對(duì)于剛進(jìn)入MCU界的人來說是一個(gè)難以了解的問題,因?yàn)槲业谝淮螌W(xué)單片機(jī)的時(shí)候就不完全不了解什么叫中斷。后來慢慢來知道原來中斷是單片機(jī)運(yùn)行到一半突然飛到某個(gè)地方運(yùn)行某些東西運(yùn)行后又飛回來而已。后來學(xué)著學(xué)著就了解到中斷的意義了,不過對(duì)于第一次接觸單片機(jī)...
L、C元件稱為“慣性元件”,即電感中的電流、電容器兩端的電壓,都有一定的“電慣性”,不能突然變化。充放電時(shí)間,不光與L、C的容量有關(guān),還與充/放電電路中的電阻R有關(guān)?!?UF電容它的充放電時(shí)間是多長(zhǎng)?”,不講電阻,就不能回答。RC電路的時(shí)間常數(shù):τ=RC充電時(shí),uc=U×[1-e...
日前AMD正式發(fā)布了銳龍5000G系列處理器,這是基于7nmZen3架構(gòu)的銳龍APU,今年終于開始零售了,售價(jià)1899元起,性能超過了11代酷睿i7。微星今天宣布旗下的400系/5000系A(chǔ)MD主板升級(jí)BIOS,正式支持銳龍5000G。微星表示旗下的500系列主板均支持銳龍500...
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,臺(tái)積電已經(jīng)開始在中國(guó)臺(tái)灣省南部的Fab18工廠安裝3nm制程芯片的制造設(shè)備,將在今年下半年試產(chǎn)3nm芯片。據(jù)了解,與之前的臺(tái)積電5nm工藝相比,最新的3nm工藝能讓芯片面積縮小30%,功耗降低最多25~30%,或者最多提升10~15%的性能。臺(tái)積電與三星的代工工藝...
5V_ALWP電壓通過D32的1腳對(duì)C710、C722、C715、C719開始充電,充電完畢后電路狀態(tài)如上圖顯示(二極管壓降忽略不計(jì))。此時(shí)的15V_ALWP,實(shí)際電壓為5V1.由于電容的兩端電壓不能突變,此時(shí)C715兩端的電位為左邊5V,右邊10V(C715的電壓依然是10V-...
摘要爬電距離:沿絕緣表面測(cè)得的兩個(gè)導(dǎo)電零部件之間或?qū)щ娏悴考c設(shè)備防護(hù)界面之間的最短路徑。電氣間隙:在兩個(gè)導(dǎo)電零部件之間或?qū)щ娏悴考c設(shè)備防護(hù)界面之間測(cè)得的最短空間距離。即在保證電氣性能穩(wěn)定和安全的情況下,通過空氣能實(shí)現(xiàn)絕緣的最短距離。一般來說,爬電距離要求的數(shù)值比電氣間隙要求的...
Intel前不久公布了全新的CPU工藝路線圖,將未來的10nm、7nm、5nm工藝分別改名為Intel7、Intel4、Intel3,同時(shí)還宣布了2024年問世的Intel20A工藝,這是首個(gè)埃米級(jí)CPU工藝。Intel20A工藝節(jié)點(diǎn)會(huì)放棄FinFET工藝,有兩大革命性新技術(shù)——...
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李智健
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